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51. 发明公开

KR1020160081376A 질화물 반도체 발광소자 无效
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160081376A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140195131
申请日：2014-12-31
申请人： 한국광기술원
发明人： 정태훈 , 백종협 , 이상헌 , 전성란 , 정탁 , 오화섭 , 이승재 , 주진우 , 정성훈 , 이광재 , 민판기
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/12
摘要： 질화물반도체발광소자가개시된다. 본발명에서는, 결함완화층의하부또는, 결함완화층의내부에 AlN 또는 AlGaN으로구성되는삽입층이배치되어결정결함의진행을차단한다.
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光器件。在本发明中，由AlN或AlGaN构成的插入层设置在缺陷缓和层的下部或缺陷缓和层的内部，以阻止晶体缺陷的进行。氮化物半导体发光器件包括：衬底的上部的缓冲层; 氮化物半导体层，设置在所述缓冲层的上部，并且以预定的第一温度生长; 所述缺陷弛豫层设置在所述缓冲层和所述氮化物半导体层之间，以阻止所述晶体缺陷的进行; 并且所述插入层设置在所述缓冲层和所述缺陷弛豫层之间，以阻止所述晶体缺陷的进行。

52. 发明公开

KR1020160064334A 형광체 시트를 이용한 발광다이오드 소자 제조방법 有权
标题翻译：使用磷光体制造发光二极管的方法
公开(公告)号：KR1020160064334A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020140167550
申请日：2014-11-27
申请人： 한국광기술원
发明人： 사기동 , 김영우 , 백종협 , 최창열 , 문성재
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/502
摘要： 본발명은형광체시트를이용한발광다이오드소자제조방법에관한것으로서, 형광체가시트형태로형성된형광체시트에접합대상발광다이오드칩의크기에대응되는셀들로구획되게가로및 세로방향을따라격자패턴의다수의안내홈을기형광체시트의두께보다짧은깊이로형성하여격자셀영역을다수형성하는단계와, 형광체시트의안내홈에의해구획된격자셀각각위에발광다이오드칩들을각각대응되게접합하는단계및 형광체시트의발광다이오드칩이접합된격자셀단위로절단하여발광다이오드소자를형성하는단계를포함한다. 이러한형광체시트를이용한발광다이오드소자제조방법에의하면, 형광체시트에안내홈을형성하여발광다이오드칩을실장하기위한비젼인식로딩기의비젼인식율을향상시키면서형광체와발광다이오드칩과의접합과정에서형광체시트이외의이물질의부착을방지할수 있어광학특성을그대로유지할수 있는장점을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用荧光体片材制造发光二极管元件的方法，包括以下步骤：通过形成多个网格图案的导槽，形成多个格子晶胞区域，其深度比沿着宽度和高度方向的荧光体片被分成与荧光体片中形成为片状的荧光体中的接合目标荧光体二极管芯片的尺寸相对应的单元; 在由所述荧光体片的引导槽划分的每个所述网格单元上彼此对应的发光二极管芯片; 并且形成发光二极管元件作为其中结合有荧光体片的发光二极管芯片的网格单元单元。根据使用荧光体片的制造发光二极管元件的方法，通过在荧光体片中形成引导槽，改善了构造成安装发光二极管芯片的视觉识别装载装置的视觉识别率，可以防止在荧光体和发光二极管芯片的接合工艺期间除了荧光体片以外的异物。因此，存在维持光学特性的优点。

53. 发明授权

KR101617525B1 플렉서블 ＬＥＤ 및 그 제조방법 有权
标题翻译：柔性LED及其制造方法
公开(公告)号：KR101617525B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
申请人： 한국광기술원
发明人： 정탁 , 박형조 , 오화섭 , 정태훈 , 이승재 , 이윤석 , 김자연 , 정성훈 , 주진우 , 이상헌 , 백종협
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/64 , H01L33/36
摘要： 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.

54. 发明授权

KR101610071B1 태양광-열 모듈 구조 有权
标题翻译： PVT模块结构
公开(公告)号：KR101610071B1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140165296
申请日：2014-11-25
申请人： 한국광기술원
发明人： 김용현 , 김영우 , 백종협
IPC分类号： H01L31/0525 , H02S40/44
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02E10/60 , H01L31/0547 , H02S40/44 , Y02E10/52
摘要： PVT 모듈구조가개시된다. 본발명의 PVT 모듈구조는, 일정높이의평탄부와, 평탄부의일부가소정높이를가지도록형성되는릿지형상의릿지부와, 이웃하는릿지부사이에형성되는리세스형상의리세스부를포함하고, 리세스부에대응하는평탄부상부에광전변환소자가배치되고, 흡열부내부에유체관이매립된다.
摘要翻译：公开了一种在同时提高光伏效率的同时提高热水生产效率的光伏热（PVT）模块结构。本发明的PVT模块结构包括：具有规则高度的平坦单元; 形成为具有预定高度的平坦单元的一部分的脊形脊部; 以及形成在相邻的脊单元之间的凹部形状的凹部单元。光电转换元件布置在与凹部相对应的平坦单元的上部，并且流体管嵌入在吸热单元内。

55. 发明公开

KR1020150137667A 리지를 갖는 레이저 다이오드 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150137667A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020140065930
申请日：2014-05-30
申请人： 한국광기술원
发明人： 주진우 , 황남 , 백종협 , 오화섭 , 정탁
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2205 , H01S5/0422
摘要： 본발명은성장기법을이용하여형성된리지를형성하여제조비용및 제조공정을줄일수 있는리지를갖는레이저다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명의일 측면에따른리지를갖는레이저다이오드의제조방법은, 기판상에 N-반도체적층막을형성하고, 상기 N-반도체적층막상에활성층을형성하고, 상기활성층상에성장기법을이용하여리지형태의 P-반도체적층막을형성하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造激光二极管的方法，该激光二极管具有通过使用增长技术形成脊的脊，以降低制造成本和工艺。根据本发明的一个方面，制造具有脊的激光二极管的方法在衬底上形成N-半导体叠层膜，在N-半导体层叠膜上形成有源层，形成P半导体层叠膜通过使用生长技术在活性层上形成脊形。

56. 发明公开

KR1020150134842A GaN 박막을 포함한 이종 기판, 이의 제조방법, 이를 구비하는 발광 소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：具有薄膜的异型衬底，其制造方法，发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150134842A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020140062159
申请日：2014-05-23
申请人： 한국광기술원
发明人： 주진우 , 이승재 , 백종협 , 박형조 , 정탁 , 김윤석 , 오화섭 , 정태훈 , 김자연 , 정성훈 , 이상헌
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 본발명은 GaN 박막을포함한이종기판에에피층을성장시킴으로써, 버퍼를개재시키지않은상태에서에피층을형성할수 있으므로, 결정성이향상되며, 저렴하게제작할수 있는 GaN 박막을포함한이종기판, 이의제조방법, 이를구비하는발광소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 측면에따른 GaN 박막을포함한이종기판은, 이종기판인베이스기판; 및상기베이스기판의적어도일면에서로이격되어형성되는다수의 GaN(Gallium Nitride) 박막으로이루어지는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及具有GaN薄膜的异质衬底，其制造方法，包括该GaN薄膜的发光器件及其制造方法。可以通过在包括GaN薄膜的异质衬底上形成外延层来形成外延层而不插入缓冲层，从而提高结晶度。外延层可以低成本制造。根据本发明的一个方面的具有GaN薄膜的异质衬底包括：作为异质衬底的基底衬底; 和氮化镓（GaN）薄膜，其在基底基板的至少一个表面上彼此分离。

57. 发明公开

KR1020150123034A 질화물 박막 및 그 제조방법 有权
标题翻译：硝酸盐薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150123034A
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020140049354
申请日：2014-04-24
申请人： 한국광기술원
发明人： 이승재 , 전성란 , 주진우 , 박형조 , 정탁 , 김윤석 , 오화섭 , 정태훈 , 김자연 , 정성훈 , 이상헌 , 백종협
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/38 , H01L33/0066 , H01L33/12
摘要： 질화물박막및 그제조방법이개시된다. 본발명의질화물박막은, 실리콘기판을반응로내에서고온의제1온도로가열하고, 상기반응로내에수소를주입하고, 상기실리콘기판을상기제1온도보다낮은제2온도로냉각하고, 상기반응로내에수소를일정하게주입하면서, 트리메틸알루미늄(TMA)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소및 TMA를일정하게주입하면서, 암모니아(NH)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소, TMA 및 NH를일정하게주입하면서, 상기실리콘기판을상기제1온도로가열하여제조한다.
摘要翻译：公开了一种氮化物薄膜及其制造方法。本发明的氮化物薄膜通过以下步骤制备：在反应炉中以高温的第一温度加热硅树脂基材; 将氢气送入反应炉; 在低于第一温度的第二温度下冷却硅树脂基材; 均匀地将氢气进料到反应炉中; 喂三甲基铝（TMA）一段时间; 在反应炉中均匀加入氢气和TMA; 在一段时间内喂氨（NH_3）并在第一温度下加热硅基片，同时在反应炉中均匀加入氢，TMA和NH_3。

58. 发明授权

KR101562928B1 발광 다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101562928B1
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020140054577
申请日：2014-05-08
申请人： 한국광기술원
发明人： 오화섭 , 이승재 , 주진우 , 박형조 , 정탁 , 김윤석 , 이상헌 , 정태훈 , 김자연 , 정성훈 , 백종협
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/50
摘要： 본발명은기판양면에에피구조를성장시켜발광출력을향상시킬수 있으며, 단일의발광다이오드를사용하여이중발광스펙트럼을구현할수 있는발광다이오드및 그제조방법에관한것이다. 본발명의실시예에따른발광다이오드는, 기판의일면에형성되며, 공급되는전자및 정공의재결합에따라생성되며, 제 1 스펙트럼을갖는제 1 광을출력하는제 1 에피층; 및상기기판의타면에형성되며, 상기제 1 광의일부를흡수하여, 제 2 스펙트럼을갖는제 2 광을출력하는제 2 에피층으로구성된다.
摘要翻译：发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，其能够通过使用单个发光二极管实现双重发光光谱，并且通过在基板的两侧生长外延结构来提高发光输出。根据本发明的实施例的发光二极管包括通过电子和被供应的孔的复合而形成在衬底的一侧上的第一外延层，并且输出具有第一光谱的第一光 ; 并且形成在所述基板的另一侧上的第二外延层部分地吸收所述第一光，并输出具有第二光谱的第二光。

59. 发明授权

KR101547905B1 발광다이오드 有权
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：KR101547905B1
公开(公告)日：2015-08-28
申请号：KR1020130017384
申请日：2013-02-19
申请人： 한국광기술원
发明人： 김자연 , 백종협 , 권민기
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L33/54
CPC分类号： H01L2224/24 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 발광다이오드가개시된다. 이러한발광다이오드는기판과, 기판상에배열형성된다수개의단위셀으로이루어진셀어레이를포함하고, 셀어레이는평단면형상에있어서하나이상의내각이 90도보다작은다각형일수 있다. 또한다수개의단위셀로이루어진셀어레이는단위셀들간에직렬연결된고전압발광다이오드의특징을갖는다. 이와같이셀어레이의형상이내각이 90도보다작은경우에광방출특성이좋아지며, 고전압발광다이오드로서동일면적대비효율이높아진다.

60. 发明授权

KR101517219B1 웨이퍼 단위 발광다이오드 셀별 형광체 도포방법 有权
公开(公告)号：KR101517219B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126150
申请日：2013-10-22
申请人： 한국광기술원
发明人： 사기동 , 김영우 , 백종협
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/48
摘要： 본 발명은 웨이퍼 단위 발광다이오드 셀별 형광체 도포방법에 관한 것으로서, 활성층을 중심으로 상하에 클래드층이 형성된 발광구조를 갖는 웨이퍼를 칩단위의 발광다이오드 셀로 절단하는 단계와, 발광다이오드 셀들을 상호 이격되게 메인 캐리어기판에 부착하는 단계와, 서브 캐리어 기판에 접착제로 된 제1서브접착층을 형성하고, 제1서브접착층 위에 발광다이오드 셀들의 배열에 대응되는 패턴으로 형광체를 스크린 프린팅에 의해 도포하여 형광층을 형성하는 단계와, 형광층 위에 스크린 프린팅에 의해 발광다이오드 셀들의 배열에 대응되는 패턴으로 접착제를 도포하여 제1메인 접착층을 형성하는 단계와, 제1메인 접착층을 발광다이오드 셀들에 대응되게 접합시키는 단계와, 형광층으로부터 서브 캐리어 기판을 분리하는 단계를 포함한다. 이러한 웨이퍼 단위 발광다이오드 셀별 형광체 도포방법에 의하면, 절단과정을 거친 발광다이오드 셀에 접착방식으로 형광체를 도포함으로써 제조가 용이하면서도 형광체의 분포 편차가 억제되고, 형광체의 손상을 방지할 수 있는 장점을 제공한다.

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