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41. 发明授权

KR100580651B1 프로브를 이용한 정보저장시스템의 위치오차 검출 장치 및방법, 이를 이용한 정보저장시스템의 정보 추종 장치 및방법 失效
标题翻译：基于探针的数据存储系统中的位置误差检测装置和方法，数据跟踪装置及其使用方法
公开(公告)号：KR100580651B1
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：KR1020040040323
申请日：2004-06-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 민동기 , 홍승범
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G11B9/1454 , B82Y10/00
摘要： 본 발명은 프로브를 이용한 정보저장시스템의 위치오차 검출 장치 및 방법, 이를 이용한 정보저장시스템의 정보 추종 장치 및 방법에 관한 것으로서, 그 위치오차검출장치는 프로브에 의해 독출된 신호로부터 프로브의 위치오차를 분해하는 위치오차분해부; 검출된 위치오차를 소정의 시간 단위로 합산하는 위치오차 합산부; 및 합산된 이전 시간단위의 위치오차를 저장하고 있으며, 이전 시간단위의 위치오차와 현재 시간단위의 위치오차를 신호처리하여 프로브의 위치오차를 생성하는 신호처리부를 포함함을 특징으로 한다. 그 정보추종장치는 정보저장매체를 이동시키는 스캐너; TM캐너에 의해 이동되는 정보저장매체로부터 정보를 독출하는 프로브; 프로브에 의해 독출된 신호로부터 프로브의 위치오차를 분해하는 소정의 오차분해신호를 인가하여 오차분해신호의 반주기 단위마다 프로브의 위치오차를 검출하는 오차검출기; 및 검출된 위치오차를 보상하는 보상기를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기존의 정보 추종 원리와 달리 특수한 추출 신호를 이용하여 매우 정확한 패턴 필요 없이 외부 외란에 의해 발생하는 각 축 성분의 오차 성분을 연속적으로 검출할 수 있으므로 간단한 제어기를 통하여 정보 중심 위치와 기록/재생 시점과 쉽게 동기화시킬 수 있으며 트랙오차를 쉽게 보상할 수 있다.

42. 发明公开

KR1020060031910A 표면 플라즈몬파를 이용한 피라미드 형상의 근접장 탐침 失效
标题翻译：使用表面等离子体波形的PYRAMID型近场
公开(公告)号：KR1020060031910A
公开(公告)日：2006-04-14
申请号：KR1020040080876
申请日：2004-10-11
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 렙척,아나톨리 , 정호섭 , 신동익
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G01Q60/22 , G01Q80/00 , G11B7/1387
摘要： Disclosed herein is a pyramid-shaped near field probe which forms and changes a near field at the aperture of the probe. The pyramid-shaped near field probe of the present invention includes a probe body and metal films. The probe body is constructed in the form of a pyramid using a semiconductor process using a dielectric member and receives an electromagnetic wave. The metal films are symmetrically coated on two predetermined sides of four sides of the probe body while being spaced apart from each other. The pyramid-shaped near field probe allows a surface plasmon wave induced on the surfaces of the metal films due to the electromagnetic wave to progress to the aperture of the probe body through the boundary surface between the probe body and the metal films.

43. 发明公开

KR1020060015394A 프로브를 이용한 정보저장시스템의 프로브 위치오차 검출방법 및 장치 失效
标题翻译：基于探测的数据存储系统中的位置错误检测方法和设备
公开(公告)号：KR1020060015394A
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：KR1020040064123
申请日：2004-08-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 민동기 , 홍승범
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G11B5/59605 , B82Y10/00 , G11B5/59627 , G11B9/14 , G11B9/1454 , G11B20/1426 , Y10S977/947
摘要： Provided is a probe position error detecting method and apparatus in a probe-based data storage system. The method includes: preparing servo codes, which are Gray codes, whose Hamming distance is 1 and satisfy an alternately existing condition for Q (a natural number) and Q+1, which are the numbers of '1' bits of codewords of the Gray codes; and detecting a probe position error from a signal read by a servo probe when the servo probe consecutively scans '1' bits of codewords of the servo codes when tracking. The apparatus includes: a plurality of servo probes; a tracking condition checker that, when servo codes, which are Gray codes, whose Hamming distance is 1 and satisfy an alternately existing condition for Q (a natural number) and Q+1, which are the numbers of '1' bits of codewords of the Gray codes, are prepared, checks a tracking condition that the servo probes consecutively scan '1' bits of codewords of the servo codes when tracking; a plurality of position error detectors that correspond to the plurality of servo probes, respectively, and detect probe position errors from signals read by the plurality of servo probes; and an average position error calculator that calculates a mean value of position errors corresponding to servo probes, which consecutively scanned '1' bits, determined by the tracking condition checker among the position errors detected by the plurality of position error detectors. Accordingly, probe position errors can be detected with a stable noise characteristic using a less number of probes.

44. 发明公开

KR1020060007641A 캔틸레버 전사를 이용한 나노 정보 저장장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：使用CANTILEVER传输的NANO数据写入和读取装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060007641A
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020040056495
申请日：2004-07-20
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 남효진 , 김영식
IPC分类号： G11B9/14 , G01Q60/00 , B82Y10/00
CPC分类号： G11B9/1409 , B82Y10/00 , Y10T29/49083
摘要： 본 발명은 열-기계 방식의 나노 정보 저장장치와 열-압전 방식의 나노 정보 저장장치의 실리콘 캔틸레버의 내구성과 성능을 높이며 제조 공정을 획기적으로 줄인 캔틸레버 전사를 이용한 나노 정보 저장장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 종래 캔틸레버 전사를 이용한 나노 정보 저장장치 및 그 제조 방법은 캔틸레버 배열 구조물을 SOI 웨이퍼 상에 형성하므로 캔틸레버의 두께에 편차가 발생하고 실리콘으로 형성된 탐침이 쉽게 마모되어 신뢰성을 유지하기 어려운 문제가 있으며, 캔틸레버 배열 웨이퍼를 형성하고 신호전달 회로부 웨이퍼와 접합하는 공정에서 두번의 웨이퍼 레벨 접합 공정이 필요하기 때문에 공정이 복잡하고 수율이 낮아지며 비용이 높아지는 문제점이 있었다. 또한, 에피-실리콘이 있는 SOI 웨이퍼를 사용하는 경우 캔틸레버의 두께 편차는 줄일 수 있지만, 비용이 크게 높아지며 탐침의 마모에 의한 문제는 여전히 남아있는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판 상에 화학 기상 증착 방법으로 증착된 균일한 두께의 실리콘 질화막을 이용하여 캔틸레버층과 탐침을 동시에 형성하도록 하여 캔틸레버 두께와 탐침의 높이를 균일하게 하고 탐침의 내구성을 높이며, 다결정 실리콘으로 히터와 플랫폼을 형성하도록 하여 캔틸레버 배열 기판을 접합 공정 없이 형성함으로써 공정 용이성을 높이도록 할 뿐만 아니라, 열을 이용하여 기록하고 압전센서를 이용하여 재생하는 캔틸레버 배열 구조물을 형성하는 경우에도 본 발명을 적용하도록 함으로써, 캔틸레버의 두께 균일도를 높이고 탐침 형상의 정밀도 및 내구성을 높일 수 있는 것 은 물론이고 웨이퍼 레벨 접합 공정을 최대한 억제하여 공정 용이성 및 제조 비용을 크게 줄이는 효과가 있다.

45. 发明授权

KR100520631B1 나노스케일 디지털 데이터 저장 장치 失效
标题翻译：纳斯达克数字存储设备
公开(公告)号：KR100520631B1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：KR1020030050628
申请日：2003-07-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 비.페트린안드레이
IPC分类号： G11B9/14 , B82Y10/00
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1445 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/007 , G11B2005/0021
摘要： 본 발명에 따른 나노스케일 디지털 데이터 저장 장치는 기판 상에 디지털 데이터가 기록/독취되는 폴리머 층이 적층된 저장 매체와; 그 일단이 기판에 고정되며, 인가된 전류에 따라 발열하는 팁이 그 자유단에 형성된 캔틸레버가 복수 배열된 칩을 포함하며, 데이터 기록시에 상기 칩 상의 팁들은 상기 저장 매체 상의 고정된 비트 포지션들에 정렬된 상태로 상기 저장 매체와 접촉하며, 상기 칩은 '1'을 기록할 시에 해당 캔틸레버에 상대적으로 낮은 전류를 인가하고, '0'을 기록할 시에 해당 캔틸레버에 상대적으로 높은 전류를 인가한다.

46. 发明授权

KR100513662B1 캔틸레버의 제조방법 失效
标题翻译：制造悬臂的方法
公开(公告)号：KR100513662B1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：KR1020030062508
申请日：2003-09-08
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 남효진
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G01Q60/38 , G01Q80/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B2005/0021 , H01L41/0946
摘要： 본 발명은 캔틸레버의 제조방법에 관한 것으로, 제 1과 2 실리콘 웨이퍼들을 각각 준비하고, 상기 제 1 실리콘 웨이퍼의 상, 하부에 실리콘 질화막을 형성하며, 상기 제 2 실리콘 웨이퍼의 상, 하부에 실리콘 산화막을 형성하는 제 1 단계와; 상기 제 1 실리콘 웨이퍼와 제 2 실리콘 웨이퍼를 접합하는 제 2 단계와; 상기 제 1 실리콘 웨이퍼의 상부 실리콘 질화막과 제 1 실리콘 웨이퍼을 연마공정을 수행하여 상기 상부 실리콘 질화막은 제거하고, 상기 제 1 실리콘 웨이퍼는 일정두께(t)만 남기고 제거하는 제 3 단계와; 상기 제 1 실리콘 웨이퍼에서 팁의 형상을 패턴닝하고, 실리콘을 식각하여 팁을 형성하는 제 4 단계와; 상기 제 2 실리콘 웨이퍼의 하부 실리콘 산화막을 제거하고, 상기 제 2 실리콘 웨이퍼과 상부 실리콘 산화막의 일부를 식각하여 실리콘 질화막을 부상시켜, 지지대와 이 지지대에서 연장되어 부상된 캔틸레버부를 형성시키는 제 5 단계를 수행하여 원자현미경 및 탐침형 정보저장장치용 캔틸레버를 제조한다.
따라서, 본 발명은 본 발명은 실리콘 질화막으로 형성된 캔틸레버 부와 실리콘 팁으로 구성된 캔틸레버를 제조함으로써, 원자현미경 및 탐침형 정보저장장치용 캔틸레버의 두께 균일성을 크게 향상시키며, 잔류 응력이 매우 낮고 기계적인 특성이 우수한 캔틸레버를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 실리콘 질화막 상부에 압저항 센서와 압전 엑튜에이터가 집적화된 캔틸레버를 제조할 수 있어, 종래의 실리콘을 이용한 자체 구동형 캔틸레버의 압저항 센서와 압전 엑튜에이터 사이의 전기적인 커플링(Coupling) 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.

47. 发明公开

KR1020050083759A 고밀도 데이타 저장용 원자 프로브 및 매체 无效
标题翻译：相变化介质用于高密度数据存储
公开(公告)号：KR1020050083759A
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020057006388
申请日：2003-10-15
申请人： 나노칩 인코포레이티드
发明人： 러스트토마스에프.
IPC分类号： G11B9/14 , G11B7/004 , G11B7/0045
CPC分类号： G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/065 , G11B9/149
摘要： A media device in accordance with embodiments of the present invention can provide high density data storage. In one embodiment such a media device can include a phase change media having altered resistivity where data is written to the media. The media can include an overcoat to reduce physical damage inflicted on the media from a device such as a cantilever tip in a molecular memory integrated circuit used to write to or read from the media. Data written to the media can be exist in multiple states (for example having multiple resistivity measurements), allowing digital and/or analog data to be stored on the media. Other objects, aspects and advantages of the invention can be obtained from reviewing the figures, specification and claims. This description is not intended to be a complete description of, or limit the scope of, the invention.
摘要翻译：根据本发明的实施例的媒体设备可以提供高密度数据存储。在一个实施例中，这种媒体设备可以包括具有改变的电阻率的相变介质，其中数据被写入介质。介质可以包括外涂层，以减少在用于写入或从介质读取的分子存储器集成电路中的诸如悬臂尖端的装置对介质造成的物理损伤。写入介质的数据可以以多种状态存在（例如具有多个电阻率测量），允许将数字和/或模拟数据存储在介质上。本发明的其它目的，方面和优点可以通过阅读附图，说明书和权利要求来获得。本说明书不是对本发明的完整描述或限制本发明的范围。

48. 发明公开

KR1020050049859A 정보 저장 장치 및 그 정보 추종 방법 失效
标题翻译：数据存储设备及其跟踪方法
公开(公告)号：KR1020050049859A
公开(公告)日：2005-05-27
申请号：KR1020030083615
申请日：2003-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 민동기 , 홍승범
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1418 , G11B9/1454
摘要： 본 발명은 정보 저장 장치의 정보 추종에 관한 것이다. 정보를 기록 또는 제거될 수 있는 정보 저장 매체, 상기 정보 저장 매체 상을 스캔하며 정보를 검출하는 복수 개의 프로브, 상기 정보 저장 매체 또는 프로브를 구동하는 스캐너 및 상기 스케너에 제어 신호를 인가하는 제어부를 포함하는 정보 저장 장치의 정보 추종 방법에 있어서, (가) 프로브 또는 기록 매체를 진동시키는 단계; (나) 상기 진동에 의한 상기 프로브의 기록 매체 상에서의 경로 오차를 검출하는 단계; 및 (다) 상기 경로 오차에 대응하여 상기 프로브의 상기 정보 저장 매체 상에서의 스캔닝 위치를 보정하는 단계;를 포함하는 정보 저장 장치의 정보 추종 방법 및 장치를 제공한다. 이에 의해 간단한 보상 알고리즘으로 정보 저장 매체에서 정보를 기록하거나 재생하는 경우 높은 신뢰성을 확보할 수 있다

49. 发明公开

KR1020050032795A 나노 정보 저장 장치용 전도도 변화형 캔틸레버 및 그의제조 방법 失效
标题翻译：可变电导率型号及其制造方法，用于纳米数据存储器件
公开(公告)号：KR1020050032795A
公开(公告)日：2005-04-08
申请号：KR1020030068760
申请日：2003-10-02
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김영식
IPC分类号： G11B9/14 , G01Q60/00 , B82Y10/00
摘要： A variable conductivity type cantilever and a method of manufacturing the same for a nano data storage device are provided to write and read a data smoothly without a complex configuration such as a lock-in-amp in the nano storage device by adopting the cantilever of the variable conductivity type. A variable conductivity type cantilever comprises a supporting portion(180), a cantilever(160), a tip(140), a first and a second signal line(151,152). The cantilever is elongated from the supporting portion and come up. The tip is formed in a proceeding end of the cantilever and lowly doped. The first and second signal lines are formed in the supporting portion and the cantilever positioning in both sides of the tip and highly doped.
摘要翻译：提供一种可变导电型悬臂及其制造方法，用于在纳米储存装置中通过采用悬臂式悬臂式平滑地写入和读取数据，而不需要复杂的配置，例如锁定放大器可变导电类型。可变导电型悬臂包括支撑部分（180），悬臂（160），尖端（140），第一和第二信号线（151,152）。悬臂从支撑部分伸长并升起。尖端形成在悬臂的前端，低掺杂。第一和第二信号线形成在支撑部分中，并且悬臂在尖端的两侧定位并且高度掺杂。

50. 发明公开

KR1020030084156A 커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법 失效
标题翻译：使用电容变化播放信息的装置和方法
公开(公告)号：KR1020030084156A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：KR1020020022705
申请日：2002-04-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍승범 , 신현정
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/1445 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/007 , G11B11/08 , G11B2005/0021
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for playing information using capacitance change are provided to reproduce information by sensing increase and decrease in capacitance from electrostatic force, thereby simplifying a structure of the apparatus and reducing the manufacturing cost. CONSTITUTION: A tip supported by a free end of a conductive cantilever is contacted to a predetermined position of a recording medium(S10). Electrostatic force is generated by applying voltage to the tip and the recording medium(S20). The electrostatic force is measured by an electrostatic force measuring unit(S30). Capacitance of the recording medium at the predetermined position is decided from the measured electrostatic force(S40). Based on the volume of the decided capacitance, information recorded on the recording medium is reproduced(S50).
摘要翻译：目的：提供使用电容变化来播放信息的装置和方法，以通过感测静电力的电容的增加和减小来再现信息，从而简化了装置的结构并降低了制造成本。构成：由导电悬臂的自由端支撑的尖端与记录介质的预定位置接触（S10）。通过向尖端和记录介质施加电压来产生静电力（S20）。静电力由静电力测量单元测量（S30）。根据测量的静电力确定记录介质在预定位置的电容（S40）。基于所确定的电容的体积，再现记录在记录介质上的信息（S50）。

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