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41. 发明公开

KR1020100040332A 플렉시블 다층 게터 有权
标题翻译：灵活的多层门
公开(公告)号：KR1020100040332A
公开(公告)日：2010-04-19
申请号：KR1020107006646
申请日：2006-02-16
申请人： 세스 게터스 에스.피.에이
发明人： 쿨버그,리차드 , 암스트롱,팀 , 콘테,안드레아 , 리지,에니아
IPC分类号： B32B15/00
CPC分类号： F16L59/08 , C01B3/0026 , C01B3/0031 , C01B3/0084 , C01B3/505 , C01B2203/041 , C01B2203/048 , F17C1/00 , F17C3/08 , F17C2203/0395 , F17C2221/01 , F17C2221/05 , F17C2223/0123 , F17C2223/0153 , F17C2223/0161 , F17C2223/033 , F17C2223/035 , H01J7/183 , Y02E60/327 , Y10T428/12 , Y10T428/12014
摘要： A flexible multi-layer getter with a gas-permeable layer covering a gas reservoir layer. In an embodiment, the gas-permeable layer covers part of the gas reservoir layer. In another embodiment, a barrier covers part of the gas reservoir layer. The barrier may include a foil substrate, a passivation layer, or a gas-permeable layer.
摘要翻译：一种具有覆盖气体储存层的透气层的柔性多层吸气剂。在一个实施例中，透气层覆盖储气层的一部分。在另一个实施例中，阻挡层覆盖气体储存层的一部分。阻挡层可以包括箔基底，钝化层或透气层。

42. 发明授权

KR100833024B1 자체 발광소자와 그 제조 방법 有权
标题翻译：自身元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100833024B1
公开(公告)日：2008-05-27
申请号：KR1020050007056
申请日：2005-01-26
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 시라가다카오 , 다카나시히로카즈 , 우자와요시마사 , 가가와요시타카
IPC分类号： H01J31/15
CPC分类号： H01J7/183 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06
摘要： 본 발명은 자체 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 자체 발광소자를 구성하는 밀폐용기내에 ZrO
x (단, 1 ≤x ≤2)를 함유한 가스 흡장재를 설치하여 밀폐용기내의 진공도를 형성 유지하도록 하고, ZrO
x 는 일반적으로 시약으로서 입시(入試)할 수 있는 산화지르코늄을 페이스트상으로 패턴 형성하고, 상기 패턴을 형성한 자체 발광소자 120℃∼500℃의 분위기에서 진공으로 밀폐 밀봉하는 공정에 의해 제조함으로써효과를 더 높일 수 있고, 안전하여 취급하기 쉽고, 또 공간이 절약되는 밀폐용기내의 잔류 기체를 흡수하여 상기 밀폐용기내를 진공으로 유지하는 종래의 금속 게터를 대신하는 진공 유지제를 제공하고, 상기 진공 유지제를 사용한 표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.

43. 发明公开

KR1020050077033A 자체 발광소자와 그 제조 방법 有权
标题翻译：自身元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050077033A
公开(公告)日：2005-07-29
申请号：KR1020050007056
申请日：2005-01-26
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 시라가다카오 , 다카나시히로카즈 , 우자와요시마사 , 가가와요시타카
IPC分类号： H01J31/15
CPC分类号： H01J7/183 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06
摘要： 본 발명은 자체 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 자체 발광소자를 구성하는 밀폐용기내에 ZrO
x (단, 1 ≤x ≤2)를 함유한 가스 흡장재를 설치하여 밀폐용기내의 진공도를 형성 유지하도록 하고, ZrO
x 는 일반적으로 시약으로서 입시(入試)할 수 있는 산화지르코늄을 페이스트상으로 패턴 형성하고, 상기 패턴을 형성한 자체 발광소자 120℃∼500℃의 분위기에서 진공으로 밀폐 밀봉하는 공정에 의해 제조함으로써효과를 더 높일 수 있고, 안전하여 취급하기 쉽고, 또 공간이 절약되는 밀폐용기내의 잔류 기체를 흡수하여 상기 밀폐용기내를 진공으로 유지하는 종래의 금속 게터를 대신하는 진공 유지제를 제공하고, 상기 진공 유지제를 사용한 표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.

44. 发明公开

KR1020050043954A 고온에서 반응성 가스에 노출된 후에 저온에서 재활성화될수 있는 비-증발성 게터 조성물 有权
标题翻译：在较高温度下暴露于反应性气体之后，可在低温下反应的不可蒸发的组合物
公开(公告)号：KR1020050043954A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020057004325
申请日：2003-08-28
申请人： 사에스 게터스 에스.페.아.
发明人： 갈리토그노타,알레산드로 , 토이아,루카 , 보피토,클라우디오
IPC分类号： C22C1/04
CPC分类号： C01B3/0031 , B22F1/0003 , C01B3/042 , C22C1/0458 , C22C16/00 , H01J7/183 , H01J2229/94 , H01J2235/205 , H01J2329/948 , Y02E60/327 , Y02E60/364
摘要： Compositions containing non-evaporable getter alloys are described which, after having lost their functionality in consequence of the exposure to reactive gases at a first temperature, can then be reactivated through a thermal treatment at a second temperature that is lower than the first one.
摘要翻译：描述了包含非蒸发性吸气剂合金的组合物，其在由于在第一温度下暴露于反应性气体而失去其功能之后，可以在低于第一温度的第二温度下通过热处理再活化。

45. 发明公开

KR1020050005398A 화학적 활성 물질 표면의 보호 코팅 형성 방법 无效
标题翻译：在化学活性材料表面上形成保护涂层的方法
公开(公告)号：KR1020050005398A
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1020047005172
申请日：2002-07-05
申请人： 콘스탄틴 테크놀로지스 게엠베하
发明人： 춘토노프콘스탄틴
IPC分类号： B22F3/12
CPC分类号： B01J20/3236 , B22F1/0088 , B22F1/025 , B22F2999/00 , C23C26/02 , H01J7/18 , H01J7/183 , H01J9/12 , B22F9/16
摘要： 본 발명은 화학적 활성 금속 및 용융성 안정한 원소의 혼합물을 포함하는 화학적 활성 물질의 표면 상에 보호 코팅을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 다음 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다: 적어도 하나의 화학적 활성 금속 A를 제공하는 단계; 적어도 하나의 용융성 안정한 원소 B를 제공하는 단계; 상기 금속 A와 상기 원소 B를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계; 상기 원소 B의 융점보다 높은 온도에서, 상기 금속 A는 용해시킬 수 있지만 상기 원소 B는 용해시킬 수 없는 액제 L로 상기 혼합물의 표면을 처리하여 상기 혼합물의 표면에 본질적으로 상기 원소 B로 이루어지는 코팅을 형성하는 단계; 상기 코팅의 두께가 원하는 두께에 도달했을 때 상기 처리를 종료하는 단계; 상기 액제를 제거하는 단계; 및 상기 혼합물을 세정하고 건조하는 단계.

46. 发明公开

KR1020040106234A 음극 증착에 의해 얻어지는 비-증발성 게터 다층 증착물및 그 제조 방법 有权
标题翻译：不可蒸发的入口多层沉积物包含具有低活性温度的层和具有通过阴极沉积获得的大面积区域的层和用于制造其的方法
公开(公告)号：KR1020040106234A
公开(公告)日：2004-12-17
申请号：KR1020040042555
申请日：2004-06-10
申请人： 사에스 게터스 에스.페.아.
发明人： 콘테,안드레아 , 모라자,마르코
IPC分类号： C23C14/16
CPC分类号： B32B15/01 , H01J7/183 , Y10T428/12479 , Y10T428/12493 , Y10T428/12611 , Y10T428/12806 , Y10T428/12812 , Y10T428/12819 , Y10T428/12875 , Y10T428/12986 , Y10T428/12993
摘要： PURPOSE: To provide NEG(non-evaporable getter) materials which are obtained by cathodic deposition and characterized by low activation temperature and a large surface area, and to provide a process for their manufacturing. CONSTITUTION: In a multilayer deposit of non-evaporable getter having low activation temperature and a large surface area, the multilayer deposit comprises at least two layers formed on a support(10), the at least two layers comprise a first layer(11) of a non-evaporable getter material having a surface area equivalent to at least 20 times its geometrical area, and directly contacting an upper part of the support, and a second layer(12), having a thickness not greater than 1 μm, of a non-evaporable getter alloy having a low activation temperature on an upper part of the first layer, wherein the foregoing arbitrary layers are obtained by cathodic deposition without material of the first layer not exposed to reactive gases generated between depositions of the first layer and the second layer.
摘要翻译：目的：提供通过阴极沉积获得的NEG（非蒸发性吸气剂）材料，其特征在于低活化温度和较大的表面积，并提供其制造方法。构成：在具有低活化温度和大表面积的非蒸发性吸气剂的多层沉积物中，所述多层沉积物包含形成在载体（10）上的至少两层，所述至少两层包括第一层（11）不可蒸发的吸气剂材料，其表面积相当于其几何面积的至少20倍，并且直接接触支撑体的上部，以及厚度不大于1μm的第二层（12）在第一层的上部具有低活化温度的可蒸发的吸气剂合金，其中上述任意层通过阴极沉积获得，没有第一层的材料没有暴露于在第一层和第二层的沉积之间产生的反应性气体。

47. 发明公开

KR1020040058174A 칼슘을 증발시키는 게터 합금 및 소자 无效
标题翻译：吸气合金和蒸发钙的装置
公开(公告)号：KR1020040058174A
公开(公告)日：2004-07-03
申请号：KR1020047002018
申请日：2002-10-24
申请人： 사에스 게터스 에스.페.아.
发明人： 카레티,코라도 , 토이아,루카
IPC分类号： C22C21/00
CPC分类号： C22C1/0416 , C22C21/00 , H01J7/183
摘要： 53중량% 내지 56.8중량% 범위의 알루미늄, 36중량% 내지 41.7중량% 범위의 칼슘 및 1.5중량% 내지 11중량% 범위의 바륨을 함유하는 Ca-Ba-Al 3원계 합금의 이용에 기초한 칼슘을 증발시키는 증발 가능한 게터 소자가 개시된다.

48. 发明授权

KR100369723B1 게터재료를이용하여전계방출장치내에서제어된환경을생성하고유지하는방법 失效
公开(公告)号：KR100369723B1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：KR1019960700961
申请日：1995-06-27
申请人： 사에스 게터스 에스.페.아.
发明人： 카레티,코라도 , 페르라리오,브루노
IPC分类号： H01J29/94
CPC分类号： H01J7/183 , H01J7/18 , H01J29/94 , H01J2201/30403 , H01J2329/00
摘要： A Field Emitter Device (FED) having a substantially reducing atmosphere is described. The atmosphere in a FED can be maintained substantially free of oxidizing gases and includes a partial pressure of hydrogen between about 1x10-7 millibar (mbar) and 1x10-3 mbar. In one embodiment, a non-evaporable getter material previously charged with hydrogen gas is placed inside the FED before the FED is sealed. The non-evaporable getter material can be charged by exposure to hydrogen gas at a pressure between about 1x10-4 and about 2 bar. Subsequently, the components forming the FED are sealed, and the FED is evacuated and hermetically sealed to the outside atmosphere.
摘要翻译：描述具有基本上还原气氛的场致发射器装置（FED）。 FED中的气氛可以保持基本上不含氧化气体并且包括约1×10 -7毫巴（mbar）和1×10 -3毫巴之间的氢分压。在一个实施例中，在FED被密封之前，先前充入氢气的非蒸发性吸气材料被放置在FED内部。非挥发性吸气剂材料可通过暴露于约1×10 -4至约2巴之间的压力的氢气而充电。随后，将形成FED的部件密封，并将FED抽真空并密封到外部大气。

49. 发明公开

KR1020030024908A 음극선관용 증발성 게터 장치 无效
标题翻译：用于阴极射线管的蒸发式吸气单元
公开(公告)号：KR1020030024908A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：KR1020037002668
申请日：2002-06-20
申请人： 사에스 게터스 에스.페.아.
发明人： 마르텔리,다니엘레 , 만토바니,마리아루이사 , 우르소,기우세뻬
IPC分类号： H01J29/94
CPC分类号： H01J7/183
摘要： 본 발명은 BaAl
4 화합물 및 니켈(Ni)의 파우더 혼합물(104;205)을 포함하는 금속성 컨테이너(101;201), 및 컨테이너에 중첩되게 삽입되어 파우더 상에 배치된 두 개의 상이한 금속성 네트를 포함한 증발성 게터 장치에 관한 것이다. 이 장치는 통상의 장치에 비해 CRT에서 보다 균일하고 넓은 바륨 분포를 달성할 수 있게 한다.

50. 发明授权

KR100239823B1 게터재료가 섞인 수은 분배 혼합물과 그것을 전자관내에 주입하는 방법 失效
标题翻译：用于集成的食物和汞分配装置的材料的组合，所获得的装置以及用于引入电子中的汞的方法
公开(公告)号：KR100239823B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960010711
申请日：1996-04-10
申请人： 사에스 게터스 에스.페.아.
发明人： 안토니오시아벨 , 스테파노지오르지
IPC分类号： H01J61/00
CPC分类号： H01J61/26 , H01J7/183 , H01J7/20
摘要： 본 발명에 따른 수은주입 혼합물은 수은과, 그리고 티타늄, 지르코늄 및 바람직하게는 Ti
3 Hg과 같은 이들의 혼합물 중에서 선택된 제2 금속을 함유하고 있는 수은주입 금속간 화합물(A)과, 그리고 촉진합금 또는 금속간 화합물(B) 구리와, 주석과, 그리고 희토류 중에서 선택된 하나 이상의 금속, 특히 혼합금속(MM)을 함유하고 있는 촉진합금(B) 또는 금속간 화합물(A)로 구성되어 있다. 전자관 내로 수은을 주입하는 방법과, 수은주입 장치 중에서 어느하나의 수은주입 장치의 개방관 내로 수은을 주입하는 방법과, 그런 다음 상기 개방관의 밀봉 후, 10초 내지 1분 내에 600℃ 내지 900℃ 범위의 온도에서 수은의 자유 결정체를 얻도록 상기 수은주입 장치를 가열하는 방법과, 또한 상기 혼합물을 포함하고, 특히 게터물질(C)를 더 포함하고 있는 수은주입 장치를 설명하고 있다.

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