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31. 发明公开

KR1020050085196A 반도체 장치와 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050085196A
公开(公告)日：2005-08-29
申请号：KR1020057009649
申请日：2003-04-10
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지 , 고지마히데유키 , 아네자키도루
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
摘要： Multiple kinds of transistors exhibiting desired characteristics are manufactured in fewer process steps. A semiconductor device includes an element isolation region reaching a first depth, first and second wells of first conductivity type, a first transistor formed in the first well and having a gate isolation film of a first thickness, source/drain regions of second conductivity type and a gate electrode, and a second transistor formed in the second well and having a gate isolation film of a second thickness less than the first thickness, source/drain regions of the second conductivity type and a gate electrode. The first well has a first impunity concentration distribution which shows a maximum value only at the depth equal to or greater than the first depth. The second well has a second impurity concentration distribution which shows a maximum value also at the second depth. The second impurity concentration distribution is superposition of an impurity concentration distribution which shows a maximum value at a second depth less than the first depth on the first impurity concentration distribution.
摘要翻译：具有期望特性的多种晶体管以较少的工艺步骤制造。半导体器件包括到达第一深度的元件隔离区域，第一导电类型的第一和第二阱，形成在第一阱中的第一晶体管，并具有第一厚度的栅极隔离膜，第二导电类型的源极/漏极区域，以及栅电极和形成在第二阱中的第二晶体管，并且具有第二厚度小于第一厚度的栅极隔离膜，第二导电类型的源/漏区和栅电极。第一口井有第一个有罪不罚的浓度分布，仅在深度等于或大于第一深度的深度处显示最大值。第二阱具有第二杂质浓度分布，其也在第二深度处显示最大值。第二杂质浓度分布是杂质浓度分布的叠加，其在比第一杂质浓度分布上的第一深度小的第二深度处显示最大值。

32. 发明授权

KR1019960011937B1 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 기억장치 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：具有薄膜晶体管的半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019960011937B1
公开(公告)日：1996-09-04
申请号：KR1019920003280
申请日：1992-02-29
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 이따바시가즈오 , 에마다이지
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/1108 , Y10S257/903

33. 发明授权

KR1019950009388B1 비트라인 접촉영역과 스토레이지 캐패시터 접촉영역을 갖는 반도체 메모리 장치 失效
标题翻译：具有位线接触区域和存储电容接触区域的半导体存储器件
公开(公告)号：KR1019950009388B1
公开(公告)日：1995-08-21
申请号：KR1019900012802
申请日：1990-08-20
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지 , 하시모또고오이찌
IPC分类号： G11C11/40
CPC分类号： H01L27/10808 , H01L27/10805
摘要： 내용 없음.

34. 发明授权

KR1019930009071B1 감지증폭기 및 메모리 셀상에 감지증폭기 구동라인을 설치한 소형화 반도체 메모리 장치 失效
标题翻译：在存储单元上具有读出放大器和读出放大器驱动线的小型化半导体存储器件
公开(公告)号：KR1019930009071B1
公开(公告)日：1993-09-22
申请号：KR1019900008727
申请日：1990-06-14
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 고오노도루 , 에마다이지
IPC分类号： G11C11/407 , G11C17/00
摘要： 내용 없음.

35. 发明授权

KR1019930007835B1 다이나믹 랜덤억세스 메모리장치(DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE) 失效
公开(公告)号：KR1019930007835B1
公开(公告)日：1993-08-20
申请号：KR1019890013456
申请日：1989-09-19
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： G11C11/40 , G11C11/24
CPC分类号： H01L23/528 , G11C11/4097 , H01L27/10817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

36. 发明公开

KR1019930001415A 메모리 셀 캐패시터를 구비한 반도체 메모리장치 및 그의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019930001415A
公开(公告)日：1993-01-16
申请号：KR1019920009912
申请日：1992-06-08
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L27/10
摘要： 내용없음

37. 发明公开

KR1019920018958A 비휘발성 메모리, 비휘발성 메모리를 갖는 반도체 메모리장치 및 그 반도체 메모리장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019920018958A
公开(公告)日：1992-10-22
申请号：KR1019920003541
申请日：1992-03-04
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L27/115
摘要： 내용 없음

38. 发明授权

KR1019920006754B1 측벽막을 갖는 반도체 장치와 그 제조방법 失效
标题翻译：具有侧壁膜的半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019920006754B1
公开(公告)日：1992-08-17
申请号：KR1019880014844
申请日：1988-11-11
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L27/10808
摘要： 내용 없음.

39. 发明授权

KR100052524B1 반도체 스태틱 랜덤 억세스 메모리장치 失效
公开(公告)号：KR100052524B1
公开(公告)日：1992-06-26
申请号：KR1019880016374
申请日：1988-12-09
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/11

40. 发明授权

KR100051332B1 CMOS 인버터를 갖는 반도체 집적회로 失效
公开(公告)号：KR100051332B1
公开(公告)日：1992-05-07
申请号：KR1019890000244
申请日：1989-01-12
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

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