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31. 发明授权

KR101951524B1 오비탈 큐빗기반의 양자역학적 인공 시각 시스템 및 연산 방법 有权
公开(公告)号：KR101951524B1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：KR1020160168245
申请日：2016-12-12
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G06N99/00 , B82Y10/00

32. 发明授权

KR101919229B1 생체 정보 측정 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101919229B1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：KR1020170035349
申请日：2017-03-21
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： A61B5/00
摘要： 본발명의다양한실시예들에따른생체정보측정장치는, 생체신호를감지할수 있는비관혈방식의플래너센서및 상기플래너센서에서감지되는생체감지신호들을다변량분석방법에기반하여감지된생체정보들을분석하는분석모듈을포함할수 있다. 그리고플래너센서는사람의피부에접촉되어목표하는피부층또는혈관에도달될수 있는특정스펙트럼들의가시광선및 적외선광신호들을생성하여사람의피부에조사하는광조사모듈, 사람의피부층또는혈관에반사되는스펙트럼의광신호들을각각수신하는광수신모듈, 및상기광수신모듈에수신되는스펙트럼별사람의생체정보들을검출하여상기분석모듈에출력하는검출모듈을포함할수 있다.

33. 发明公开

KR1020160091139A 양자암호에 의한 보안 향상성을 갖는 모바일 커머스 및 인증 방법 有权
标题翻译：具有量子加速度安全的移动商务及其认证方法
公开(公告)号：KR1020160091139A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011411
申请日：2015-01-23
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G06Q30/06
CPC分类号： H04L9/0852 , G06Q20/12 , G06Q20/30 , G06Q20/3823 , G06Q20/401 , G06Q2220/00 , H04L9/0872 , H04L9/14 , H04L9/3226 , H04L63/08 , H04L2209/80 , H04L2463/102 , G06Q30/0641
摘要： 본발명은양자암호기반의암호화통신이가능한통신용단말기및 서버에관한기술로, 보다상세하게는모바일상거래를기반으로한 대체결제시스템의보안을향상시키기위한통신용단말기및 서버에서의양자암호기반의암호화통신장치및 인증/통신방법에관한것이다. 본발명은양자암호를통한인증과정의일부를개선하여소형화/경량화가가능하도록모바일단말기와서버간의중계장치를통한양자암호통신을이용한인증프로토콜을제안하는것을목적으로한다. 본발명은모바일단말기와서버또는중계장치간의양자암호통신을이용한인증프로토콜을제안하며, 이를통하여모바일커머스에서높은보안성을유지하며사용자인증을실행할수 있는인증방법을제안하는것을목적으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够实现基于量子密码学的加密通信的服务器和通信终端技术，更具体地说，涉及：一种基于量化密码术的服务器和通信终端的加密通信设备，用于提高替代方案的安全性基于移动商务的支付系统; 及其认证/通信方法。本发明的目的是通过在服务器和移动终端之间的中继器提出使用量子密码通信的认证协议，以通过经由量子密码学改进认证过程的一部分来减小大小和权重。本发明的目的是提出一种使用移动终端与服务器或中继器之间的量子密码通信的认证协议，并且提出一种能够通过认证协议在移动商务中维持高安全性并执行用户认证的认证方法。

34. 发明公开

KR1020160026051A 공간적 주기성을 가지는 산란매체를 이용한 음파에 대한 은폐 방법 및 그 장치 有权
标题翻译：使用空间周期分布的声波波形的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160026051A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140113831
申请日：2014-08-29
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G10K11/162
CPC分类号： G10K11/26 , G10K11/162 , G10K11/172 , G10K15/00 , G10K11/00 , G10K11/16
摘要： 공간적주기성을가지는산란매체를이용한음파은폐방법및 그장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른음파은폐방법은음파전달에대해미리결정된음파전달수학적모델과전자기파에대해미리결정된전자기파수학적모델의상관관계에기초하여메타물질의목표특성을도출하는단계; 상기도출된목표특성을가지도록, 미리결정된매질의밀도를가지는산란매체를공간적주기성을가지도록배열시키는단계; 및상기공간적주기성을가지도록배열된상기산란매체를포함하는상기메타물질을대상물체를포함하는영역을둘러싸도록배치하여상기영역을음파로부터차단시키는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了使用具有空间周期性的散射介质来掩蔽声波的方法及其装置。根据本发明的一个实施例，用于掩蔽声波的方法包括：基于声波传输预定的声波传播数学模型与声波传播之间的关系的导数来导出超声材料的目标特性的步骤电磁波预定的电磁波数学模型; 布置具有预定介质密度的散射介质的步骤，使得散射介质具有空间周期性以具有导出的目标特性; 以及设置包括布置成具有空间周期性的散射介质的超临界材料的步骤，使得超材料包围包括目标物体的区域，从而屏蔽该区域与声波。

35. 发明公开

KR1020150086943A 음파에 대한 은폐 방법 및 그 장치 无效
标题翻译：声波波形的方法和装置
公开(公告)号：KR1020150086943A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020140007191
申请日：2014-01-21
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열 , 이용윤
IPC分类号： G10K11/16
CPC分类号： G10K11/16 , F41H3/00 , G01S7/537
摘要： 음파은폐방법및 그장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른음파은폐방법은음파전달에대해미리결정된음파전달수학적모델과전자기파에대해미리결정된전자기파수학적모델의상관관계에기초하여상기음파전달수학적모델을상기전자기파수학적모델에대응하는음파은폐수학적모델로변환하는단계; 상기변환된상기음파은폐수학적모델을이용하여메타물질의목표특성을도출하는단계; 및상기도출된상기목표특성을가지는상기메타물질을대상물체를포함하는영역을둘러싸도록배치하여상기영역을음파로부터차단시키는단계를포함하고, 상기전자기파수학적모델은맥스웰방정식의수학적모델을포함하며, 상기음파은폐수학적모델로변환하는단계는상기음파전달수학적모델을상기맥스웰방정식기반의상대론적좌표공간변형방법에대입하여상기음파전달수학적모델을상기음파은폐수학적모델로변환하는것을특징으로한다.
摘要翻译：在本发明中公开了一种隐藏声波的方法及其装置。根据本发明的一个实施例，用于隐藏声波的方法包括：将声波传播数学模型转换成对应于电磁波数学模型的声波隐藏数学模型的步骤，其基于声波数学模型，预定的声波传播和电磁波数学模型，预定的电磁波; 使用变换声波隐藏数学模型绘制超材料的目标特性的步骤; 以及在包括物体的区域周围布置具有绘制目标特性的超材料以便屏蔽该区域与声波的步骤。电磁波数学模型包括麦克斯韦方程的数学模型。转换成声波隐藏数学模型的步骤将声波传播数学模型代入基于麦克斯韦方程的相对论坐标空间变换方法，以将声波传播数学模型转换为声波隐藏数学模型。

36. 发明公开

KR1020140102850A 광기전력 소자 有权
标题翻译：光电器件
公开(公告)号：KR1020140102850A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020130016229
申请日：2013-02-15
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/06
摘要： Disclosed is a photovoltaic element which can be grown at low temperatures, can be grown on an inexpensive large-area silicon wafer, and has excellent light emitting property. The photovoltaic element includes a first photoelectric transformation unit and a second photoelectric transformation unit. The second photoelectric transformation unit is placed on top of the first photoelectric transformation unit, and includes I-VII group semiconductor layers with a larger band gap than the first I-VII photoelectric transformation unit. Here, the second photoelectric transformation unit includes: an N-type I-VII group semiconductor layer; a I-VII group quantum-well layer; and a P-type I-VII group semiconductor layer. The N-type I-VII group semiconductor layer is placed on top of the first photoelectric transformation unit and includes CuCl_xBr_yI_(1-x-y) (0.5
摘要翻译：公开了可以在低温下生长的光电元件，可以在廉价的大面积硅晶片上生长，并且具有优异的发光特性。光电元件包括第一光电转换单元和第二光电变换单元。第二光电转换单元放置在第一光电变换单元的顶部，并且包括具有比第一I-VII光电变换单元大的带隙的I-VII组半导体层。这里，第二光电转换单元包括：N型I-VII族半导体层; I-VII族量子阱层; 和P型I-VII族半导体层。 N型I-VII族半导体层被放置在第一光电转换单元的顶部，并且包括CuCl_xBr_yI_（1-x-y）（0.5

37. 发明公开

KR1020140096483A 투명화 방법 有权
标题翻译：隐形方法
公开(公告)号：KR1020140096483A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130009014
申请日：2013-01-28
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G01S7/36 , H05K9/00
摘要： A transparency method is disclosed. According to an embodiment of the present invention, the transparency method, in bipolar cylindrical coordinates determined by a coordinate axis of (σ, τ, z; a), is configured to determine a σ1 which is a σ value about a half the length (a) of an object to be shielded in order to cover a surface of the object to be shielded; and to determine a σ2 which is a σ value about a thickness of meta materials by using a refractive index of the determined meta material after determining the meta materials in order to shield the object to be shielded.
摘要翻译：公开了一种透明度方法。根据本发明的实施例，在由（σ，τ，z; a）的坐标轴确定的双极圆柱坐标中的透明度方法被配置为确定约为长度的一半的σ值的σ1 a）被遮蔽的物体以覆盖待屏蔽物体的表面; 并且通过在确定元素材料之后使用所确定的超材料的折射率来确定σ2，该σ2是关于元素的厚度的σ值，以屏蔽待屏蔽的物体。

38. 发明授权

KR101392218B1 반도체 발광소자 有权
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR101392218B1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020130016235
申请日：2013-02-15
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/28
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/025 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/38
摘要： A semiconductor light generating device with improved luminous efficiency is disclosed. The semiconductor light generating device comprises: an active layer which generates light by recoupling of electrons and holes; an n-type ZnO-based semiconductor layer which is positioned at a side of the active layer, and into which the electrons are injected; a p-type GaN-based semiconductor layer which is positioned at the other side of the active layer, and into which the holes are injected; and an electron barrier layer which is positioned between the active layer and the p-type GaN-based semiconductor layer, wherein the electron barrier layer has a type-2 band arrangement including a GaN-based semiconductor. Thus, the semiconductor light generating device of the present invention has a hybrid structure comprising an N side constituted by ZnO-based semiconductors and a P side constituted by GaN-based semiconductors, thereby improving the luminous efficiency and solving the difficulty in doping p-type impurities when manufacturing a light generating device using only ZnO-based semiconductors. In addition, carriers can be easily injected since the electron barrier layer capable of blocking the electrons and passing the holes has a type-2 heterojunction structure by GaN-based semiconductors.
摘要翻译：公开了一种具有改善发光效率的半导体发光器件。半导体光产生装置包括：通过电子和空穴的再耦合产生光的有源层; n型ZnO类半导体层，其位于有源层的一侧，电子注入其中; p型GaN基半导体层，其位于有源层的另一侧，并且注入孔; 以及位于有源层和p型GaN基半导体层之间的电子势垒层，其中电子势垒层具有包括GaN基半导体的2型带结构。因此，本发明的半导体光发生装置具有包含由ZnO系半导体构成的N侧和由GaN系半导体构成的P侧的混合结构，能够提高发光效率，解决p型当制造仅使用ZnO基半导体的发光装置时的杂质。此外，载流子可以容易地注入，因为能够阻挡电子并通过空穴的电子势垒层通过GaN基半导体具有2型异质结结构。

39. 发明授权

KR101383991B1 연결된 비대칭 양자 구속 구조 有权
标题翻译：耦合不对称量子限制结构
公开(公告)号：KR101383991B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020127009053
申请日：2010-11-19
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G02F1/017 , G02F2/02 , H01L29/15
CPC分类号： H01L21/00 , B82Y20/00 , G02F1/00 , G02F1/017 , G02F2001/01741 , H01L21/02521 , H01L29/00 , H01L29/122
摘要： 연결된 비대칭 양자 구속 구조 (300) 는 양자 우물 또는 양자 점들과 같은 제 1 및 제 2 양자 구속 구조들 (302, 322) 을 포함하고, 제 1 및 제 2 구조들은 폭 (320, 324) 과 같은 적어도 하나의 물리적 치수에서 상이하고, 직렬로 연결된다. 연결된 구조 (300) 는 광신호의 지연 및/또는 주파수에 영향을 미칠 수 있고, 광 집적 회로에서의 컴포넌트로서 사용될 수 있다. 제 1 및 제 2 구조들 (302, 322) 은 공통 기판 (311) 상에 형성될 수도 있다.

40. 发明授权

KR101101387B1 그래핀과 전도체 선을 이용한 나노 트랜지스터 有权
标题翻译：采用石墨烯和导线的纳米晶体管
公开(公告)号：KR101101387B1
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020100030453
申请日：2010-04-02
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열 , 손맹호 , 이용윤 , 고석남 , 이문선
IPC分类号： H01L29/775
摘要： 본 발명에 따른 나노 트랜지스터는 그래핀 나노 리본, 절연층 및 전도체 선을 포함한다. 그래핀 나노 리본은, 그래핀(graphene) 물질로 형성되어, 소오스 영역, 드레인 영역 및 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 구비한다. 절연층은 그래핀 나노 리본 위에 형성된다. 전도체 선은 절연층 위에서 그래핀 나노 리본의 채널 영역의 길이 방향에 대하여 교차한 방향으로 형성된다. 전도체 선에 전류가 흐름에 따라 소오스 영역 측의 자기장 방향과 드레인 영역 측의 자기장 방향은 반대가 된다. 또한, 그래핀 나노 리본에서 드레인 영역으로부터 소오스 영역으로 흐르는 전류가 전도체 선에 흐르는 전류에 의하여 제어된다.

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