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41. 发明授权

KR101154890B1 주사광 셔터를 구비한 스캐닝유닛 失效
标题翻译：扫描单元有光束切换器
公开(公告)号：KR101154890B1
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020050099856
申请日：2005-10-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유제환 , 박철현
IPC分类号： H04N1/024
摘要： 본 발명은 인쇄데이터를 수신하여 주사광을 생성하는 광원부와, 상기 주사광을 반사시키는 반사미러와, 상기 광원부와 상기 반사미러를 수용 지지하는 케이싱과, 상기 케이싱에 슬라이드 지지되어 상기 주사광을 차단하는 차단위치와 상기 주사광을 통과시키는 개방위치 간을 왕복하는 셔터를 포함하는 스캐닝유닛에 관한 것으로서, 상기 케이싱은 상기 셔터가 관통하여 지지되는 관통홀과, 상기 관통홀의 둘레에 형성되어 상기 셔터의 슬라이드 운동을 지지하는 스터드 및 상기 스터드의 외주연으로부터 소정 간격 이격형성된 가이드리브를 포함하고, 상기 셔터는 상기 차단위치와 상기 개방위치 간의 왕복 시 상기 스터드와 상기 가이드리브에 의해 슬라이딩 가이드되는 셔터리브를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 주사광이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.
레이저스캐닝유닛(Laser Scanning Unit), 레이저 빔(beam), 셔터(shutter)

42. 发明公开

KR1020060121513A 화상형성장치용 광주사유닛 无效
标题翻译：图像形成设备扫描单元
公开(公告)号：KR1020060121513A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：KR1020050043742
申请日：2005-05-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유제환
IPC分类号： G03G15/04
CPC分类号： G03G15/04054 , G03G2215/0409
摘要： An optical scanning unit for an image forming apparatus is provided to reduce a focal length required for light which passes through a polygon mirror assembly and goes to a photosensitive drum to form an image on the photosensitive drum to decrease the size of the optical scanning unit and the image forming apparatus. An optical scanning unit(500) for an image forming apparatus includes a light source for emitting light, a polygon mirror assembly(520), a reflecting mirror(530), and a subsidiary reflecting mirror(580). The polygon mirror assembly changes the direction of the light emitted from the light source and scans the light. The reflecting mirror reflects the light scanned by the polygon mirror assembly. The subsidiary reflecting mirror is located opposite to the reflecting mirror. The light reflected from the reflecting mirror is repeatedly reflected between the reflecting mirror and the subsidiary reflecting mirror and then projected to the outside.
摘要翻译：提供了一种用于图像形成装置的光学扫描单元，以减少通过多面镜组件的光所需的焦距，并且到达感光鼓以在感光鼓上形成图像以减小光学扫描单元的尺寸，图像形成装置。一种用于图像形成装置的光学扫描单元（500）包括用于发光的光源，多面镜组件（520），反射镜（530）和辅助反射镜（580）。多面镜组件改变从光源发射的光的方向并扫描光。反射镜反射由多面镜组件扫描的光。辅助反射镜位于与反射镜相对的位置。从反射镜反射的光在反射镜和副反射镜之间反复反射，然后投射到外部。

43. 发明授权

KR100601651B1 회전다면경 조립체 失效
标题翻译：多边形镜组件
公开(公告)号：KR100601651B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020030091175
申请日：2003-12-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현석 , 유제환
IPC分类号： G03G15/04
摘要： 개시된 회전다면경 조립체는, 스테이터와 로터를 구비하는 모터와, 하나 이상의 반사면과 로터에 삽입되기 위한 내경부를 구비하며 그 하면이 로터에 지지되는 회전다면경과, 회전다면경의 상측으로부터 로터에 결합되면서 회전다면경을 압박하여 로터에 고정시키는 고정부재와, 고정부재의 압박력이 회전다면경에 축방향 및 반경방향으로 전달되도록 하여 회전다면경이 로터의 회전축과 동심을 이룸과 동시에 그 반사면이 로터의 회전축과 평행하게 되도록 자동정렬(self align)시키는 자동정렬수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하여, 광원으로부터 방출되는 광을 안정적으로 편향시킬 수 있는 회전다면경 조립체의 구현이 가능하다.

44. 发明公开

KR1020060081297A 광주사장치 失效
标题翻译：光学扫描装置
公开(公告)号：KR1020060081297A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020050001947
申请日：2005-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김연규 , 유제환 , 탁경모 , 박철현 , 김선민
IPC分类号： G02B26/10
CPC分类号： G02B26/121 , B41J2/471 , G02B26/101
摘要： 온도변화에 따른 열변형을 완화한 구조의 광주사장치가 개시된다.
이 개시된 광주사장치는 감광체의 피노광면에 대해 광을 주사하는 것으로서, 광원과; 광원과 감광체 사이에 위치하는 광학부재와; 광원과 광학부재가 안착되는 프레임 본체와; 상기 프레임 본체의 양면에 형성된 서로 다른 격자 모양의 리브로 된 보강재를 포함하는 프레임;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：开始具有由温度变化引起的热变形缓和的结构的光棱镜。

45. 发明授权

KR100584584B1 회전 다면경 디바이스 및 이를 채용한 주사 광학장치 失效
标题翻译：多边形镜装置和使用它的光学扫描装置
公开(公告)号：KR100584584B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020030079902
申请日：2003-11-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유제환 , 오세영
IPC分类号： G02B26/10
摘要： 복수의 미러면을 가지는 회전 다면경과, 이 회전 다면경의 하면에 마련된 회전 다면경의 외접원보다 크거나 같은 디스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 회전 다면경 디바이스 및 이를 채용한 주사 광학장치가 개시되어 있다.
개시된 바에 따르면, 회전 다면경의 하면에 디스크를 구비하므로, 회전 다면경 회전시 주변에서 유동이 정체됨으로써 발생될 수 있는 미러면 오염을 방지할 수 있다.

46. 发明授权

KR100510483B1 반도체 메모리장치의 워드라인 드라이버 失效
标题翻译：用于半导体存储器件的字线驱动器
公开(公告)号：KR100510483B1
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020020001461
申请日：2002-01-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심재윤 , 유제환
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： G11C11/4085 , G11C8/08
摘要： 네가티브로 바이어스된 워드라인 구조를 적용하는 메모리장치는 프리차지 작동을 하는 동안 워드라인 방전전류를 네가티브 전원으로 흐르게 하므로 전압의 변동을 감소시키고 네가티브 전원의 소비전류를 감소시킨다. 프리차지 작동을 하는 동안 주 워드라인, 서브워드라인, 워드라인 인에이블 신호, 또는 다른 형태의 워드라인은 네가티브 전원에 접속된다. 상기 워드라인은 상기 프리차지 작동을 하는 동안 제2전원장치에 접속되고, 워드라인은 워드라인 방전전류의 대부분이 상기 제2전원장치로 흐른 후 상기 제2전원장치로부터 분리된다. 네가티브 전원은 상기 워드라인을 방전하고 상기 워드라인은 네가티브 바이어스로 유지한다.

47. 发明公开

KR1020050045732A 회전 다면경 디바이스 및 이를 채용한 주사 광학장치 失效
标题翻译： POLYGON MIRROR设备和采用其的光学扫描设备
公开(公告)号：KR1020050045732A
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030079902
申请日：2003-11-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유제환 , 오세영
IPC分类号： G02B26/10
摘要： 복수의 미러면을 가지는 회전 다면경과, 이 회전 다면경의 하면에 마련된 회전 다면경의 외접원보다 크거나 같은 디스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 회전 다면경 디바이스 및 이를 채용한 주사 광학장치가 개시되어 있다.
개시된 바에 따르면, 회전 다면경의 하면에 디스크를 구비하므로, 회전 다면경 회전시 주변에서 유동이 정체됨으로써 발생될 수 있는 미러면 오염을 방지할 수 있다.

48. 发明授权

KR100449027B1 반도체 메모리 장치 失效
标题翻译： 반도체메모리장치
公开(公告)号：KR100449027B1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：KR1020020010540
申请日：2002-02-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유제환 , 김병철 , 배원일
IPC分类号： G11C5/02
CPC分类号： G11C16/12
摘要： A semiconductor device package includes a plurality of semiconductor memory devices whose address input terminals are commonly connected to the external address input pins of the package, and an internal address generating device for using an address signal applied through at least one of the address input pins to select one of the memory devices to perform a read/write data operation. Only the selected memory device is enabled to perform the read/write operation on a memory cell corresponding to the received address signal. The external pin configuration of the semiconductor device package is compatible with a conventional memory board layout.
摘要翻译：半导体器件封装包括多个半导体存储器件，其地址输入端子共同连接到封装的外部地址输入引脚，以及内部地址生成器件，用于使用通过至少一个地址输入引脚施加的地址信号到选择一个存储设备来执行读/写数据操作。只有选中的存储器件能够对与接收的地址信号相对应的存储单元执行读/写操作。半导体器件封装的外部引脚配置与常规存储器板布局兼容。

49. 发明授权

KR100410988B1 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 비트 라인 센싱 방법 失效
标题翻译： 반도체메모리장치및이장치의비트라인센싱방반
公开(公告)号：KR100410988B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020010071144
申请日：2001-11-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임규남 , 유제환 , 강영구 , 심재윤
IPC分类号： G11C7/12
CPC分类号： G11C7/065 , G11C11/4076 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C2207/002 , G11C2207/2281
摘要： 본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 비트 라인 센싱 방법을 공개한다. 그 장치는 셀 비트 라인쌍과 워드 라인사이에 연결된 메모리 셀, 셀 비트 라인쌍사이에 연결되고 셀 비트 라인 프리차지 제어신호에 응답하여 셀 비트 라인쌍을 제1전압/2으로 프리차지하는 비트 라인 프리차지 회로, 센스 증폭기 비트 라인쌍사이에 연결되고 센스 증폭기 비트 라인 프리차지 제어신호에 응답하여 센스 증폭기 비트 라인쌍을 제1전압으로 프리차지하는 센스 증폭기 비트 라인 프리차지 회로, 셀 비트 라인쌍과 센스 증폭기 비트 라인쌍사이에 연결되고 제어신호에 응답하여 셀 비트 라인쌍과 센스 증폭기 비트 라인쌍사이에 전하를 전송하는 전하 전송 회로, 센스 증폭기 비트 라인쌍사이에 연결되고 센스 증폭기 비트 라인쌍의 전압을 제1전압으로 증폭하는 제1 센스 증폭 회로, 및 센스 증폭기 비트 라인쌍사이에 연결되고 센스 증폭기 � �에이블 신호에 응답하여 센스 증폭기 비트 라인쌍의 전압을 제2전압으로 증폭하는 제2 센스 증폭 회로로 구성되어 있다. 따라서, 메모리 셀 어레이 블록들사이의 PMOS센스 증폭기 및 NMOS센스 증폭기를 공유하여 전하 전송 프리센싱 동작을 수행하기 때문에 레이아웃 면적이 줄어들게 되고, 비트 라인 아이솔레이션 회로로 인가되는 제어신호의 레벨을 제어하기가 용이하다.
摘要翻译：在半导体存储器件中，用于控制施加到位线隔离电路的电压电平的电路优选地包括连接在单元位线对和字线之间的存储单元; 位线预充电电路; 读出放大器位线预充电电路; 连接在单元位线对和读出放大器位线对之间的电荷转移电路; 第一读出放大器电路，用于响应于第一控制信号将读出放大器位线对的电压放大到第一电压; 以及第二读出放大器电路，用于响应于第二控制信号将读出放大器位线对的电压放大到第二电压。两级读出放大器电路的组合允许精确确定最小不同的逻辑电压电平并使电路面积最小化。

50. 发明授权

KR100386950B1 워드 라인 순차적 비활성화가 가능한 반도체 메모리장치의 디코딩 회로 失效
标题翻译： 드라인순차적비활성화가가능한반도체메모리장치의디코딩회로
公开(公告)号：KR100386950B1
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020000039993
申请日：2000-07-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최종현 , 강상석 , 유제환 , 주재훈
IPC分类号： G11C11/407
CPC分类号： G11C8/08 , G11C8/14 , G11C29/34
摘要： A semiconductor memory device of the invention includes: main decoders for generating wordline enable signals in response to first decoding signals, a first precharge signal, and a second precharge signal; wordline drivers for wordline drive signals in response to the wordline enable signals and second decoding signals; and a circuit for generating the second precharge signal in response to a command signal. The wordline drive signals are inactivated in sequence in response to the first decoding signals and the second precharge signal, in order to reducing ground noises.
摘要翻译：本发明的半导体存储器件包括：主解码器，用于响应于第一解码信号，第一预充电信号和第二预充电信号产生字线使能信号; 响应于字线使能信号和第二解码信号，用于字线驱动信号的字线驱动器; 以及用于响应于命令信号产生第二预充电信号的电路。响应于第一解码信号和第二预充电信号，字线驱动信号被依次去激活，以减少接地噪声。

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