专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明公开

KR20210008189A 금속산화물 나노복합체의 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20210008189A
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：KR20190083068
申请日：2019-07-10
IPC分类号： C01B32/168 , C01G19/00 , H01M4/86 , H01M4/90
摘要： 본발명은금속산화물전구체및 탄소나노구조체를포함하는혼합용액을준비하는단계; 및상기혼합용액에레이저를조사하여상기탄소나노구조체표면에금속산화물을형성하여금속산화물나노복합체를합성하는단계; 를포함하는금속산화물나노복합체의제조방법에대한것이다.

42. 发明公开

KR20180033207A 금속 산화물 나노 결정의 제조 방법, 다원소 산화물 나노 결정의 제조 방법 및 금속 산화물 나노 결정 审中-公开
标题翻译：用于生产金属氧化物的纳米晶体，该制造方法和元件氧化物纳米晶体的金属氧化物纳米晶体的方法
公开(公告)号：KR20180033207A
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR20187003602
申请日：2016-07-22
IPC分类号： C01G19/00 , B01F13/00 , C01B13/14 , C01F17/00
CPC分类号： C01G15/00
摘要： 본발명의실시형태에관한금속산화물나노결정의제조방법은, 비극성용매중에용해한 1종류이상의나노결정전구체를포함하는 1 또는복수의나노결정전구체용액을연속적으로연속류로중에흘리고, 세그먼트화가스를상기연속류로에보내서, 세그먼트화반응류를형성하고, 상기세그먼트화반응류를열처리장치중에흘리고, 상기열처리장치에있어서, 상기세그먼트화반응류를가열하고, 그것에따라서생성물류를형성하고, 상기생성물류로부터금속산화물나노결정을수집하는것을포함하는, 금속산화물나노결정의제조방법이다.
摘要翻译：在本发明的实施方式的金属氧化物纳米晶体的制造方法中，过程中，分段的气体连续地在含有纳米晶体前体中的至少溶解1种非极性溶剂连续的一个或多个纳米晶体前体溶液脱落其中气化反应流通过连续流道形成分段反应流，分段反应流流入热处理装置加热分段反应流，并从产物流中收集金属氧化物纳米晶体。

43. 发明授权

KR101790885B1 리튬 이온 전지용 애노드 소재 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：锂离子电池用阳极材料及其制造方法
公开(公告)号：KR101790885B1
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020160085946
申请日：2016-07-07
申请人： 공주대학교 산학협력단
发明人： 윤수근
IPC分类号： C01B33/02 , C01B31/02 , C01G17/00 , C01G19/00 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38
摘要： 본발명은, 충전-방전싸이클과정에서충전용량의저하를방지할수 있는리튬이온전지용애노드소재및 그제조방법을제공한다. 본발명의일실시예에따른리튬이온전지용애노드소재의제조방법은, 실리콘나노입자를준비하는단계; 유기용매에질소함유물이혼합된혼합용액을준비하는단계; 상기실리콘나노입자를상기혼합용액에투입하여교반하여혼합물을형성하는단계; 상기혼합물을공기중에서예비건조하여상기유기용매가제거된슬러리를형성하는단계; 및상기슬러리를불활성분위기에서열처리하여질소가도핑된탄소코팅층을가지는실리콘나노입자들을형성하는단계;를포함한다.
摘要翻译：本发明公开了一种用于锂离子电池的负极材料以及该负极材料的制造方法，该负极材料能够防止在充放电循环过程中充电容量降低。根据本发明实施方式的制造用于锂离子电池的阳极材料的方法包括：制备硅纳米颗粒; 制备其中有机溶剂与含氮材料混合的混合溶液; 将硅纳米粒子添加到混合溶液中并搅拌以形成混合物; 将混合物在空气中预干燥以形成浆液，从中除去有机溶剂; 并且在惰性气氛中热处理浆料以形成具有氮掺杂碳涂层的硅纳米颗粒。

44. 发明授权

KR101795194B1 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR101795194B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020157016705
申请日：2013-12-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 모리타신야 , 오치모토타카 , 고토히로시 , 구기미야도시히로 , 히로세겐타
IPC分类号： H01L29/786 , C01G19/00
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/32134 , H01L21/44 , H01L21/46 , H01L21/465 , H01L29/66969 , H01L29/78636 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 에치스토퍼층을갖지않는백 채널에치형 TFT로서, TFT의산화물반도체층이, 소스-드레인전극형성시에사용하는산 에칭용액에대한내성이우수하고, 또한스트레스내성이우수한 TFT를제공한다. 해당 TFT는, 산화물반도체층이, Sn 및 In, 및 Ga와 Zn 중적어도 1종과, O로구성되는제 1 산화물반도체층과, In, Zn, Sn 및 Ga로이루어지는군으로부터선택되는 1 이상의원소와, O로구성되는제 2 산화물반도체층을갖는적층체이고, 상기게이트절연막, 상기제 2 산화물반도체층, 상기제 1 산화물반도체층의순으로형성되고, 또한박막트랜지스터의적층방향단면에있어서, [100×(소스-드레인전극끝 직하의제 1 산화물반도체층의막 두께-제 1 산화물반도체층중앙부의막 두께)/소스-드레인전극끝 직하의제 1 산화물반도체층의막 두께]에의해구해지는값이, 5% 이하인점에특징을갖는다.
摘要翻译：作为不具有蚀刻阻挡层的背沟道TFT的TFT氧化物半导体层提供了对用于形成源 - 漏电极的酸蚀刻溶液具有优良耐受性并且耐应力性优异的TFT。的TFT具有的氧化物半导体层，Sn和In和Ga和Zn从第一物质和第一氧化物半导体层选择普遍至少一种或多种元素，和由In组成的组中，锌，锡和Ga自由O 并且，具有由O的第二氧化物半导体层的叠层，形成作为栅极绝缘膜，所述第二氧化物半导体层，所述半导体层的所述第一氧化物顺序，在薄膜晶体管的横截面的层叠方向，变得萨尔通过[100×（源 - 半导体层中心的漏电极尖端直第一氧化物膜厚度的第一氧化物半导体层的厚度）正下方的漏电极尖的第一氧化物半导体层的/源膜厚度; 价值小于或等于5％。

45. 发明授权

KR101729366B1 ＩＴＯ 분말 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： ITO粉末及其制造方法
公开(公告)号：KR101729366B1
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020130095588
申请日：2013-08-12
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 요네자와다케히로 , 야마사키가즈히코 , 다케노시타아이
IPC分类号： C01G15/00 , C01G19/00 , B22F9/06
摘要： 분말상태에서의후처리를필요로하지않고 ITO 분말의압분체에있어서종래보다낮은체적저항률을얻는다. 본발명의 ITO 분말은, X 선회절장치에부속되는시료홀더에시료가되는 ITO 분말을충전하여 2θ = 15 ∼ 90 deg 의범위에서 X 선을조사하고, 얻어진회절선으로부터격자정수, 결정자사이즈, 격자변형의정밀화를실시한결과, 얻어진격자변형이 0.2 ∼ 0.8 의범위에있다.
摘要翻译：无需后处理eseoui粉末，以获得较低的体积电阻率比ITO粉末的生坯的现有技术。本发明的ITO粉末，X射线的ITO粉末充电至与2θ=的范围内15〜90度的衍射仪供给，并与来自上述X射线，从所获得的衍射线的晶格常数，微晶尺寸，晶格照射的样本保持器的示例作为精确变形的结果，所得的晶格应变在0.2至0.8的范围内。

46. 发明公开

KR1020160056387A 나트륨 이온전지용 Ｓｎ－Ｐ계 음극 활물질 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包含用于无铅电池的SN-P系统的阳极活性材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160056387A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140155591
申请日：2014-11-10
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박금재 , 이상민 , 심성주
IPC分类号： H01M4/58 , H01M10/054 , C01B25/08 , C01G19/00
摘要： 충방전사이클특성이향상된나트륨이차전지용 SnP계음극활물질의제조방법에관한것이다. 본발명은 Sn 소스와 P 소스를혼합하는단계; 혼합물을기계적밀링하는단계; 및상기기계적밀링된혼합물을열처리하여 SnP를포함하는 Sn-P계복합체를합성하는단계를포함하는 Sn-P계나트륨이온전지용활물질의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, Sn-P계활물질을복합재로구성함으로써높은용량을구현하고충방전사이클에서의체적변화를감소시킬수 있게되며, 이에따라충방전사이클특성이우수한 Sn-P계음극활물질을제공할수 있게된다.
摘要翻译：公开了一种用于钠离子电池的Sn-P基阳极活性材料及其制造方法。根据本发明，用于钠离子电池的Sn-P基阳极活性材料包括以下步骤：将Sn源和P源彼此混合; 机械研磨混合物; 并通过对机械磨碎的混合物进行热处理，合成包含SnP_0.94的Sn-P基络合物。根据本发明，Sn-P系活性物质包括在充放电循环中实现高容量并减小体积变化的配合物，使得Sn-P系活性物质具有优异的充放电循环特性可以提供。

47. 发明公开

KR1020150087411A 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150087411A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020157016704
申请日：2013-12-26
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 모리타신야 , 오치모토타카 , 고토히로시 , 구기미야도시히로 , 히로세겐타 , 다오히로아키 , 다카나시야스유키
IPC分类号： H01L29/786 , C01G19/00 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , C01G19/00 , H01L21/465 , H01L21/47635 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606
摘要： 에치스토퍼층을갖지않는백 채널에치형(BCE형)의박막트랜지스터(TFT)로서, TFT의산화물반도체층이, TFT 제조시의소스-드레인전극형성시에사용하는산 에칭용액에대한내성이우수하고, 또한스트레스내성이우수한박막트랜지스터를제공한다. 해당박막트랜지스터는, 기판상에적어도게이트전극, 게이트절연막, 산화물반도체층, 소스-드레인전극, 및상기소스-드레인전극을보호하는보호막을이 순서로갖고, 상기산화물반도체층은, Sn과, In, Ga 및 Zn으로이루어지는군으로부터선택되는 1종이상의원소와, O로구성되며, 박막트랜지스터의적층방향단면에있어서, [100×(소스-드레인전극끝 직하의산화물반도체층의막 두께-산화물반도체층중앙부의막 두께)/소스-드레인전극끝 직하의산화물반도체층의막 두께]에의해구해지는값이, 5% 이하인것을특징으로하는박막트랜지스터이다.
摘要翻译：（BCE型）薄膜晶体管（TFT），该薄膜晶体管的氧化物半导体层在制造TFT时耐受用于形成源 - 漏电极的酸蚀刻溶液并进一步提供耐应力性优异的薄膜晶体管。该薄膜晶体管至少具有栅极电极，栅极绝缘膜，氧化物半导体层，源极 - 漏极电极和保护膜，用于以该顺序保护衬底上的源极 - 漏极电极，，Ga和Zn以及O，并且[100×（源极 - 漏极正下方的氧化物半导体层的厚度与氧化物半导体的氧化物半导体层的厚度之比）该层中心的膜厚）/源极 - 漏极正下方的氧化物半导体层的厚度]为5％以下。

48. 发明授权

KR101488116B1 인듐주석 산화물 분말, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 조성물 有权
标题翻译：氧化铅粉末，其生产方法，透明导电组合物和氢氧化铟
公开(公告)号：KR101488116B1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020137000177
申请日：2010-10-25
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 , 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤
发明人： 시라이시신야 , 나루미메구미
IPC分类号： C01G19/00 , B22F9/00
CPC分类号： C01G19/00 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/12 , C01P2006/60 , C01P2006/62 , C01P2006/63 , C01P2006/64 , C03C17/008 , C03C2217/445 , C03C2217/476 , C09C1/00
摘要： 이 인듐주석 산화물 분말의 일 양태는, 비표면적이 55 ㎡/g 이상이고, 황금색 내지 주황색의 색조를 갖거나, 또는 X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이다. 인듐주석 산화물 분말의 다른 양태는, 표면 개질되어, 비표면적이 40 ㎡/g 이상이고, X 선 회절 차트의 (222) 면의 피크의 반값폭이 0.6°이하이고, 또한 농청색의 색조 (Lab 표색계에 있어서 L=30 이하) 를 갖는다. 이 인듐주석 산화물 분말의 제조 방법은, 2 가의 주석 화합물을 사용하고, pH 가 4.0 ∼ 9.3 이고, 액온이 5 ℃ 이상인 조건으로, 건조 분말 상태에서는 황금색 내지 주황색의 색조를 갖는 인듐주석 수산화물을 공침시키는 공정과, 상기 인듐주석 수산화물을 건조, 소성하는 공정을 갖는다.

49. 发明公开

KR1020140132623A 무기 리간드를 갖는 용액형 ITO 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包括无机配线的溶液型ITO及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140132623A
公开(公告)日：2014-11-18
申请号：KR1020130052088
申请日：2013-05-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 최추지 , 남기태 , 주영창 , 추아림
IPC分类号： B22F1/00 , B22F9/16 , C01G15/00 , C01G19/00
CPC分类号： B22F1/007 , B22F9/16 , B22F2302/25 , C01G15/00 , C01G19/02
摘要： 본 발명은 ITO 입자와; 상기 ITO 입자를 둘러싸고 아이오딘 함유 무기 리간드를 포함하는 용액형 ITO를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及ITO颗粒，特别涉及包含含碘无机配体的溶液型ITO及其制备方法。包含本发明的无机配体的溶液型ITO包括：ITO颗粒; 以及包围ITO颗粒并含有碘的无机配体。本发明的溶液型ITO通过包含无机配体而改善了导电性，降低了ITO颗粒之间的距离。

50. 发明公开

KR1020140085766A 리튬 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법, 이 음극 활물질을 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 无效
标题翻译：用于锂二次电池的负极活性材料的制备方法，包括负极材料的负极和包括其中的锂二次电池
公开(公告)号：KR1020140085766A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120155100
申请日：2012-12-27
申请人： 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
发明人： 박세민 , 도칠훈 , 김병주 , 김용중
IPC分类号： H01M4/58 , H01M4/1397 , C01G19/00 , H01M10/052
CPC分类号： C22C1/1026 , C22C19/07 , H01M4/133 , H01M4/362 , H01M4/587 , H01M10/0525 , Y02E60/122
摘要： The present invention relates to a method for producing a tin-based negative electrode active material for a lithium secondary battery, including: a step for producing a mixture by mixing a metallic salt solution, which is produced by adding stannous salt, cobalt salt, iron salt, and a carbon-based material to a solvent, with a reducing agent; a step for forming reducing agent/metal ion complex sol by agitating the mixture; a step for forming reducing agent/metal ion complex gel by performing heat treatment on the reducing agent/metal ion complex sol; and a process for plasticizing the reducing agent/metal ion complex gel.
摘要翻译：本发明涉及一种锂二次电池用锡系负极活性物质的制造方法，其特征在于，包括：通过混合金属盐溶液来制造混合物的工序，所述金属盐溶液通过添加亚锡盐，钴盐，铁盐和碳基材料与还原剂反应; 通过搅拌混合物形成还原剂/金属离子络合物溶胶的步骤; 通过对还原剂/金属离子络合物溶胶进行热处理来形成还原剂/金属离子络合物凝胶的工序; 以及还原剂/金属离子络合物凝胶的增塑方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式