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51. 发明授权

KR102162495B1 수지 조성물 有权
公开(公告)号：KR102162495B1
公开(公告)日：2020-10-07
申请号：KR1020190029277
申请日：2019-03-14
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 조윤경 , 양세우 , 강양구 , 박은숙 , 김현석 , 박형숙 , 박상민 , 양영조
IPC分类号： C08G18/42 , C08G18/79 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/38 , H01M2/10 , B60L50/60

52. 发明授权

KR102162493B1 수지 조성물 有权
公开(公告)号：KR102162493B1
公开(公告)日：2020-10-07
申请号：KR1020190029276
申请日：2019-03-14
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 조윤경 , 이지영 , 양세우 , 강양구 , 박은숙 , 박상민
IPC分类号： C08G18/42 , C08G18/08 , C08G18/75 , C08K3/013 , H01M2/10 , B60K1/02

53. 发明授权

KR102112790B1 수지 조성물 有权
公开(公告)号：KR102112790B1
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：KR1020170173336
申请日：2017-12-15
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 강양구 , 양세우 , 조윤경 , 박은숙 , 김현석 , 박형숙 , 박상민 , 양영조
IPC分类号： C08L75/06 , C08G18/42 , C08G18/75 , C08K3/013

54. 发明授权

KR101960939B1 배터리 모듈 有权
公开(公告)号：KR101960939B1
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：KR1020160024325
申请日：2016-02-29
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박상민 , 조윤경 , 박은숙 , 양세우 , 강양구
IPC分类号： H01M2/10 , H01M2/02 , H01M2/08 , C08L101/00 , C08K3/00

55. 发明授权

KR101941114B1 배터리 모듈 有权
公开(公告)号：KR101941114B1
公开(公告)日：2019-01-23
申请号：KR1020160024324
申请日：2016-02-29
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 조윤경 , 박은숙 , 박상민 , 양세우 , 강양구
IPC分类号： H01M2/10 , H01M2/02 , H01M2/08 , C08L101/00 , C08K3/00

56. 发明公开

KR1020160105359A 배터리 모듈 审中-实审
标题翻译：电池模块
公开(公告)号：KR1020160105359A
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020160024327
申请日：2016-02-29
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박상민 , 조윤경 , 박은숙 , 양세우 , 강양구
IPC分类号： H01M2/10 , H01M2/02 , H01M2/08 , C08L101/00 , C08K3/00
CPC分类号： H01M10/653 , B60L11/1879 , H01M2/02 , H01M2/08 , H01M2/10 , H01M2/1077 , H01M10/0525 , H01M2220/20
摘要： 본출원은배터리모듈, 그제조방법및 상기제조방법에적용되는수지조성물을제공할수 있다. 본출원에서는간단한공정과저비용으로제조되면서도부피대비출력이우수한배터리모듈, 그제조방법및 상기제조방법에적용되는수지조성물을제공할수 있다.
摘要翻译：本申请可以提供适用于上述制造方法的电池模块，其制造方法以及树脂组合物。本申请能够提供一种以简单的工序制造且低成本且体积输出优异的电池模块及其制造方法以及适用于该制造方法的树脂组合物。

57. 发明授权

KR101584841B1 도전성 적층체 有权
标题翻译：导电层压板
公开(公告)号：KR101584841B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020120061759
申请日：2012-06-08
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박민수 , 양세우 , 장석기 , 김동렬 , 장현우 , 구본석 , 강양구
IPC分类号： B32B27/08 , B32B7/12 , H01B1/12 , H01B5/14
摘要： 본출원은도전성적층체에대한것이다. 본출원에서는내열안정성이우수하여고온에서의처리를수행하는경우에도기포의발생을억제할수 있고, 들뜸이나박리등의문제가발생하지않는도전성적층체를제공할수 있다. 상기도전성적층체는, 예를들어, 터치패널의전극판으로사용되는경우에도펜 입력등의외부자극및 충격을효과적으로흡수하거나상기에저항할수 있고, 내구성이우수하다.

58. 发明公开

KR1020140147420A 양면 투명 도전성 필름의 제조방법 无效
标题翻译：半透明导电材料薄膜覆膜方法
公开(公告)号：KR1020140147420A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070631
申请日：2013-06-19
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 장현우 , 김동렬 , 구본석 , 강양구
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , H01L31/0224 , G06F3/045
CPC分类号： H01B5/14 , G06F3/045 , H01B13/00 , H01L31/022466
摘要： The present invention relates to a double-sided transparent conductive film and a manufacturing method thereof. The double-sided transparent conductive film according to the present invention is manufactured by combining two films using an adhesive or glue after a pair of single-sided transparent conductive films with the same layer configuration are manufactured. Productivity is improved by simplifying manufacturing processes in comparison with an existing manufacturing method to form a transparent conductive film on both sides. The film with high quality is secured by reducing a defective rate or preventing the reduction of a capacity through reducing the number of transparent conductive film rolling processes by reducing the manufacturing processes.
摘要翻译：双面透明导电膜及其制造方法技术领域本发明涉及双面透明导电膜及其制造方法。根据本发明的双面透明导电膜通过在制造具有相同层结构的一对单面透明导电膜之后，通过使用粘合剂或胶合并两个膜来制造。与现有的制造方法相比，通过简化制造工艺来改善生产率，以在两侧形成透明导电膜。通过减少制造工艺，通过减少透明导电膜轧制过程的数量来降低缺陷率或防止容量的降低来确保高质量的膜。

59. 发明授权

KR101207045B1 모세관 현상을 이용한 ＣＲＦ 패턴 제조 방법 有权
标题翻译：使用毛细管力制造对比度增强膜的方法
公开(公告)号：KR101207045B1
公开(公告)日：2012-11-30
申请号：KR1020080108437
申请日：2008-11-03
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 전경수 , 김재진 , 홍영준 , 최현 , 강양구 , 임상혁 , 성지현 , 김학신
IPC分类号： G02B5/20 , H01J11/44
摘要： 본 발명은 모세관 현상을 이용하여, 고단차를 요구하는 CRF를 제조하는 방법에 관한 것으로서, a)고단차 패턴이 형성된 점착성 있으면서 소프트한 몰드를 제조하는 과정, b) 제조한 몰드를 기재에 붙이는 과정, c) 제조한 몰드를 손상시키지 않는 액을 주입한 후, 모세관 현상을 이용하여 패턴에 액을 채우는 과정으로 구성되어 있다.
콘트라스트, 필름, PDP, 디스플레이, 패널

60. 发明授权

KR100965744B1 건식에칭에 의해 요철면이 형성된 기재의 제조방법, 상기방법으로 제조된 기재, 및 상기 기재를 포함하는 광전자소자 失效
标题翻译：通过干蚀刻制备其具有纹理表面的基底的方法，使用其制备的基底和光电器件
公开(公告)号：KR100965744B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020060094875
申请日：2006-09-28
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 홍영준 , 이승헌 , 이기라 , 강양구 , 전경수
IPC分类号： H01L33/20 , H01L21/31
摘要： 본 발명은 a)기재 상에, 금속 또는 금속산화물 입자와 유기고분자 물질을 포함하는 막을 형성하는 단계; b)제 1건식에칭을 이용하여 상기 막 중 금속 또는 금속산화물 입자를 제외한 부분을 제거하는 단계; 및 c)제 2건식에칭을 이용하여, 상기 금속 또는 금속산화물 입자와 기재를 함께 에칭하여, 상기 기재 표면에 상기 금속 또는 금속 산화물 입자의 형상 및 3차원 망상구조(network structure)의 배열형태가 전사된 요철면을 형성하는 단계; 를 포함하여, 요철면이 형성된 기재를 제조하는 방법, 상기 방법으로 제조된 기재, 상기 기재의 중간체, 및 상기 기재를 포함하는 광전자 소자를 제공한다. 본 발명은 금속 또는 금속산화물 입자와 유기고분자 물질이 포함된 막을 기재 상에 형성하고, 1단계로 유기물 만을 에칭한 후, 2단계로 금속 또는 금속산화물 입자와 기재를 함께 에칭함으로써, 대량으로 용이하게 기재 상의 요철면을 형성할 수 있으며, 요철면의 크기 및 형상 등도 쉽게 제어가 가능하여 다양한 저반사 패턴을 쉽게 제작할 수 있다. 또한, 기재의 종류 및 결정성 등에 상관없이 다양한 저반사 패턴을 제작할 수 있으므로, 원하는 반사율을 가진 기재를 용이하게 제작할 수 있다.
건식에칭, 저반사패턴, 요철면, 광전자소자,

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