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    • 54. 发明公开
    • 성막 방법 및 성막 장치
    • 成膜方法和成膜装置
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    • 피처리체의 표면에 피막을 형성하는 성막 방법으로서, 챔버내에 상기 피막의 모재를 이루는 타겟과 상기 피처리체를 대향 배치하고, 상기 타겟의 스퍼터링면에서 상기 피처리체의 피성막면을 향해 소정 간격으로 수직인 자력선이 국소적으로 지나가는 자기장을 발생시키면서, 상기 챔버내에 스퍼터링 가스를 도입하여 상기 챔버내에서의 가스압을 0.3Pa이상 10.0Pa이하의 범위로 제어함과 동시에 상기 타겟에 음의 직류 전압을 인가함으로써 상기 타겟과 상기 피처리체간의 공간에 플라즈마를 발생시키고, 상기 타겟을 스퍼터링함으로써 생긴 스퍼터링 입자의 비상 방향을 제어하면서 상기 스퍼터링 입자를 상기 피처리체에 유도하여 퇴적시켜 상기 피막을 형성한다.
    • 垂直的膜为对象片的表面上形成膜的形成方法,设置在目标和对象片在腔室形成所述膜的基体材料,和所述靶的溅射表面相对以预定距离朝向对象物进行膜形成的物体的表面 的磁力线是通过在同时产生磁场通过局部施用中的气体压力的负的直流电压,通过将溅射气体引入腔室,所述腔室,并在同一时间控制0.3Pa的或小于10.0Pa的范围内的目标 沉积,以产生在目标和工件之间的空间中的等离子体,而控制由溅射的溅射粒子的方向紧急所述目标导出所述对象上的溅射粒子将被处理以形成膜。