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31. 发明授权

KR101199221B1 실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치 有权
标题翻译：沉积硅系纳米颗粒薄膜的方法，硅系纳米颗粒薄膜和沉积硅系纳米颗粒薄膜的装置
公开(公告)号：KR101199221B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020100090012
申请日：2010-09-14
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이정철 , 송진수 , 조준식 , 박상현 , 구혜영 , 김성범
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0216 , H01L21/20
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L31/03682 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치가 제공된다.
본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 박막 증착방법은 실리콘계 나노입자를 합성하는 합성단계; 및 상기 실리콘계 나노입자를 기판에 제 1 증착시키는 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 증착 방법 및 장치는, 합성된 실리콘계 나노입자를 또 다른 공정에서 전처리하지 않고, 합성과 동시에 기판에 증착시키므로, 나노입자 오염에 따른 전지효율 저하의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 단일 시스템에서 합성과 증착이 진행되므로 경제성이 우수하며, 더 나아가, 나노입자의 속도 및 기판 높이를 조절함으로써 대면적 기판에서 원하는 형태의 나노입자 박막의 증착이 가능하다.

32. 发明公开

KR1020120104080A 기판상에서 스트립형 소자를 제조 및 직렬 연결하기 위한 방법 无效
标题翻译：基片上条纹元件的生产和系列连接方法
公开(公告)号：KR1020120104080A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020117031122
申请日：2010-07-01
申请人： 포르슝스젠트룸 율리히 게엠베하
发明人： 람베르츠안드레아스 , 하스스테판
IPC分类号： H01L31/05
CPC分类号： H01L31/03921 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/04 , B23K2203/10 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/52 , B23K2203/56 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은, 스트립형 소자를 형성하고 직렬 연결하기 위한 방법에 있어서, 종래 기술과 비교하여 직렬 연결을 위한 보다 적은 공간 소요가 실현되는, 상기 방법에 관한 것이다.

33. 发明授权

KR101120269B1 광전 변환 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：光电转换器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101120269B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020107002373
申请日：2007-08-14
申请人： 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤
发明人： 다카노아케미 , 호리오카다츠지 , 고카지사토시 , 우다가즈타카
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
摘要： 본발명은침입한수분에의해서발생하는전석에의한성능열화를방지할수 있는광전변환장치를제공한다. 광전변환장치는, 측방절연홈(16)의기판중앙측에는, X방향에인접하는태양전지셀(5)끼리를전기적으로절연하는중간절연홈(17)이, Y방향으로연재한상태로, X방향으로병렬해 2개이상형성되고, 각중간절연부(17)의중도위치에는, X방향에인접하는태양전지셀(5)끼리를전기적으로접속하는도통부(18)가마련되고, 도통부(18)가위치하는태양전지셀(5)은도통부(18)로부터 X방향으로이간해서위치하는다른중간절연홈(17)에의해서, X방향에인접하는태양전지셀(5)로부터전기적으로절연되어있다.

34. 发明公开

KR1020110138172A 광전 변환 장치 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110138172A
公开(公告)日：2011-12-26
申请号：KR1020110058279
申请日：2011-06-16
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/035281 , H01L31/03921 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: A photoelectric converting device and a manufacturing method thereof are provided to make the surface of a second conductive crystalline semiconductor area uneven, thereby increasing conversion efficiency of the photoelectric converting device. CONSTITUTION: A conductive layer(104) is formed on a substrate(101). A first conductive crystalline semiconductor area(107) is formed on the conductive layer. A crystalline semiconductor area(109) is formed on the first conductive crystalline semiconductor area. A second conductive crystalline semiconductor area(111) is formed on the crystalline semiconductor area. The crystalline semiconductor area includes a first whisker(109a) and a second whisker(109b).
摘要翻译：目的：提供光电转换装置及其制造方法，使第二导电晶体半导体区域的表面不均匀，从而提高光电转换装置的转换效率。构成：在基板（101）上形成导电层（104）。在导电层上形成第一导电晶体半导体区域（107）。晶体半导体区域（109）形成在第一导电晶体半导体区域上。在晶体半导体区域上形成第二导电晶体半导体区域（111）。晶体半导体区域包括第一晶须（109a）和第二晶须（109b）。

35. 发明授权

KR101065752B1 태양전지모듈 및 그 제조방법 有权
标题翻译：太阳能电池模块及其制造方法
公开(公告)号：KR101065752B1
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020080081048
申请日：2008-08-19
申请人： 주식회사 티지오테크
发明人： 이유진 , 김동제 , 장석필 , 이영호 , 이병일 , 장택용
IPC分类号： H01L31/047 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/03921 , H01L31/0504 , H01L31/076 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 태양전지모듈 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 태양전지가 직렬로 연결된 태양전지모듈에 있어서, 행과 열 방향으로 배열되는 다수개의 태양전지; 및 다수개의 상기 태양전지를 전기적으로 직렬로 연결하는 전도성 리본을 포함하며, 상기 태양전지는 다결정 반도체층으로 구성된 제1 광전소자와 비정질 반도체층으로 구성된 제2 광전소자의 적층구조인 것을 특징으로 하는 태양전지모듈이다.
태양전지, 탠덤 구조, 비정질, 다결정, 결정화, 모듈

36. 发明公开

KR1020110099061A 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：太阳能电池模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110099061A
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020117018466
申请日：2010-03-10
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 다카야마미치히로 , 다구치유코 , 다카나시히로키 , 오카츠도시히데 , 우치다히로토
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 태양 전지 모듈로서, 제1 전극층(13), 발전층(14) 및 제2 전극층(16)이 차례대로 적층된 적층체(12)를 포함하고, 전기적으로 직렬로 접속된 복수의 태양 전지 셀(21); 복수의 상기 태양 전지 셀(21) 중에서 서로 인접하는 태양 전지 셀(21)을 구획하는 스크라이브선(20); 상기 발전층(14)과 상기 제2 전극층(16)을 관통하도록 형성된 스크라이브공(30); 상기 스크라이브공(30)의 주변에 생긴 션트 영역(31)으로 이루어지는 바이패스 경로;를 포함한다.

37. 发明授权

KR101043219B1 플렉서블 기판 또는 인플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：用于制造包括柔性或无损基板的光伏器件的方法
公开(公告)号：KR101043219B1
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020100030837
申请日：2010-04-05
申请人： 한국철강 주식회사
发明人： 명승엽
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03926 , H01L31/03921 , Y02E10/50
摘要： PURPOSE: A flexible substrate and a method for manufacturing a photovoltaic device including the same are provided to improve the quality of an intermediate reflective film by changing raw gas and the frequency of a voltage applied to a processing chamber according to the movement of the substrate. CONSTITUTION: A first electrode(110) and a first unit cell(120) are formed on a substrate(100). The first unit cell includes a first conductive semiconductor layer(121), a intrinsic semiconductor layer(123), and a second conductive semiconductor layer(125) which are successively stacked from the first electrode. The first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer include the third family and the fifth family-based impurities. An intermediate reflective film(130) includes a first sub-layer and a second sub-layer.
摘要翻译：目的：提供一种柔性基板及其制造方法，用于通过根据基板的运动改变原料气体和施加到处理室的电压的频率来提高中间反射膜的质量。构成：在基板（100）上形成第一电极（110）和第一单电池（120）。第一单位电池包括从第一电极依次层叠的第一导电半导体层（121），本征半导体层（123）和第二导电半导体层（125）。第一导电半导体层和第二导电半导体层包括第三族和第五族系杂质。中间反射膜（130）包括第一子层和第二子层。

38. 发明公开

KR1020110026472A 광전 변환 장치의 제조 방법 및 광전 변환 장치 无效
标题翻译：光电转换装置和光电转换装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020110026472A
公开(公告)日：2011-03-15
申请号：KR1020117000423
申请日：2009-10-02
申请人： 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤
发明人： 우다가즈따까 , 바바도모요시 , 이시데다까시 , 가와조에고오헤이 , 니시미야다쯔유끼
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/077
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 중간 콘택트층 분리 홈을 통해 전류가 누설되는 것을 가급적 방지한 광전 변환 장치의 제조 방법을 제공한다. 아몰퍼스 실리콘을 주성분으로 하는 톱층(91)을 제막하는 공정과, 톱층(91) 상에 전기적 및 광학적으로 접속되는 중간 콘택트층(93)을 제막하는 공정과, 펄스 레이저를 조사하여, 중간 콘택트층(93)을 제거하는 동시에, 톱층(91)까지 도달하는 중간 콘택트층 분리 홈(14)을 형성하여 중간 콘택트층(93)을 분리하는 공정과, 중간 콘택트층(93) 상 및 중간 콘택트층 분리 홈(14) 내에, 전기적 및 광학적으로 접속되는 동시에, 미결정 실리콘을 주성분으로 하는 보텀층(92)을 제막하는 공정을 갖는다. 중간 콘택트층 분리 홈(14)은, 톱층(91)의 i층 내에서 종단되어 있다.

39. 发明授权

KR101008799B1 포토센서 失效
标题翻译：光传感器
公开(公告)号：KR101008799B1
公开(公告)日：2011-01-14
申请号：KR1020097005955
申请日：2007-12-14
申请人： 가시오게산키 가부시키가이샤
发明人： 마츠모토히로시 , 야마구치이쿠히로 , 고바야시히로카즈
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/113 , H01L29/417 , H01L31/0392
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L27/14678 , H01L31/03921 , H01L31/1136 , Y02E10/50
摘要： 광전 변환 반도체박막(5)은 제 1 측부와 제 2 측부를 갖는다. 소스전극(9)은 반도체박막(5)의 종방향에서 연장하고, 반도체박막(5)의 제 1 측부와 중첩하는 측단부(9b, 9c)를 갖고, 드레인전극(10)은 종방향에서 연장하고, 반도체박막(5)의 제 2 측부와 중첩하는 측단부(10b, 10c)를 갖는다. 소스전극(9) 및 드레인전극(10)의 측단부(9b, 9c, 10b, 10c) 중의 적어도 하나가 종방향을 따라 배열되고 반도체박막(5)와 중첩되는 돌출부(9b, 10b)와, 돌출부(9b, 10b)간에 형성된 노치부(9c, 10c)를 갖는다. 반도체박막(5)과, 소스전극(9) 및 드레인전극(10)의 측단부(9b, 9c, 10b, 10c) 중의 적어도 하나 사이에 형성된 옴 접촉층(7, 8)을 형성한다.
옴 접촉층, 프린지효과, 돌출부, 소스전극, 드레인 전극, 노치부

40. 发明公开

KR1020100125461A 박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池模块制造方法和薄膜太阳能电池模块
公开(公告)号：KR1020100125461A
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：KR1020107024090
申请日：2009-05-12
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 우치다,히로토 , 타구치,유코 , 우에다,마사시 , 타카야마,미치히로
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/046 , Y02E10/50
摘要： 신뢰성이 높은 절연 내압 특성을 확보할 수 있는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법 및 박막 태양전지 모듈을 제공한다.
본 발명과 관련되는 박막 태양전지 모듈의 제조 방법은, 절연성의 투명 기판 10상에 제1 전극층 11을 형성하고, 투명 기판 10의 주변 영역 30X, 30Y와 그 안쪽의 발전 영역 50을 분리하는 제1 분리홈 21X, 21Y를 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성하고, 투명 기판 10상에 반도체층 13을 형성하고, 투명 기판 10상에 제2 전극층 12를 형성하고, 제1 분리홈 21X, 21Y보다 주변 영역 30X, 30Y측에 위치하는 제2 분리홈 22a, 22X, 22Y를 투명 기판 10의 표면에 이르는 깊이로 형성하고, 주변 영역 30X, 30Y를 블라스트(blast) 처리해 주변 영역 30X, 30Y상의 제1 전극층 11, 반도체층 13및 제2 전극층 12를 제거한다.

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