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41. 发明授权

KR102021401B1 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102021401B1
公开(公告)日：2019-11-04
申请号：KR1020120095668
申请日：2012-08-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이요셉
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/402 , G11C11/406

42. 发明授权

KR102026027B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102026027B1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：KR1020180065380
申请日：2018-06-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 사이또도시히꼬 , 마쯔자끼다까노리 , 나가쯔까슈헤이 , 이노우에히로끼
IPC分类号： G11C11/409 , G11C11/406 , H01L27/11524 , H01L27/11536

43. 发明授权

KR101998287B1 반도체 장치의 리프레쉬 제어 회로 有权
公开(公告)号：KR101998287B1
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：KR1020120125570
申请日：2012-11-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임종만
IPC分类号： G11C7/22 , G11C11/406

44. 发明授权

KR101993794B1 메모리 장치, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101993794B1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：KR1020120063916
申请日：2012-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기흥 , 정인철
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/406

45. 发明授权

KR101962874B1 메모리 장치, 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR101962874B1
公开(公告)日：2019-03-27
申请号：KR1020120042413
申请日：2012-04-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서은성 , 박철우 , 황홍선
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408

46. 发明授权

KR101954502B1 메모리 셀들의 어레이에 저장된 극치 값을 식별하기 위한 장치들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR101954502B1
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：KR1020167013095
申请日：2014-10-07
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 윌러,카일비.
IPC分类号： G11C11/4094 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C7/06 , G11C7/10 , G11C7/12

47. 发明授权

KR101948900B1 주기신호생성회로 有权
公开(公告)号：KR101948900B1
公开(公告)日：2019-02-18
申请号：KR1020120056372
申请日：2012-05-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김동균
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4074

48. 发明授权

KR101948899B1 주기신호생성회로 有权
公开(公告)号：KR101948899B1
公开(公告)日：2019-02-18
申请号：KR1020120056370
申请日：2012-05-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김동균
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4074

49. 发明授权

KR101923504B1 반도체 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR101923504B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020120114867
申请日：2012-10-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김영란 , 박재범
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/10 , G11C11/4074 , G11C11/406 , G11C11/4096 , G11C29/50
摘要： 본기술에따른반도체메모리장치는복수의리드라이트모드신호에응답하여제 1 감지신호를생성하고, 복수의액티브프리차지모드신호에응답하여제 2 감지신호를생성하며, 리프레쉬모드신호및 테스트모드신호에응답하여제 3 감지신호를생성하는모드감지부; 상기제 1 감지신호, 상기제 2 감지신호및 상기제 3 감지신호에응답하여전원제어신호를생성하는전원공급제어부; 및상기전원제어신호에응답하여액티브대기상태에서소모되는전류를출력하는전원생성부를포함한다.

50. 发明授权

KR101891776B1 메모리의 재충전 동작 제어를 통한 소모전류 절감 방법 및 그 장치 有权
公开(公告)号：KR101891776B1
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：KR1020120001351
申请日：2012-01-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이창헌
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/406
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/40622
摘要： 본발명은메모리의재충전(refresh) 동작제어를통한소모전류절감방법및 그장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른부분적인재충전동작수행이가능한메모리를포함하는장치의재충전(refresh) 동작제어를통한소모전류절감방법은, 상기메모리에로딩(loading)된데이터를제1 데이터와제2 데이터로분류하는단계; 기설정된시간동안상기제1데이터에대한접근이감지되지않는경우, 상기메모리를제1 영역과제2 영역으로분리하여구성하는단계; 상기제1 데이터는상기제1 영역에, 상기제2 데이터는상기제2 영역에각각구분하여배치하는단계; 상기메모리가재충전되도록설정된시간이도래하는경우, 상기제2 영역에대해서재충전동작을수행하여데이터를유지하는단계; 및상기제1데이터에대한접근감지이감지되는경우, 상기제1 데이터를상기메모리에로드(load)하는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 메모리의일부영역에대해서만재충전동작을수행하여재충전에필요한전류의소비를줄여소모전류를절감하고배터리사용시간을증가시킬수 있다.

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