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41. 发明公开

KR1020140138994A 반도체 소자의 자동화 검사용 레시피 생성을 위한 방법, 컴퓨터 시스템 및 장치 审中-实审
标题翻译：自动检测半导体器件的方法，计算机系统及装置生成装置
公开(公告)号：KR1020140138994A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020147029209
申请日：2013-03-13
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 드웰코엔 , 카레테세드릭
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2201/068 , G03F7/7065 , G05B23/0216 , G05B23/0229 , G05B2219/37224 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要： 반도체 소자의 자동화 검사용 레시피 생성을 위한 방법, 컴퓨터 시스템 및 장치가 개시된다. 검사 레시피를 생성하기 위해 기준 데이터 집합이 이용된다. 자동 검사는 기준 데이터 집합(기준 웨이퍼맵)의 다이의 이미지에 대해 초기 레시피에 의해 실행된다. 자동 검사로부터의 검출된 검사 결과는 분류되고 분류된 검사 결과는 다이 내 결함의 전문가 분류와 비교된다. 오버킬 및 언더킬 번호들이 자동으로 생성된다. 오버킬 및 언더킬 번호에 따라서, 검사 레시피 파라미터가 수정된다. 자동 검사는 검출 및/또는 분류가 미리 규정된 임계치 미만인 경우에 반복된다.
摘要翻译：公开了用于半导体器件的自动检查的检查配方生成的方法，计算机系统和装置。为了生成检查配方，使用参考数据集。使用参考数据组（参考wafermap）的管芯图像的初始配方进行自动检查。将检测到的检查结果从自动检查中分类，将分类检查结果与模具缺陷的专家分类进行比较。自动生成过度杀伤和杀伤人数。根据过度杀伤和杀伤数字，修改检验配方参数。如果检测和/或分类低于预定阈值，则重复自动检查。

42. 发明公开

KR1020140129179A 레티클에 대한 시변 세기 맵 생성 审中-实审
标题翻译：时间变化强度地图生成反应
公开(公告)号：KR1020140129179A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020147025732
申请日：2013-02-14
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 헤스칼 , 쉬뤼팡 , 바벌토마스
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/44
CPC分类号： G01N21/95 , G01N21/95607 , G01N2021/95676 , G03F1/84 , G03F7/7065 , H01L21/0274
摘要： 포토리소그래피 레티클을 검사하는 방법들 및 장치들이 개시되어 있다. 레티클의 복수의 패치 영역들(patch areas)이 정의된다. 임의의 포토리소그래피 공정에서 레티클을 사용하기 전에, 하나 이상의 패치 영역들의 복수의 세트들 각각에 대해, 레티클의 각각의 패치 영역의 복수의 서브영역들로부터 측정된 광에 대응하는 다수의 참조 세기 값들의 참조 평균을 획득하기 위해 제1 검사 동안 광학 레티클 검사 도구가 사용된다. 복수의 포토리소그래피 공정들에서 레티클을 사용한 후에, 하나 이상의 패치 영역들의 세트들 각각에 대해, 레티클의 각각의 패치 영역의 복수의 서브영역들로부터 측정된 광에 대응하는 다수의 테스트 세기 값들의 평균을 획득하기 위해 제2 검사 동안 광학 레티클 검사 도구가 사용된다. 제1 검사 및 제2 검사 둘 다에 대해 광학 레티클 검사 도구에 대한 동일한 설정 레시피(setup recipe)가 사용된다. 차 세기 맵(difference intensity map)이 생성되고, 이러한 맵은 각각이 하나 이상의 패치들의 세트들 각각에 대한 테스트 세기 값들의 각각의 평균과 참조 세기 값들의 평균 사이의 차에 대응하는 복수의 맵 값들(map values)을 포함한다. 차 세기 맵은 레티클이 시간의 경과에 따라 사전 정의된 레벨을 초과하여 열화되었는지를 나타낸다.

43. 发明授权

KR101429629B1 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 有权
公开(公告)号：KR101429629B1
公开(公告)日：2014-08-12
申请号：KR1020127001018
申请日：2010-07-27
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 크라머휴고 , 덴보프아리에 , 메겐스헨리쿠스 , 스마일드헨드릭 , 쉘레켄스아드리아누스 , 쿠비스마이클
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/02
CPC分类号： G03F7/70641 , G01B11/02 , G01B11/22 , G01B11/24 , G01B11/30 , G01N21/47 , G01N21/88 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/7065
摘要： 기판상에서의 리소그래피 공정에 사용되는 리소그래피 장치의 초점을 판정하는 방법에서, 리소그래피 공정은 기판상에 구조체를 형성하는 데에 사용되며, 구조체는 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점의 함수로서 변화하는 프린트된 프로파일의 비대칭을 갖는 하나 이상의 특징적 요소를 포함한다. 구조적 구조체의 제1 이미지는 제1 방사 빔으로 구조체를 조명하는 동안에 형성 및 검출되며, 제1 이미지는 비-0차 회절 방사선의 제1 부분을 사용하여 형성된다. 주기적 구조체의 제2 이미지는 제2 방사 빔으로 구조체를 조명하면서 형성 및 검출된다. 제2 이미지는 회절 스펙트럼에서 제1 부분과 대칭적으로 대면하는 비-0차 회절 방사선의 제2 부분을 사용하여 형성된다. 기판상에서의 초점을 표시를 나타내기 위해 및/또는 주기적 구조체의 프로파일에서의 비대칭을 판정하기 위해, 스펙트럼의 측정된 제1 및 제2 부분의 세기의 비가 판정 및 사용된다. 동일한 장치에서, 검출된 부분에 대한 세기 편차는 구조체에서의 공정에 의해 생기는 편차의 측정값으로 판정된다. 바람직하지 않은 공정을 가진 구조체의 영역이 식별되고 구조체의 측정값으로부터 배제될 수 있다.

44. 发明公开

KR1020140032332A 검사 기법들에 의해 반도체들 내의 오버랩 공정 윈도우들을 결정하기 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：一种用于通过检测技术确定半导体中重叠过程窗口的方法和系统
公开(公告)号：KR1020140032332A
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020130107512
申请日：2013-09-06
申请人： 글로벌파운드리즈 인크.
发明人： 바우치로다
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027
CPC分类号： H01L22/12 , G03F7/70633 , G03F7/7065 , G03F7/70683 , H01L22/30 , G03F1/70 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/0274
摘要： The formation of overlap regions in an elaborate semiconductor device is an important aspect which cannot evaluate effectively based on general measurement and design technique methods. For the reason, the present invention provides measurement methods and systems. Here, upper device patterns are transferred with the same materials. Therefore, an accessible combination pattern is formed by well-established detection test methods. When a part the combination patterns is adjusted, the systemic evaluation of overlapped process windows can be achieved.
摘要翻译：精细半导体器件中重叠区域的形成是基于一般测量和设计技术方法无法有效评估的一个重要方面。因此，本发明提供了测量方法和系统。这里，上部设备图案以相同的材料传送。因此，通过完善的检测测试方法形成可访问的组合模式。当组合模式的一部分被调整时，可以实现重叠过程窗口的系统评估。

45. 发明授权

KR101296532B1 레티클의 설계 패턴에서의 결함들을 검출 및/또는 분류하기 위한 컴퓨터 구현 방법들 有权
公开(公告)号：KR101296532B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020077014859
申请日：2005-12-07
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 우케농 , 랜달데이비드 , 나피시커로시 , 인준자라몬 , 피터슨잉그리드비 , 트리블아리엘 , 코왈스키마이클 , 가오리셍 , 쿨카니아쇼크
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/84 , G01N21/95607 , G01N2021/95676 , G03F7/7065 , G03F7/70666
摘要： 다양한 컴퓨터 구현 방법들이 제공된다. 레티클의 설계 패턴에서의 결함들을 분류하기 위한 일 방법은, 개개 결함들에 인접한 영역에 대한 하나 이상의 특징들과 함께, 개개 결함들과 연관된 우선 순위 정보를 사용해 검사 데이터에서 관심 결함들을 검색하는 단계를 포함한다. 우선 순위 정보는 개개 결함들과 연관된 변조 레벨들에 대응한다. 검사 데이터는 리소그래피 변수의 상이한 값들에 대해 발생된 레티클의 이미지들을 비교하는 것에 의해 발생된다. 이미지들은 하나 이상의 기준 이미지 및 하나 이상의 변조 이미지를 포함한다. 합성 기준 이미지가 2 이상의 기준 이미지들로부터 발생될 수 있다. 이 방법은 관심 결함들에 하나 이상의 식별자들을 할당하는 단계도 포함한다. 식별자(들)는, 예를 들어, 결함 분류 및/또는 관심 결함들이 추가적인 프로세싱에 사용되어야 하는지를 식별하는 지시자를 포함할 수도 있다.
결함 검출, 결함 분류, 컴퓨터 구현 방법, 레티클의 설계 패턴, 관심 결함, 기준 이미지, 변조 이미지, 리소그래피 변수, 우선 순위 정보

46. 发明授权

KR101170868B1 마스크 디자인과 마스크 제조를 위한 마스크 검사 방법 有权
标题翻译：面膜设计和面膜生产面膜检查方法
公开(公告)号：KR101170868B1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：KR1020077021806
申请日：2006-02-04
申请人： 시놉시스, 인크.
发明人： 하니쉬볼프강 , 지볼트악셀 , 봄클라우스 , 칼루스크리스티안 , 쉬묄러토마스
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F1/84 , G03F7/7065 , G03F7/70666
摘要： 본 발명은 초기에 관련된 약점을 찾고 이것을 교정하기 위해, 마스크 디자인과 마스크 제조에 사용될 수 있는 마스크 검사 방법에 관한 것이다. 마스크 검사에 대한 상기 방법에 따르면, 공간 이미지 시뮬레이션(더 바람직하게는 전면적인 공간 이미지 시뮬레이션)이 핫 스폿의 리스트를 결정하기 위해 마스크 레이아웃으로 변환된 마스크 디자인에 기초하여 수행된다. 마스크/마스크테스트는 AIMS 툴에 의해 분석되며, 그래서 실제의 공간 이미지들은 제조되고 시뮬레이트된 공간 이미지와 비교된다. 공간 이미지들 사이의 확정된 차이는 마스크 디자인을 개선하는데 이용된다. 본 발명의 배열은 방법이 마스크 디자인과 마스크 제조에 대한 마스크 검사을 위해 수행되는 것을 가능하게 한다. 마스크 제조 공정에서 AIMS 툴의 직접적인 사용은 에러율과 비용을 감소하면서, 필연적으로 마스크 제조를 가속한다.
마스크 디자인, 마스크 레이아웃, 공간 이미지, 임계위치

47. 发明授权

KR101122798B1 포토마스크의 패턴 특성 검출 장치 및 포토마스크의 패턴 특성 검출 방법 有权
标题翻译：用于PHOTOMASK的图案特征检测装置和用于PH0TOMASK的图案特征检测方法
公开(公告)号：KR101122798B1
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：KR1020100084429
申请日：2010-08-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에히로무 , 이케다히로유키 , 사와에이지
IPC分类号： G03F1/84 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/956 , G03F1/84 , G03F7/70525 , G03F7/70625 , G03F7/7065
摘要： 일실시형태에따르면, 포토마스크의패턴특성검출장치는, 검출데이터작성부, 참조데이터작성부, 추출부, 제1 영역설정부, 검출부및 집계부를포함한다. 검출데이터작성부는포토마스크상에형성된패턴의광학상에기초하여검출데이터를작성하도록구성된다. 참조데이터작성부는상기패턴의참조데이터를작성하도록구성된다. 추출부는패턴특성검출용패턴을추출하고, 그추출된패턴의위치정보를추출하도록구성된다. 제1 영역설정부는패턴특성을검출할영역을설정하도록구성되며, 타깃패턴을추출하도록구성된다. 검출부는영역내에서타깃패턴의패턴특성을검출하도록구성된다. 집계부는검출된패턴특성을집계하도록구성된다.

48. 发明公开

KR1020110121464A 반도체 소자 无效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020110121464A
公开(公告)日：2011-11-07
申请号：KR1020100041064
申请日：2010-04-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 진형주
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/70633 , G03F7/7065
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to solve a lifting problem due to overlay vernier pattern generation, thereby preventing defect generation. CONSTITUTION: A semiconductor device comprises a plurality of dies(111-114,121-124) and a scribe lane. A plurality of dies is respectively arranged on a semiconductor wafer in X and Y-axis directions. The scribe lane distinguishes a boundary between the dies by being arranged between the dies. The size of the scribe lane is different according to upper and lower layers. Each edge of dies is connected to the die adjacent to the X and Y-axis directions.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，用于解决由于覆盖游标图案生成引起的提升问题，从而防止产生缺陷。构成：半导体器件包括多个管芯（111-114,121-124）和划线。多个裸片分别在X和Y轴方向上设置在半导体晶片上。划线通过布置在模具之间来区分模具之间的边界。划线的大小根据上下层的不同而不同。模具的每个边缘都与X和Y轴方向相邻的模具连接。

49. 发明公开

KR1020110027574A 포토마스크의 패턴 특성 검출 장치 및 포토마스크의 패턴 특성 검출 방법 有权
标题翻译：用于PHOTOMASK的图案特征检测装置和用于PH0TOMASK的图案特征检测方法
公开(公告)号：KR1020110027574A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020100084429
申请日：2010-08-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에히로무 , 이케다히로유키 , 사와에이지
IPC分类号： G03F1/84 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/956 , G03F1/84 , G03F7/70525 , G03F7/70625 , G03F7/7065 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L22/12
摘要： PURPOSE: A pattern characteristic detecting apparatus of a photo mask and a pattern characteristic detecting method of a photo mask are provided to find property distribution on the entire area of a photo mask before light exposure, thereby controlling a light exposure condition of a light exposure process according to property distribution. CONSTITUTION: A detection data writing unit(2) writes detection data based on an optical image of a pattern formed on a photo mask. A reference data writing unit(3) writes reference data of the pattern. An extraction unit(5) extracts a pattern for detecting a pattern property from the reference data. The first area setting unit sets an area where a pattern property is detected based on the detected pattern. A detection unit(4) detects a pattern property of a target pattern for detecting a pattern property in a pattern property detecting area.
摘要翻译：目的：提供光掩模的图案特征检测装置和光掩模的图案特性检测方法，以在曝光之前的光掩模的整个区域上找到属性分布，从而控制曝光过程的曝光条件根据物业分配。构成：检测数据写入单元（2）基于形成在光掩模上的图案的光学图像来写入检测数据。参考数据写入单元（3）写入图案的参考数据。提取单元（5）从参考数据中提取用于检测图案特性的图案。第一区域设定单元基于检测到的图案设定检测图案特性的区域。检测单元（4）检测在图案特性检测区域中检测图案特性的目标图案的图案特性。

50. 发明授权

KR100979484B1 다른 리소그래픽 과정 변수들을 위한 레티클의 가상 이미지를 얻는 것을 포함하는 결점 조사 방법 有权
标题翻译：缺陷检查方法包括对不同的LITHOGRAPHIC PROCESS VARIABLES获得一个RETICLE的AERIAL IMAGES
公开(公告)号：KR100979484B1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020057000790
申请日：2003-07-15
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 피터슨,인그리드,비. , 폰덴호프,마이크 , 윌레이,짐
IPC分类号： G03F1/84
CPC分类号： G03F1/84 , G03F7/7065 , G03F7/70666
摘要： 리소그래피 변수 집합의 멤버의 서로 다른 값에 대하여 레티클의 가상 이미지를 획득하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다. 하나의 방법은 또한 적어도 두 개의 서로 다른 값에 대응하는 적어도 한 쌍의 가상 이미지를 비교함으로써 레티클의 설계 패턴에서 변형의 존재를 결정하는 단계를 포함한다. 다른 방법은 적어도 두 개의 서로 다른 값에 대응하는 적어도 한 쌍의 가상 이미지를 비교하고 레티클을 사용하는 리소그래피 프로세스가 비교 결과에 기초한 실패에 가장 민감한 레티클의 영역을 결정하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시 형태는 가상 이미지로부터 비 일시적인 결점을 제거하고 적어도 두 개의 서로 다른 값에 대응하는 적어도 한 쌍의 가상 이미지를 비교함으로써 레티클 상의 일시적인 반복 결점의 존재를 결정하는 단계를 포함한다.

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