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41. 发明公开

KR1020040025616A 고주파 부품 및 고주파 모듈 및 이들을 사용한 통신기 有权
标题翻译：高频分量，高频模块和使用它们的通信设备
公开(公告)号：KR1020040025616A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020030064540
申请日：2003-09-17
申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
发明人： 하야시겐지
IPC分类号： H04B1/44
CPC分类号： H04B1/0057 , H01P1/15 , H03H7/463 , H03H2001/0085 , H04B1/18 , H04B1/48 , H04B1/525
摘要： PURPOSE: A high-frequency component, a high-frequency module and a communication device using them are provided to minimize insertion loss in a fundamental frequency band and maximize harmonic attenuation in n-th frequency bands by composing a phase-adjusting circuit between a switch circuit and a high-frequency amplifying circuit. CONSTITUTION: A switch module part branches higher-frequency signals and lower-frequency signals and switches connection to transmitting systems and receiving systems. A phase-adjusting circuit is disposed between the switch module part and a high-frequency amplifying circuit module part. Phase matching between the switch module part and the high-frequency amplifying circuit module part via the phase-adjusting circuit is adjusted to conjugate matching in a fundamental frequency band, while it is adjusted in a nonconjugate matching range in n-th frequency bands.
摘要翻译：目的：提供高频部件，高频模块和使用它们的通信装置，以最小化基频带的插入损耗，并通过组合开关之间的相位调节电路来最大化第n个频带中的谐波衰减电路和高频放大电路。构成：开关模块部分分支更高频率信号和低频信号，并将连接切换到发射系统和接收系统。在开关模块部分和高频放大电路模块部分之间设置相位调整电路。通过相位调整电路将开关模块部分和高频放大电路模块部分之间的相位匹配调整为基本频带的共轭匹配，同时在第n个频带中以非共轭匹配范围进行调整。

42. 发明公开

KR1020020070112A 고주파회로 기판 및 그것을 이용한 고주파용 안테나스위치 모듈 失效
标题翻译：使用高频的高频电路板和天线开关模块
公开(公告)号：KR1020020070112A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020020010076
申请日：2002-02-26
申请人： 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드
发明人： 하야카와토시타카 , 카토다이스케
IPC分类号： H04B1/40
CPC分类号： H05K1/165 , H01P1/15 , H05K1/0233 , H05K1/0237 , H05K1/181 , H05K3/4611 , H05K2201/1003
摘要： PURPOSE: A high frequency circuit board and an antenna switch module for a high frequency using the same are provided to decrease an accommodation capacity defined in a communication device and reduce an influence such as an interference by inductor elements. CONSTITUTION: An anode of the first diode(D1) is connected to a transmitting circuit(TX) via an LPF(Low-Pass Filter) through the first capacitor(C1). A node of the first diode(D1) and the first capacitor(C1) is grounded through a series circuit including the first inductor(L1) serving as a choke coil and the second capacitor(C2). A control terminal(VC) is connected to a part between the first inductor(L1) and the second capacitor(C2). A cathode of the first diode(D1) is connected to an antenna terminal(ANT) through the third capacitor(C3) at one side and to one end of the second inductor(L2) at the other side. The other end of the second inductor(L2) is connected to a receiving circuit(RX) through the fourth capacitor(C4). A node between the second inductor(L2) and the fourth capacitor(C4) is grounded through a series circuit including the second diode(D2) and the fifth capacitor(C5). The resistor(R1) is connected in parallel with the fifth capacitor(C5). The LPF connected between a high frequency switching circuit(SW) and the transmitting circuit(TX) has inductors(L3,L4) and capacitors(C6-C10).
摘要翻译：目的：提供一种高频电路板和使用该高频电路的高频天线开关模块，以减少通信装置中定义的容纳能力，并减少诸如电感器元件的干扰的影响。构成：第一二极管（D1）的阳极经由第一电容器（C1）的LPF（低通滤波器）连接到发送电路（TX）。第一二极管（D1）和第一电容器（C1）的节点通过包括用作扼流线圈的第一电感器（L1）和第二电容器（C2）的串联电路接地。控制端子（VC）连接到第一电感器（L1）和第二电容器（C2）之间的部分。第一二极管（D1）的阴极通过第三电容器（C3）在另一侧与第二电感器（L2）的一端连接到天线端子（ANT）。第二电感器（L2）的另一端通过第四电容器（C4）连接到接收电路（RX）。第二电感器（L2）和第四电容器（C4）之间的节点通过包括第二二极管（D2）和第五电容器（C5）的串联电路接地。电阻器（R1）与第五电容器（C5）并联连接。连接在高频开关电路（SW）和发送电路（TX）之间的LPF具有电感器（L3，L4）和电容器（C6-C10）。

43. 发明授权

KR100236298B1 반도체 스위치 구성을 갖는 반도체 장치 失效
标题翻译：具有半导体开关结构的半导体器件
公开(公告)号：KR100236298B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970034673
申请日：1997-07-24
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 미즈따니히로시
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01P1/15
摘要： 각각이 전계 효과 트랜지스터와 전송선로가 결합되어 구성된 복수의 단위 회로가 접속되고 직렬로 배열되고, 상기 단위 회로의 배열에 있어서, 각각의 단위 회로의 전송 선로의 총 길이가 사용하는 마이크로파 또는 밀리파의 파장의 적어도 1/16 보다 길고, 배열된 단위 회로의 수는 다수로 하여 상기 전송 선로가 분포 정수 선로로서의 기능을 갖도록 하는 반도체 스위치를 구성하는 반도체 장치에 관한 것이다.

44. 发明授权

KR101687940B1 무선 주파수 필터 또는 다이플렉서의 저손실 바이패스에 관한 시스템들, 회로들, 및 방법들 有权
标题翻译：与无线电频率滤波器或DIP DIPER的低损失旁路相关的系统电路和方法
公开(公告)号：KR101687940B1
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020167016630
申请日：2014-11-19
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 화이트필드,데이비드스콧 , 스토리,데이비드라이언 , 스리라타나,넛타퐁 , 에반스,대릴얼
IPC分类号： H01P1/10 , H01P1/15 , H01P11/00 , H04B1/00 , H01P1/20 , H01P1/213 , H01P5/12
CPC分类号： H01P5/16 , H01P1/10 , H01P1/15 , H01P1/20 , H01P1/213 , H01P5/12 , H01P11/00 , H04B1/00 , H04B1/401
摘要： 무선주파수(RF) 필터또는다이플렉서의저손실바이패스에관한시스템들, 회로들, 및방법들이개시된다. 일부실시예들에서, 스위칭네트워크회로는무선주파수(RF) 신호를수신하도록구성된입력폴, RF 컴포넌트로의 RF 신호의라우팅을허용하기위해입력폴에연결가능하도록구성된관통쓰로우, 및입력폴 및적어도하나의바이패스도전경로에연결가능하도록구성된적어도하나의전용바이패스쓰로우를갖는제1 스위치를포함할수 있다. 스위칭네트워크회로는폴 및쓰로우를갖고, RF 컴포넌트의출력과바이패스도전경로사이에연결가능한제2 스위치를더 포함할수 있다. 제1 스위치에서전용바이패스쓰로우(들)의사용은필터또는다이플렉서의저손실바이패스의구현을허용한다.
摘要翻译：公开了与射频（RF）滤波器或双工器的低损耗旁路相关的系统，电路和方法。在一些实施例中，交换网络电路可以包括具有被配置为接收射频（RF）信号的输入极的第一开关，被配置为可连接到输入极的直通通道以允许RF信号的路由至少一个专用旁路引脚，被配置为可连接到输入极和至少一个旁路传导路径。开关网络电路还可以包括具有极点和极点的第二开关，并且可连接在RF部件的输出和旁路传导路径之间。在第一个开关中使用专用旁路输出可以实现滤波器或双工器的低损耗旁路。

45. 发明公开

KR1020150128650A 무선 주파수 단극 쌍투형 스위치의 분리 및 삽입 손실 최적화 审中-实审
标题翻译：无线电频率单向双通道开关的优化隔离和插入损耗
公开(公告)号：KR1020150128650A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020157008170
申请日：2014-02-28
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 콕,욘-린
IPC分类号： H03H7/46 , H01P1/213 , H01P1/15 , H04B1/44
CPC分类号： H04B1/44 , H01P1/15 , H01P1/213 , H03H7/465
摘要： 단극쌍투형(SPDT) 스위치(200)는집적회로(IC) 상에제조되고, 그리고두 개의무선주파수(RF) 스위칭디바이스들(112, 114)을포함할수 있으며, 이들두 개의 RF 스위칭디바이스들각각은각각의 RF 스위칭디바이스들과공통노드(102) 사이에결합된별도의 DC 차단커패시터를갖는다. 얇은전기전도성라인(224)을사용하여상기두 개의 RF 스위칭디바이스들사이에 DC 연결이제공된다. 이얇은전기전도성라인은상기두 개의 RF 스위칭디바이스들사이의증가된분리, 및감소된삽입손실을제공한다. 상기증가된분리및/또는감소된삽입손실은임피던스매칭조건들이충족될때 라인의특성임피던스를통해상기얇은전기전도성라인을조정함으로써달성된다. 상기 SPDT 스위치내의원치않는회로공진(들)은, 상기얇은전기전도성라인(들)의인덕턴스를추가로감소시키는두 개이상의얇은전기전도성라인들을사용함으로써실질적으로감소될수 있다.

46. 发明公开

KR1020150070133A 가변 주파수 응답을 갖는 방향성 결합기 有权
标题翻译：具有可变频率响应的方向耦合器
公开(公告)号：KR1020150070133A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：KR1020157008823
申请日：2013-10-17
申请人： 해리스 코포레이션
发明人： 로저스,존이.
IPC分类号： H01P5/18 , H01P1/15 , H01P5/22
CPC分类号： H01P5/12 , H01P1/15 , H01P5/18 , H01P5/183 , H01P5/227
摘要： 결합기시스템(10)의실시예는방향성결합기(12), 조절부재(14a, 14b), 및액추에이터(16a, 16b)를포함한다. 결합기(12)는입력신호를 2개의출력신호로분할하도록또는, 대안적으로, 2개의입력신호를단일출력으로결합하도록구성된다. 조절부재(14a, 14b)는결합기(12)의주파수응답이변하게하는용량형장치이고, 그래서결합기(12)는소정동작조건에서특정주파수또는주파수의범위로조절될수 있다. 액추에이터(16a, 16b)는조절부재(14a, 14b)를동작시키는기계적인힘을발생시킨다.

47. 发明授权

KR101467241B1 갭으로 단절된 불연속 도파로를 가지는 표면 플라즈몬 폴라리톤 소자 및 이를 이용한 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치 및 방법 有权
标题翻译：具有不连续波形的具有差距和装置的表面等离子体极化元件和用于产生表面等离子体极化模式的方法
公开(公告)号：KR101467241B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130117361
申请日：2013-10-01
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이명현 , 이동헌
IPC分类号： G02B6/125 , G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/10
CPC分类号： G02B6/1226 , G02B6/35 , G02F1/011 , G02F1/0126 , G02F2/004 , G02F2201/06 , G02F2203/10 , H01P1/15 , H01P3/00 , H01P3/08 , H01P3/081 , H01P3/082 , H01P3/084 , H01P3/121 , H01P5/02 , H01P5/028 , H04Q2213/13003
摘要： 본 발명의 플라즈모닉 소자는 제1 길이의 제1 플라즈모닉 도파로에 대해 동일한 방향으로 소정의 갭 길이의 갭을 사이에 두고 배치된 제2 길이의 제2 플라즈모닉 도파로를 포함할 수 있다. 제1 플라즈모닉 도파로는 소정의 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤(SPP)이 전파될 수 있도록 유전체 층과 함께 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제1 금속 표면들을 가지는 금속 소재로 구현되고, 여기된 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향을 따라 표면 플라즈몬 폴라리톤의 입력 위치부터 갭 시작 위치까지 소정 너비를 가지고 연장될 수 있다. 제2 플라즈모닉 도파로는 소정 결합 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤이 전파될 수 있도록, 제1 플라즈모닉 도파로의 적어도 한 쌍의 제1 금속-유전체 경계면들과 동일 평면 상에, 적어도 한 쌍의 제2 금속-유전체 경계면들을 이루는 적어도 한 쌍의 제2 금속 표면을 가지는 금속 소재로 구현되고, 갭 시작 위치로부터 표면 플라즈몬 폴라리톤의 진행 방향으로 갭 길이만큼 이격된 갭 종료 위치부터 표면 플라즈몬 폴라리톤 출력 위치까지 소정 너비를 가지고 연장될 수 있다.
摘要翻译：本发明的等离子体元件包括具有第一长度的第一等离子体波导和具有第二长度的第二等离子体激元波导，同时在相同方向上插入在第一等离子体激元波导和第二等离子体激元波导之间具有一定间隙长度的间隙。第一等离子体激元波导由具有至少一对第一金属表面的金属材料实现，该至少一对第一金属表面与电介质层一起包含在至少一对第一金属 - 电介质边界表面中，以扩散表面等离子体激元（SPP）某些组合模式，并且可以沿着激励的SPP的行进方向从SPP的输入位置延伸到具有一定宽度的间隙开始位置。第二等离子体激元波导由具有至少一对第二金属表面的金属材料实现，该至少一对第二金属表面包括在至少一对第二金属 - 介电边界表面中的至少一对第一金属 - 介电边界第一等离子体激元波导的表面以一定的组合模式扩展SPP，并且可以从间隙终止位置到SPP输出位置以一定的宽度延伸，只要SPP的行进方向上的间隙长度间隔开从间隙开始位置。

48. 发明授权

KR101406401B1 선형성 성능이 개선된 콤팩트 저손실 고주파수 스위치 有权
标题翻译：具有改进的线性性能的紧凑型低损耗高频开关
公开(公告)号：KR101406401B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020097011879
申请日：2007-11-06
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 프리코드코,디마 , 메이슨,제로드,에프. , 마테,스티븐,피. , 페시아,존 , 치에사,제이슨 , 나보킨,세르게이 , 트카첸코,진,에이. , 카터,리차드,에이. , 스프링클,스티븐,씨. , 시로코브,미카일
IPC分类号： H04B1/44 , H03K17/00 , H01P1/10
CPC分类号： H04B1/48 , H01P1/15 , H03K17/6871 , H03K17/693
摘要： 스위치 소자는, 드레인, 소스 및 복수의 게이트를 갖는 스위치 디바이스, 및 상기 복수의 게이트 사이에 위치한 적어도 하나의 부가적인 상호접속부를 포함하고, 상기 부가적인 상호접속부는 적어도 2개의 게이트 사이에 정전위를 구축하도록 동작한다.
스위치, 선형성, 상호접속부, 정전위, 드레인, 소스, 게이트

49. 发明公开

KR1020140003474A RF MEMS 크로스포인트 스위치와, RF MEMS 크로스포인트 스위치들을 포함하는 RF MEMS 크로스포인트 스위치 매트릭스 无效
标题翻译： RF MEMS CROSSPOINT开关和CROSSPOINT开关矩阵，包含RF MEMS CROSSPOINT开关
公开(公告)号：KR1020140003474A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020137018651
申请日：2012-03-20
申请人： 델프멤스
发明人： 파바쥬,크리스토프
IPC分类号： H01H59/00 , H01P1/12
CPC分类号： H01P1/15 , B81B5/00 , B81B2201/018 , H01H1/0036 , H01H1/20 , H01H59/0009 , H01H2001/0063 , H01H2001/0084 , H01H2059/0072 , H01P1/127 , H01P3/003
摘要： RF 크로스포인트 스위치(1)는 제1 전송 라인(10)과 상기 제1 전송 라인을 교차하는 제2 전송 라인(11)을 포함하고, 상기 제1 전송 라인(10)은 2개의 공간이 분리된 전송 라인 부분(100, 101), 및 상기 2개의 공간이 분리된 전송 라인 부분들(100, 101)을 영구히 전기적으로 연결하는 스위치 구성요소(12)를 포함하고, 상기 제2 전송 라인(11)은 상기 2개의 공간이 분리된 전송 라인 부분들(100, 101) 사이에서 상기 제1 전송 라인(10)을 교차하고, 상기 RF MEMS 크로스포인트 스위치(1)는, 적어도 상기 스위치 구성요소(12)가 상기 제1 전송 라인(10)의 상기 2개의 공간이 분리된 전송 라인 부분들(100, 101)을 전기적으로 연결하고, 상기 제1 전송 라인(10)과 상기 제2 전송 라인(11)들은 전기적으로 단절되는 제 1위치와, 상기 스위치 구성요소(12)가 상기 제1 전송 라인(10)의 상기 2개의 공간� � 분리된 전송 라인 부분들(100, 101)을 전기적으로 연결하고, 또한 상기 2개의 전송 라인(10, 11)을 전기적으로 함께 연결하는 제2 위치 사이에서 상기 스위치 구성요소(12)를 시동하기 위한 시동 수단(121)을 더 포함한다.

50. 发明授权

KR101174440B1 결함 접지 구조의 스위칭부를 포함하는 고주파 스위치 失效
标题翻译： RF开关包括具有缺陷接地结构的开关部分
公开(公告)号：KR101174440B1
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020100021932
申请日：2010-03-11
申请人： (주)파트론
发明人： 김태원 , 강승렬 , 변현규 , 김준성 , 안달
IPC分类号： H01P3/08 , H01P5/08 , H01P5/107
CPC分类号： H01P1/15
摘要： 결함접지구조의스위칭부를포함하는고주파스위치가제공된다. 고주파스위치는제 제1 포트와제2 포트사이의신호경로에접속된제1 DGS 스위칭부, 및신호경로에접속된보조기능부를포함하되, 제1 DGS 스위칭부는유전체와, 유전체의일면에형성되고신호경로에접속된제1 도전체와, 유전체의타면에형성되고내부에결함접지구조(DGS; Defected Ground Structure)가형성된제2 도전체와, 제2 도전체의타면에형성되고, 제2 도전체와접속된제1 다이오드를포함한다.

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