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41. 发明公开

KR1020120124854A 액체 분출 용기 无效
标题翻译：液体排放容器
公开(公告)号：KR1020120124854A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042736
申请日：2011-05-05
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： B65D83/36 , B65D83/38 , B05B9/04
CPC分类号： B05B11/3042 , B05B11/0037 , B05B11/0059
摘要： PURPOSE: A liquid jetting container capable of easily spraying cooking oil on a frying pan is provided to prevent the generation of problems occurring from tilting the container. CONSTITUTION: A liquid jetting container includes a body(10) storing liquid, and a spraying unit(20). The body includes a first chamber(11), a second chamber(12), and a bottle neck. The second chamber is located under the first chamber. The bottle neck is located in between the first and second chambers, and offers resistance to the liquid transfer in between the first and second chambers. The spraying unit is combined to the body, and includes a hole extended to the first chamber.
摘要翻译：目的：提供一种能够容易地将烹饪油喷洒在煎锅上的液体喷射容器，以防止容器倾斜产生问题。构成：液体喷射容器包括容纳液体的主体（10）和喷射单元（20）。主体包括第一室（11），第二室（12）和瓶颈。第二室位于第一室下。瓶颈位于第一和第二室之间，并且提供对在第一和第二室之间的液体转移的抵抗力。喷雾单元与主体组合，并且包括延伸到第一室的孔。

42. 发明公开

KR1020210016016A AMOLED에서 인셀-타입의 터치 센싱을 행하는 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210016016A
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR1020210015794
申请日：2021-02-04
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： G06F3/041 , G09G3/3208 , H01L51/50
摘要： 본개시는 AMOLED에서인셀-타입의터치센싱을행하는방법에있어서, EL 소자의발광을위해 EL 소자로전류를공급하는단계; 그리고, EL 소자의 EL 캐소드에연결된 ELVSS 전원또는 EL 소자의 EL 아노드측에공급되는 ELVDD 전원을스위칭하여, On 구간과 Off 구간으로나누고, EL 소자의발광을위해공급되는전류로인한노이즈를제거하도록 Off 구간에서인셀-타입터치센서를센싱하는단계;를포함하는, AMOLED에서인셀-타입의터치센싱을행하는방법에관한것이다.

43. 发明公开

KR1020210005989A 고순도 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전 박막 및 이 박막을 이용하는 소자를 제조하는 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210005989A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：KR1020210002478
申请日：2021-01-08
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L41/314 , H01L41/187 , H01L41/08
摘要： 본개시는실리콘성막기판에화학적기상증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition)으로 3족질화물로된 스트레스제어층을형성하는단계; 그리고, 스트레스제어층위에 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전박막을 0.3Tm(Tm; 압전박막물질의녹는점) 이상의온도에서물리적기상증착법으로형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전박막을제조하는방법및 이압전박막을포함하는 AlxGa1-xN (0.5≤x≤1) 압전박막소자를제조하는방법에관한것이다.

44. 发明授权

KR101928324B1 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101928324B1
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：KR1020170146660
申请日：2017-11-06
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/60
摘要： 본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 비투광성 성장기판; 그리고, 비투광성 성장기판을 공유하는 복수의 반도체 발광부;로서, 각각 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하며 비투광성 성장기판의 하측에 위치하는 복수의 반도체층, 복수의 반도체층 하측에 위치하며 제1 반도체층과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극 및 복수의 반도체층 하측에 위치하며 제2 반도체층과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제2 전극을 포함하는복수의 반도체 발광부;를 포함하며, 비투광성 성장기판은 각각의 반도체 발광부에 포함된 복수의 반도체층이 각각 노출되도록 복수의 캐비티;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것이다.

45. 发明授权

KR101895234B1 화합물 반도체 광소자 有权
公开(公告)号：KR101895234B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020160166737
申请日：2016-12-08
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/02 , H01L33/36
摘要： 본개시는화합물반도체광소자에있어서, 상면과상면에대향하는하면을가지는투광성기판; 기판의상면측에성장되는복수의반도체층;으로서, 제1 도전성을가지는제1 반도체층, 제1 도전성과다른제2 도전성을가지는제2 반도체층, 및제1 반도체층과제2 반도체층사이에개재되는활성층을포함하는복수의반도체층; 기판의상면으로부터하면을향해형성된제1 및제2 트렌치;로서, 기판의하면이연마되어기판의하면측으로개방되는제1 및제2 트렌치; 기판의상면으로부터기판의하면측으로개방된제1 트렌치를거쳐제1 반도체층으로이어지는제1 전기적통로; 그리고, 기판의상면으로부터기판의하면측으로개방된제2 트렌치를거쳐제2 반도체층으로이어지는제2 전기적통로;를포함하며, 제1 전기적통로와제2 전기적통로각각은트렌치내에서와이어를구비하는것을특징으로하는화합물반도체광소자에관한것이다.

46. 发明公开

KR1020170124361A 반도체 발광소자용 지지 기판을 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：制造用于半导体发光器件的支撑衬底的方法
公开(公告)号：KR1020170124361A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020160054162
申请日：2016-05-02
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/64
摘要： 본개시는반도체발광소자용지지기판을제조하는방법에있어서, 제1 면및 제2 면에대향하는제2 면을가지는제1 기판을준비하는단계; 제1 면으로부터제2 면측을향하는홈을형성하는단계; 홈에인서트를삽입및 고정시켜제1 기판을관통하는통로를형성하는단계;로서, 통로는방열통로및 전기통로중 적어도하나로기능하는, 통로를형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체소자용지지기판을제조하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本公开涉及制造用于半导体发光器件的支撑衬底的方法，包括：准备具有第一表面和与第二表面相对的第二表面的第一衬底; 形成从第一表面到第二表面侧的凹槽; 通过将插入件插入并固定在凹槽中形成通过第一基板的通道，其中通道用作散热通道和电通道中的至少一个。本发明涉及一种用于制造用于基板的支撑基板的方法。

47. 发明授权

KR101764129B1 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101764129B1
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：KR1020160119236
申请日：2016-09-19
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/02 , H01L21/78 , H01L33/54
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/49107 , H01L2224/97
摘要： 본개시는제1 면및 제1 면에대향하는제2 면을가지며, 제1 면측으로부터제2 면측으로향하는제1 홈및 제2 홈을가지고, 제1 홈및 제2 홈각각에도전부가형성되어열팽창시제1 홈및 제2 홈이각각의도전부의열팽창을제한할수 있는제1 기판을준비하는단계; 제1 면측에서결합층을통해제1 기판에제2 기판을결합하는단계; 그리고, 성장기판, 성장기판에성장되는복수의반도체층, 그리고제1 반도체층과제2 반도체층각각에전기적으로연결되는제1 전극및 제2 전극을가지는반도체발광소자칩을제2 면측에서제1 기판에고정하는단계;로서, 제1 전극및 제2 전극각각을제1 홈의도전부와제2 홈의도전부에고정하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제조하는방법및 이러한방법으로제조된반도체발광소자에관한것이다.

48. 发明公开

KR1020170052546A 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170052546A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020170054064
申请日：2017-04-27
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/02 , H01L21/78 , H01L33/54
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/97
摘要： 본개시는제1 면및 제1 면에대향하는제2 면을가지며, 제1 면측으로부터제2 면측으로향하는제1 홈및 제2 홈을가지고, 제1 홈및 제2 홈각각에도전부가형성되어열팽창시제1 홈및 제2 홈이각각의도전부의열팽창을제한할수 있는제1 기판을준비하는단계; 제1 면측에서결합층을통해제1 기판에제2 기판을결합하는단계; 그리고, 성장기판, 성장기판에성장되는복수의반도체층, 그리고제1 반도체층과제2 반도체층각각에전기적으로연결되는제1 전극및 제2 전극을가지는반도체발광소자칩을제2 면측에서제1 기판에고정하는단계;로서, 제1 전극및 제2 전극각각을제1 홈의도전부와제2 홈의도전부에고정하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제조하는방법및 이러한방법으로제조된반도체발광소자에관한것이다.
摘要翻译：本公开具有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽具有第一表面和与第一表面相对并且从第一表面侧指向第二表面侧的第二表面，制备能够限制热膨胀沟槽1和第二沟槽的每个导电部分的热膨胀的第一衬底; 通过第一侧上的结合层将第二衬底耦合到第一衬底; 然后，具有生长衬底，在生长衬底上生长的多个半导体层以及与第一半导体层和第二半导体层中的每一个电连接的第一电极和第二电极的半导体发光器件芯片，并且将第一电极和第二电极分别固定到第一凹槽的导电部分和第二凹槽的导电部分; 以及通过这种方法制造的半导体发光器件。

49. 发明授权

KR101733043B1 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101733043B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150135273
申请日：2015-09-24
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/52 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L33/00
摘要： 본개시는, 반도체발광소자에있어서, 비투광성성장기판; 그리고, 반도체발광부;로서, 제1 도전성을가지는제1 반도체층, 제1 도전성과다른제2 도전성을가지는제2 반도체층및 제1 반도체층과제2 반도체층사이에개재되며전자와정공의재결합을통해빛을생성하는활성층을포함하며비투광성성장기판의하측에서성장하는복수의반도체층, 복수의반도체층하측에위치하며제1 반도체층과전기적으로연통하며전자와정공중 하나를공급하는제1 전극및 복수의반도체층하측에위치하며제2 반도체층과전기적으로연통하며전자와정공중 하나를공급하는제2 전극을포함하는반도체발광부;를포함하며, 비투광성성장기판은복수의반도체층이노출되도록캐비티;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자및 제조방법에관한것이다.

50. 发明公开

KR1020170036292A 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170036292A
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150135273
申请日：2015-09-24
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/52 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L33/00
摘要： 본개시는, 반도체발광소자에있어서, 비투광성성장기판; 그리고, 반도체발광부;로서, 제1 도전성을가지는제1 반도체층, 제1 도전성과다른제2 도전성을가지는제2 반도체층및 제1 반도체층과제2 반도체층사이에개재되며전자와정공의재결합을통해빛을생성하는활성층을포함하며비투광성성장기판의하측에서성장하는복수의반도체층, 복수의반도체층하측에위치하며제1 반도체층과전기적으로연통하며전자와정공중 하나를공급하는제1 전극및 복수의반도체층하측에위치하며제2 반도체층과전기적으로연통하며전자와정공중 하나를공급하는제2 전극을포함하는반도체발광부;를포함하며, 비투광성성장기판은복수의반도체층이노출되도록캐비티;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자및 제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本公开涉及一种半导体发光器件，包括：非透射生长衬底; 然后，将半导体发光单元，第一半导体层，具有不同的第二导电性的第一导电性能的第二半导体层，并且所述第一半导体层的任务2的电子和空穴的半导体层再结合之间有第一导电通孔包括用于产生光的有源层，位于所述多个半导体层，多个半导体层的下生长在葫芦光生长衬底的下侧，并与所述第一半导体层和电连通，并且供给所述电子和空穴中的一个。所述第一电极和定位在多个向下半导体层和与所述第二半导体层和电半导体发光部分和用于供给所述电子和空穴中的一个的第二电极相连通;包括，葫芦，其包括多个半导体的光生长衬底本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，包括;层以便暴露空腔。

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