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1. 发明授权

KR100582038B1 반도체 장치 및 그 제조 방법, 반도체 집적회로 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造工艺，半导体集成电路及其制造工艺
公开(公告)号：KR100582038B1
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1019990032356
申请日：1999-08-06
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 하야시마사오 , 에마다이지 , 오까와나루미
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L27/1052 , H01L27/10852 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device includes an interlayer insulation film formed on a substrate so as to cover first and second regions defined on the substrate, and a capacitor formed over the interlayer insulation film in the first region, wherein the interlayer insulation film includes, in the first region, a stepped part defined by a groove having a bottom surface lower in level than a surface of the interlayer insulation film in the second region.

2. 发明公开

KR1019990077780A 반도체 장치와 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990077780A
公开(公告)日：1999-10-25
申请号：KR1019990008069
申请日：1999-03-11
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지 , 하시모도고이찌
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L27/10891
摘要： 본발명은메모리셀(memory cell)을갖는고집적도의반도체장치와그 제조방법에관한것이며, 고집적도에적합하고리텐션(retention) 특성이뛰어난메모리셀을갖는반도체장치를제공한다. 반도체기판의 1 주표면에형성되어, 복수의활성영역을획정하는소자분리절연영역과, 복수의활성영역내에형성된복수의메모리셀 트랜지스터로서, 각각이워드선의 1개를게이트전극으로하고, 게이트전극과소자분리절연영역에의해획정된한 쌍의소스/드레인영역을가지며, 소스/드레인영역의한 쪽은복수의비트선의 1개에접속되고, 소스/드레인영역의다른쪽은복수의커패시터의 1개에접속되어, 소자분리절연영역에의해 3 방을획정하고있는제1 불순물첨가영역과, 제1 불순물첨가영역과일부오버랩(dverlap)하고, 게이트전극과일부오버랩하는제2 불순물첨가영역을포함하는복수의메모리셀 트랜지스터를갖는다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有存储单元的高集成度半导体器件及其制造方法，并且提供一种具有适于高集成度且具有优异保持特性的存储器单元的半导体器件。多个存储单元晶体管形成在多个有源区域中，所述多个存储单元晶体管中的每个存储单元晶体管具有其中一个字线作为栅电极，漏极区域，源极/漏极区域中的一个连接到多个位线中的一个，而另一个源极/漏极区域连接到多个电容器中的一个，以及与第一杂质掺杂区部分重叠并与栅极部分重叠的第二杂质掺杂区，第一杂质掺杂区连接到第一杂质掺杂区，和多个存储单元晶体管。

3. 发明授权

KR1019960011941B1 비휘발성 메모리, 비휘발성 메모리를 갖는 반도체 메모리장치 및 그 반도체 메모리장치의 제조방법 失效
标题翻译：具有非易失性存储器的非易失性存储器半导体存储器件
公开(公告)号：KR1019960011941B1
公开(公告)日：1996-09-04
申请号：KR1019920003541
申请日：1992-03-04
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L27/115

4. 发明授权

KR100093610B1 비트라인 접촉영역과 스토레이지 캐패시터 접촉영역을 갖는 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR100093610B1
公开(公告)日：1996-01-04
申请号：KR1019900012802
申请日：1990-08-20
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지 , 하시모또고오이찌
IPC分类号： G11C11/40

5. 发明授权

KR1019950002876B1 반도체 패턴의 반복노광에 의한 집적회로 제조방법 失效
标题翻译：通过重复接触半导体图案来制造集成电路的方法
公开(公告)号：KR1019950002876B1
公开(公告)日：1995-03-27
申请号：KR1019910019878
申请日：1991-11-09
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지 , 시라이히사쓰구 , 고바야시가쓰요시 , 다구찌마사오
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01L28/87 , H01L21/0274 , H01L21/76802 , Y10S438/946
摘要： 내용 없음.

6. 发明授权

KR100057758B1 알루미늄-실리콘 합금 배선막과 실리콘 기판간에 오옴접속을 갖는 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR100057758B1
公开(公告)日：1992-12-28
申请号：KR1019880014452
申请日：1988-11-03
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L21/28

7. 发明授权

KR100052967B1 중첩 캐패시터형 메모리셀들을 갖는 반도체 메모리장치 및 그의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100052967B1
公开(公告)日：1992-07-10
申请号：KR1019860000863
申请日：1986-02-07
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 야부다까시 , 에마다이지
IPC分类号： H01L27/108

8. 发明公开

KR1019920010354A 반도체 패턴의 반복노광에 의한 집적회로 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019920010354A
公开(公告)日：1992-06-26
申请号：KR1019910019878
申请日：1991-11-09
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지 , 시라이히사쓰구 , 고바야시가쓰요시 , 다구찌마사오
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 내용 없음.

9. 发明公开

KR1019920003524A 메모리 셀의 증가된 정전용량을 갖는 반도체 메모리장치 失效
公开(公告)号：KR1019920003524A
公开(公告)日：1992-02-29
申请号：KR1019910011627
申请日：1991-07-09
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L27/108

10. 发明授权

KR1019920000383B1 반도체 스태틱 랜덤 억세스 메모리장치 失效
标题翻译：半导体静态随机访问存储器件
公开(公告)号：KR1019920000383B1
公开(公告)日：1992-01-13
申请号：KR1019880016374
申请日：1988-12-09
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에마다이지
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/11 , G11C11/412 , H01L27/1112
摘要： 내용 없음.

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