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31. 发明公开

KR1020090071215A 이미지 센서 제조방법 失效
标题翻译：图像传感器制造方法
公开(公告)号：KR1020090071215A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070139445
申请日：2007-12-27
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14665 , H01L27/14634 , H01L27/1469
摘要： A fabricating method of image sensor is provided to increase the optical sensing rate by enlarging the surface area of the photo diode within the unit pixel. An inter-layer insulating layer(20) including a metal wiring(30) is formed on a semiconductor substrate(10). An element isolation layer defining an active area and a field area is formed in the semiconductor substrate. The inter-layer insulating layer is formed with a plurality of layers. The inter-layer insulating layer is formed with the nitride layer or the oxide layer. The metal wiring comprises the plug. A bottom electrode layer(40) is formed on the inter-layer insulating layer including the metal wiring. A photoresist pattern(100) is formed on the bottom electrode layer.
摘要翻译：提供图像传感器的制造方法，通过放大单位像素内的光电二极管的表面积来增加光学感测速率。在半导体衬底（10）上形成包括金属布线（30）的层间绝缘层（20）。在半导体衬底中形成限定有源区和场区的元件隔离层。层间绝缘层形成有多层。层间绝缘层由氮化物层或氧化物层形成。金属布线包括插头。在包括金属布线的层间绝缘层上形成底部电极层（40）。在底部电极层上形成光致抗蚀剂图案（100）。

32. 发明公开

KR1020090066407A 게이트 전극 제조 방법 无效
标题翻译：制造门电极的方法
公开(公告)号：KR1020090066407A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020070133911
申请日：2007-12-20
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14614 , H01L29/66477
摘要： A manufacturing method of a gate electrode is provided to improve a manufacturing yield in a gate electrode patterning process by processing rapidly an etch process of a hard mask having a low temperature oxide layer having low temperature in comparison with a gate insulating layer in order to remove the hard mask before a lateral undercut effect of the gate insulating layer. A gate insulating layer is formed on a semiconductor substrate(100) by using a silicon oxide layer. A gate conductive layer is formed on an upper part of the gate insulating layer. A hard mask(206a) is formed on an upper part of the gate conductive layer. The hard mask is composed of a low-temperature oxide layer. The gate insulating layer is patterned by using the hard mask. The hard mask is removed by performing a wet etch process.
摘要翻译：提供了栅电极的制造方法，以通过与栅极绝缘层相比，快速处理具有低温的低温氧化物层的硬掩模的蚀刻工艺来提高栅电极图案化工艺中的制造成品率，以便去除硬掩模在栅极绝缘层的侧向底切效应之前。通过使用氧化硅层在半导体衬底（100）上形成栅极绝缘层。栅极导电层形成在栅极绝缘层的上部。在栅极导电层的上部形成有硬掩模（206a）。硬掩模由低温氧化物层组成。通过使用硬掩模对栅极绝缘层进行图案化。通过执行湿法蚀刻工艺去除硬掩模。

33. 发明公开

KR1020090060513A 이미지 센서 제조방법 失效
标题翻译：图像传感器制造方法
公开(公告)号：KR1020090060513A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127354
申请日：2007-12-10
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경 , 이강현 , 류상욱
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14687
摘要： A manufacturing method of an image sensor is provided to reuse the wafer in case a defect is generated in a wafer by using a wet etching process with an etch selectivity of a low temperature oxide film which is a micro lens and an USG(Undoped Silicate Glass) film which is a protective layer. A unit pixel(20) including a photo diode is formed on a semiconductor substrate(10). An interlayer insulation film(30) including a metal wiring and a pad is formed on the semiconductor substrate. A protective layer(50) is formed on the interlayer insulation film. A color filter(60) is formed on the protective layer corresponding to the unit pixel. A seed lens(85) is formed on the color filter. A micro lens(95) is formed by depositing an inorganic layer on the seed lens. A pad hole is formed by removing the protective layer and an oxide film of a top part of the pad. The seed lens and the micro lens are removed in case a shape of the micro lens is fault.
摘要翻译：提供了一种图像传感器的制造方法，以便在通过使用具有低温氧化膜（微透镜）和USG（未掺杂硅酸盐玻璃）的蚀刻选择性的湿式蚀刻工艺在晶片中产生缺陷的情况下再利用晶片）膜是保护层。包括光电二极管的单位像素（20）形成在半导体衬底（10）上。在半导体衬底上形成包括金属布线和衬垫的层间绝缘膜（30）。在层间绝缘膜上形成保护层（50）。在对应于单位像素的保护层上形成滤色器（60）。种子透镜（85）形成在滤色器上。通过在种子晶状体上沉积无机层形成微透镜（95）。通过去除保护层和垫的顶部的氧化物膜形成焊盘孔。在微透镜的形状发生故障的情况下，移除晶状体和微透镜。

34. 发明公开

KR1020090054200A 반도체 소자의 커패시터 제조 방법 失效
标题翻译：在半导体中制造电容器的方法
公开(公告)号：KR1020090054200A
公开(公告)日：2009-05-29
申请号：KR1020070120940
申请日：2007-11-26
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/32134 , H01L28/60
摘要： 본 발명에 따른 MIM 구조를 갖는 반도체 소자의 커패시터 제조 방법은, 반도체 기판의 층간 절연막 상부에 하부 금속막을 형성하는 단계와, 하부 금속막의 상부에 적어도 두 가지 이상의 금속 산화막을 이용한 멀티 구조의 절연체 박막을 형성하는 단계와, 절연막 박막의 상부에 상부 금속막을 형성하는 단계와, 상부 금속막과 절연체 박막을 식각공정으로 패터닝하여 상부 전극을 형성하는 단계와, 하부 금속막을 식각 공정을 패터닝하여 하부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이와 같이, 본 발명은 적어도 두 가지 이상의 금속 산화 물질을 이용하여 멀티 구조의 절연체 박막을 형성하여 두께가 얇을 뿐만 아니라 고유전상수를 갖는 절연체 박막을 형성할 수 있다.
금속 산화막, MIM, 고유전상수, 절연체

35. 发明公开

KR1020090046168A 이미지센서의 제조방법 失效
标题翻译：制造图像传感器的方法
公开(公告)号：KR1020090046168A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070112156
申请日：2007-11-05
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627
摘要： 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 기판상에 포토다이오드와 회로(circuitry)를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드 상에 컬러필터층을 형성하는 단계; 상기 컬러필터층 상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막을 식각하여 제1 산화막 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 상기 제1 산화막 마이크로렌즈 상에 제2 산화막 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및 상기 제2 산화막 마이크로렌즈 상에 제3 산화막 마이크로렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이미지센서, 마이크로렌즈

36. 发明授权

KR100843968B1 이미지센서의 제조방법 失效
标题翻译：制造图像传感器的方法
公开(公告)号：KR100843968B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070047597
申请日：2007-05-16
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： G02B3/0012 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685
摘要： A method for manufacturing an image sensor is provided to form the image sensor having a micro-lens and to minimize a gap between micro-lens by using an oxide layer. An interlayer dielectric(130) is formed on a substrate(110) including a photodiode(120). A color filter layer(140) is formed on the interlayer dielectric. An oxide layer is formed on the color filter layer. A plurality of micro-lens patterns are formed in a constant interval on the oxide layer. An oxide layer micro-lens(165) having constant curvature is formed by etching the oxide layer. The residues of the micro-lens patterns are cleaned by using an ammonium peroxydisurfate mixing solution. The process for forming an oxide layer micro-lens includes a process for etching the oxide layer, a process for plasma-processing the micro-lens patterns, and a process for etching the oxide layer.
摘要翻译：提供一种用于制造图像传感器的方法以形成具有微透镜的图像传感器，并且通过使用氧化物层使微透镜之间的间隙最小化。在包括光电二极管（120）的衬底（110）上形成层间电介质（130）。在层间电介质上形成滤色器层（140）。在滤色器层上形成氧化物层。在氧化物层上以恒定间隔形成多个微透镜图案。通过蚀刻氧化物层形成具有恒定曲率的氧化物层微透镜（165）。通过使用过氧化二异氰酸铵混合溶液清洁微透镜图案的残留物。用于形成氧化物层微透镜的方法包括蚀刻氧化物层的工艺，用于等离子体处理微透镜图案的工艺以及蚀刻氧化物层的工艺。

37. 发明授权

KR101366553B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：一种半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101366553B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020120104396
申请日：2012-09-20
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 주성욱 , 정충경
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L23/49816 , B81B2201/018 , B81C1/00246 , B81C2203/0742 , H01H35/141 , H01H2001/0068 , H01L21/4853 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The embodiment includes a step of forming a lower electrode pattern on a substrate, a step of forming a first interlayer dielectric on the lower electrode pattern, a step of forming a second interlayer dielectric including a middle electrode pattern on the first interlayer dielectric, a step of forming an upper electrode pattern on the second insulating layer, a step of forming a third interlayer dialectic on the upper electrode pattern, a step of forming a cavity exposing a part of the middle electrode pattern by etching the first to the third interlayer dielectric, and a step of forming a contact ball in the cavity.
摘要翻译：该实施例包括在基板上形成下电极图案的步骤，在下电极图案上形成第一层间电介质的步骤，在第一层间电介质上形成包括中间电极图案的第二层间电介质的步骤，在所述第二绝缘层上形成上电极图案的步骤，在所述上电极图案上形成第三层间辩证的步骤，通过蚀刻所述第一至第三层间电介质形成暴露所述中间电极图案的一部分的腔的步骤，以及在空腔中形成接触球的步骤。

38. 发明授权

KR101366552B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：一种半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101366552B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020120104395
申请日：2012-09-20
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경 , 주성욱
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L21/76843 , B81B7/00 , H01H1/0036 , H01H1/16 , H01H35/02 , H01L23/49816 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The embodiment includes a step of forming a lower electrode pattern on a substrate, a step of forming a first interlayer dielectric on the lower electrode pattern, a step of forming an upper electrode pattern on the first interlayer dielectric, a step of forming a passivation layer in the side of the upper electrode pattern, a step of forming a second interlayer dielectric on the upper electrode pattern, a step of forming a cavity exposing the passivation layer by etching the second interlayer dielectric, and a step of forming a contact ball in the cavity.
摘要翻译：该实施例包括在衬底上形成下电极图案的步骤，在下电极图案上形成第一层间电介质的步骤，在第一层间电介质上形成上电极图案的步骤，形成钝化层的步骤在上电极图案的侧面，在上电极图案上形成第二层间电介质的步骤，通过蚀刻第二层间电介质形成暴露钝化层的腔的步骤，以及在所述上电极图案中形成接触球的步骤腔。

39. 发明公开

KR1020110075948A 이미지 센서의 제조방법 无效
标题翻译：图像传感器制造方法
公开(公告)号：KR1020110075948A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090132523
申请日：2009-12-29
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경 , 박진호
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14687
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an image sensor is provided to simplify an exposure process of a pad, by proceeding a pad open process after forming a micro lens. CONSTITUTION: A plurality of light sensing parts(110) are formed on a semiconductor substrate(100). A bottom insulation layer is formed on the semiconductor substrate. A top insulation layer(140) is formed on the bottom insulation layer. The top insulation layer includes a pad. A trench is formed on the top insulation layer corresponding to the light sensing part. A color filter(150) is formed in the trench to correspond to the light sensing part. A lens layer is formed on the top of the color filter. A dummy lens is formed on the lens layer corresponding to the color filter. The lens layer is etched through an etching process using the dummy lens as an etch mask. A micro lens is formed.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造图像传感器的方法，通过在形成微透镜之后进行衬垫打开处理来简化衬垫的曝光过程。构成：在半导体衬底（100）上形成多个感光部（110）。在半导体衬底上形成底部绝缘层。顶部绝缘层（140）形成在底部绝缘层上。顶部绝缘层包括垫。在对应于光感测部分的顶部绝缘层上形成沟槽。在沟槽中形成滤色器（150）以对应于感光部分。透镜层形成在滤色器的顶部。在对应于滤色器的透镜层上形成虚设透镜。通过使用伪透镜作为蚀刻掩模的蚀刻工艺来蚀刻透镜层。形成微透镜。

40. 发明授权

KR101033347B1 이미지센서의 제조방법 失效
标题翻译：图像传感器制造方法
公开(公告)号：KR101033347B1
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020080100584
申请日：2008-10-14
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： G03F7/423 , C11D3/3947 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687
摘要： 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 제1 기판에 리드아웃 회로(Readout Circuitry)를 형성하는 단계; 상기 제1 기판상에 제1 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 제1 층간절연층에 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 단계; 상기 배선 상에 제2 층간절연층을 형성하는 단계; 감광막 패턴을 식각마스크로 상기 제2 층간절연층을 일부 식각하여 상기 배선의 상측을 노출하는 비아홀을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 남긴 채 상기 비아홀에 컨택플러그를 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 컨택플러그 상에 이미지감지부(Image Sensing Device)를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이미지센서, 포토다이오드, 리드아웃 회로

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