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51. 发明公开

KR1020060118193A 액정표시장치 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060118193A
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050040725
申请日：2005-05-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배양호 , 정창오 , 이제훈 , 조범석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , H01L27/1288
摘要： An LCD and a method for manufacturing the same are provided to remove the need of a passivation layer for protecting source and drain electrodes, thereby simplifying the manufacturing process, by forming a transparent electrode to cover the source and drain electrodes. A gate wiring having a gate electrode(410) and a gate line is formed on a substrate(100). An active layer(430) is formed on the gate electrode. A data wiring having a source electrode(450), a drain electrode(460), and a data line is formed on the resultant substrate. A first transparent electrode(470) is formed on the source electrode and the drain electrode, and electrically connected to the source electrode and the drain electrode. A pixel electrode(500) is connected to the first transparent electrode.
摘要翻译：提供了一种LCD及其制造方法，以消除用于保护源极和漏极的钝化层的需要，从而通过形成透明电极来覆盖源电极和漏电极来简化制造过程。在基板（100）上形成具有栅极（410）和栅极线的栅极布线。在栅电极上形成有源层（430）。在所得基板上形成具有源电极（450），漏电极（460）和数据线的数据布线。第一透明电极（470）形成在源电极和漏电极上，并与源电极和漏电极电连接。像素电极（500）连接到第一透明电极。

52. 发明公开

KR1020060097381A 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060097381A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020050019678
申请日：2005-03-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배양호 , 정창오 , 오민석 , 이제훈 , 조범석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 박막 트랜지스터의 구동 특성을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 박막 트랜지스터 기판은 절연 기판, 절연 기판 상에 형성되며 게이트 라인 및 이와 연결된 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선, 게이트 배선을 커버하는 게이트 절연막, 게이트 전극과 대응하여 게이트 절연막 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성된 산화 방지층 및 게이트 절연막과 산화 방지층 상에 형성되고 데이터 라인, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 포함한다. 게이트 배선 및 데이터 배선은 인듐 산화물, 은 및 인듐 산화물이 순차적으로 적층된 3층막 구조를 갖는다. 따라서, 배선 저항을 감소시킴과 동시에 박막 트랜지스터의 구동 특성을 향상시킬 수 있다.

53. 发明公开

KR1020060090352A 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060090352A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050011136
申请日：2005-02-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 정창오 , 석준형 , 김진관 , 배양호 , 조범석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/458 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L51/0021
摘要： 본발명은 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법에 관한 것이다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 알루미늄층과, 상기 알루미늄층 상에 위치하며 상기 알루미늄층 두께의 10 내지 40%의 두께를 가지는 상부 몰리브덴층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 알루미늄 배선에서 발생하는 힐록을 감소시킬 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。根据本发明的薄膜晶体管基板包括铝层和位于该铝层上并具有该铝层厚度的10至40％的厚度的上部钼层。因此，可以减少在铝布线中产生的小丘。

54. 发明公开

KR1020060081470A 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법 无效
公开(公告)号：KR1020060081470A
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020050001797
申请日：2005-01-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배양호 , 이제훈 , 조범석 , 정창오
IPC分类号： G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/124
摘要： 본발명은, 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법에 관한 것이다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 하부 알루미늄층과, 상기 하부 알루미늄층 상에 형성되어 있는 질화 알루미늄층과, 상기 질화 알루미늄층 상에 형성되어 있는 상부 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 알루미늄 배선에서 발생하는 힐록을 감소시킬 수 있다.

55. 发明公开

KR1020060073739A 박막트랜지스터 기판 无效
标题翻译： TFT基板
公开(公告)号：KR1020060073739A
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：KR1020040112125
申请日：2004-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조범석 , 배양호 , 정창오 , 이제훈
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136286 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： 본발명은, 박막트랜지스터 기판에 관한 것이다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선은 알루미늄(Al)-스칸디움(Sc)-니켈(Ni) 합금층을 포함하여 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 비저항이 낮으면서도 내힐록 특성과 투명전도막과의 접촉특성이 우수한 배선을 포함하는 박막트랜지스터 기판이 제공된다.

56. 发明公开

KR1020060028517A 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1020060028517A
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：KR1020040077495
申请日：2004-09-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 배양호 , 조범석 , 정창오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 상부에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 게이트선 또는 데이터선 중 적어도 하나는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제1 도전막과, 제1 도전막 위에 형성되어 있으며 제1 도전막보다 상대적으로 압축력을 가지는 제2 도전막을 포함한다.
알루미늄, 배선, 힐록, 몰리브덴, 박막트랜지스터

57. 发明公开

KR1020060023394A 식각액, 이를 이용한 신호선의 제조 방법, 신호선을포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：蚀刻剂，使用蚀刻剂形成信号线的方法，包括信号线的薄膜晶体管阵列面板和制造面板的方法
公开(公告)号：KR1020060023394A
公开(公告)日：2006-03-14
申请号：KR1020040072222
申请日：2004-09-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 배양호 , 조범석 , 정창오
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1259
摘要： 절연 기판 위에 알루미늄의 하부막과 몰리브덴의 상부막을 차례로 적층하고 표면 질화 처리를 실시하여 몰리브덴 질화막을 형성한 다음, 식각액으로 상부막과 하부막을 패터닝하여 게이트선을 형성한다. 이를 통하여 게이트선이 단선되는 것을 방지할 수 있으며, 균일한 모양으로 패터닝할 수 있다. 이어, 게이트선을 덮는 게이트 절연막 상부에는 반도체를 형성하고, 몰리브덴의 단일막 또는 Al/Mo/Al 구조의 삼중막을 적층한 다음 표면 질화 처리를 실시하여 몰리브덴 질화막을 형성한 다음 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선 및 데이터선과 분리되어 있는 드레인 전극을 형성한다. 이어, 데이터선 및 드레인 전극과 이들 사이에서 드러난 반도체층을 덮는 보호막을 형성하고, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 형성한다.
몰리브덴, 알루미늄, 게이트선, 질소, 질화처리

58. 发明公开

KR1020060015930A 액정 표시 장치의 게이트 배선 제조 방법 无效
标题翻译：制造液晶显示装置的栅极接线方法
公开(公告)号：KR1020060015930A
公开(公告)日：2006-02-21
申请号：KR1020040064322
申请日：2004-08-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배양호 , 정창오 , 이제훈 , 조범석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
摘要： 액정 표시 장치의 게이트 배선 제조 방법이 제공된다. 액정 표시 장치의 게이트 배선 제조 방법은, 먼저, 기판 상부에 금속 슬러리를 충진시킨다. 다음, 게이트 배선 형태의 개구부를 갖는 마스크 패턴을 상기 기판 하부에 마련한다. 이어, 상기 기판 하부에 외부로부터의 열을 방사하여, 상기 마스크 패턴에 의해 가려지지 않은 기판 상부의 금속 슬러리의 금속 성분이 응착되도록 하여 게이트 배선을 형성한다. 이때, 상기 게이트 배선의 표면을 전해 연마 방법을 사용하여 평탄화하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
액정 표시 장치, 게이트 배선, 금속 슬러리, 전해 연마

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