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31. 发明授权

KR102003472B1 ＬＥＤ 구동회로 및 이를 포함하는 발광장치 有权
公开(公告)号：KR102003472B1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：KR1020110146391
申请日：2011-12-29
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정혜만 , 강현구 , 정영도
IPC分类号： H05B37/02

32. 发明授权

KR101964442B1 ＬＥＤ 구동회로 패키지 有权
公开(公告)号：KR101964442B1
公开(公告)日：2019-04-01
申请号：KR1020147037130
申请日：2012-01-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정영도 , 강현구 , 정혜만 , 이강녕
IPC分类号： H05B33/08 , H05B37/02

33. 发明公开

KR1020170022837A 발광소자 구동회로 및 조명장치 审中-实审
标题翻译：用于发光二极管的驱动电路和照明装置
公开(公告)号：KR1020170022837A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150189712
申请日：2015-12-30
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 임광배 , 진성호 , 한상욱 , 정영도
IPC分类号： H05B33/08 , F21V23/02 , F21V23/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H05B33/0845 , H05B33/0809 , H05B33/083 , H05B37/0227 , H05B37/0281
摘要： 본발명은플리커를개선함과동시에광 효율및 전기특성을향상시킬수 있는발광소자구동회로및 조명장치가개시된다. 개시된발광소자구동회로는선택된조광수준에따라입력된교류전압을변조하는조광기와, 조광기로부터출력되는변조된교류전압을전파정류하여구동전압을생성및 출력하는정류부와, 정류부의구동전압을입력받아선택된조광수준을검출하고, 검출된조광수준에따라복수의발광소자그룹의구동모드를제어하는구동모듈을포함하고, 구동모듈은복수의발광소자그룹전체를구동시키는저항구동모드또는순차구동모드중 하나를선택하여광 효율및 전기적특성을향상시킬수 있다.
摘要翻译：本文公开了一种用于能够改善闪烁，光效率和电特性的发光二极管的驱动电路和照明装置。所公开的用于发光二极管的驱动电路包括：根据所选择的调光电平调制AC电压输入的调光器; 整流器全波整流从调光器输出的调制交流电压以产生和输出驱动电压; 以及驱动模块，其接收整流器的驱动电压以检测所选择的调光水平，并根据检测到的调光水平控制多个发光二极管组的驱动模式，其中驱动模块选择电阻驱动模式驱动所有多个发光二极管组和顺序驱动模式顺序地驱动多个发光二极管组以提高光效率和电特性。

34. 发明公开

KR1020160136813A 수직형 컨택 구조를 구비하는 질화물계 다이오드 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有垂直接触结构的氮化物基二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160136813A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150070860
申请日：2015-05-21
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 곽준식 , 정영도
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/768 , H01L29/861 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/768 , H01L29/778 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： 일실시예에따르는질화물계다이오드소자는서로대향하는제1 면및 제2 면을구비하는제1 질화물계반도체패턴층, 및상기제1 질화물계반도체패턴층의제1 면상에배치되고상기제1 질화물계반도체패턴층과각각쇼트키접합및 오믹접합을이루는제1 전극패턴층과제2 전극패턴층을구비한다. 또한, 상기질화물계다이오드소자는상기제1 질화물계반도체패턴층의제2 면상에배치되고상기제1 질화물계반도체패턴층과서로다른에너지밴드갭을구비하는제2 질화물계제1 반도체패턴층, 상기제1 전극패턴층과제1 수직형컨택층에의해전기적으로연결되는제1 전극패드, 및상기제2 전극패턴층과제2 수직형컨택층에의해전기적으로연결되는제2 전극패드를포함한다. 이때, 상기제1 전극패드와상기제2 전극패드는상기제1 질화물계반도체패턴층을기준으로상하방향으로서로반대쪽에배치된다.
摘要翻译：根据一个实施方案的氮化物基二极管元件包括：第一氮化物基半导体图案层，其包括第一平面和彼此面对的第二平面; 以及布置在第一氮化物基半导体图案层的第一平面上的第一电极图案层和第二电极图案层，分别与第一氮化物基半导体图案层形成肖特基接触和欧姆接触。此外，氮化物基二极管元件包括：第二氮化物基第一半导体图案层，其布置在第一氮化物基半导体图案层的第二平面上，并且具有与第一氮化物基半导体图案层的能带隙不同的能带隙半导体图案层; 第一电极焊盘，其通过第一垂直接触层电连接到第一电极图案层; 以及第二电极焊盘，其通过第二垂直接触层电连接到第二电极图案层，其中第一电极焊盘和第二电极焊盘基于第一氮化物层，在垂直方向上彼此相对地布置，基于半导体图案层。

35. 发明公开

KR1020160049961A 발광소자 구동회로 및 조명장치 无效
标题翻译：用于发光二极管的驱动电路和照明装置
公开(公告)号：KR1020160049961A
公开(公告)日：2016-05-10
申请号：KR1020150118034
申请日：2015-08-21
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 임광배 , 진성호 , 한상욱 , 정영도
IPC分类号： H05B37/02 , H05B33/08 , F21V23/02 , F21Y101/02
CPC分类号： Y02B20/346 , Y02B20/46
摘要： 본발명은플리커를개선함과동시에광 효율및 전기특성을향상시킬수 있는발광소자구동회로및 조명장치가개시된다. 개시된발광소자구동회로는선택된조광수준에따라입력된교류전압을변조하는조광기와, 조광기로부터출력되는변조된교류전압을전파정류하여구동전압을생성및 출력하는정류부와, 정류부의구동전압을입력받아선택된조광수준을검출하고, 검출된조광수준에따라복수의발광소자그룹의구동모드를제어하는구동모듈을포함하고, 구동모듈은복수의발광소자그룹전체를구동시키는저항구동모드또는순차구동모드중 하나를선택하여광 효율및 전기적특성을향상시킬수 있다.
摘要翻译：在本发明中公开了一种用于发光二极管的驱动电路和照明装置，其可以在提高光效率和电特性的同时改善闪烁。所公开的用于发光二极管的驱动电路包括：调光器，被配置为根据所选择的调光电平来调制输入交流电压; 整流单元，被配置为通过对从调光器输出的调制AC电压进行全波整流来产生驱动电压，并输出所产生的驱动电压; 以及驱动模块，被配置为接收整流单元的驱动电压以检测所选择的调光电平，并且根据检测到的调光电平来控制多个发光二极管组的驱动模式。驱动模块选择用于驱动所有发光二极管组的电阻驱动模式和用于顺序驱动发光二极管组的顺序驱动模式之一，从而提高光效率和电特性。

36. 发明公开

KR1020150054261A 질화물계 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：基于NITNIDE的场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150054261A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136481
申请日：2013-11-11
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이관현 , 곽준식 , 정영도 , 이강녕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7827
摘要： 본발명의질화갈륨계소자의제조방법은, 사파이어기판상에질화갈륨계소자를구성하는질화갈륨계적층체를형성하는단계; 상기질화갈륨계적층체의상기사파이어기판이위치한면의반대면에제1 열전도성기판을부착하는단계; 상기사파이어기판을제거하는단계; 상기사파이어기판이제거된상기질화갈륨계적층체면에부가적인적층체를 형성하는단계; 및상기부가적인적층체의노출면에제2 열도전성기판을부착하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明的氮化物系场效应晶体管的制造方法包括：在蓝宝石基板上形成氮化物系场效应晶体管的氮化物系层叠体的工序; 在所述氮化物系层叠体的蓝宝石基板所在的区域的相对侧附着第一导热基板的工序; 去除蓝宝石衬底的步骤; 在除去蓝宝石衬底的氮化物基层压区域上形成附加层压体的步骤; 以及将第二导热基板附着在附加层叠体的曝光区域上的步骤。根据本发明，可以以低廉的制造成本有效地防止漏电流。

37. 发明公开

KR1020150018853A ＬＥＤ 구동회로 및 이를 포함하는 ＬＥＤ 발광 장치 审中-实审
标题翻译： LED驱动电路和包含该LED驱动电路的光源装置
公开(公告)号：KR1020150018853A
公开(公告)日：2015-02-24
申请号：KR1020147037161
申请日：2012-01-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정영도 , 강현구 , 정혜만 , 이강녕
IPC分类号： H05B33/08 , H05B37/02
CPC分类号： H05B33/083 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0818 , H05B33/0824 , Y02B20/347 , H05B33/0806 , H05B37/02 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
摘要： LED(Light-Emitting Diode)구동 회로에 있어서, 교류 전원의 전압을 수신하는 입력부; 상기 교류 전원의 전압을 정류하고 단방향 맥류 전압을 출력하는 정류 회로부; 및 복수의 PWM 결정 신호를 생성하고, 상기 복수의 PWM 결정 신호에 따라LED 구동을 제어하는 PWM 신호 발생부;를 포함한다.
摘要翻译：配置为接收交流（AC）功率的发光二极管（LED）发光装置包括多个LED单元，以及电连接到多个LED单元的多个恒流控制单元。电流控制单元被配置为控制流过每个LED单元的电流，使得电流具有特定的大小。

38. 发明公开

KR1020150018609A LED 구동회로 审中-实审
标题翻译： LED驱动电路
公开(公告)号：KR1020150018609A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020147037160
申请日：2012-01-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정영도 , 강현구 , 정혜만 , 이강녕
IPC分类号： H05B33/08 , H05B37/02
CPC分类号： H05B33/083 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0818 , H05B33/0824 , Y02B20/347 , H05B37/0227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
摘要： 교류 전원을 수신하여 복수의 LED부를 구동하는 LED 구동회로에 있어서, 교류 전원의 전압을 수신하는 입력부; 복수의 LED부 각각과 직렬연결되는 복수의 정전류 제어회로부;를 포함하고, 정정류 제어 회로부는 교류전원의 위상에 따라 택일적으로 구동되는 LED 구동회로에 관한 것이다.
摘要翻译：配置为接收交流（AC）功率的发光二极管（LED）发光装置包括多个LED单元，以及电连接到多个LED单元的多个恒流控制单元。电流控制单元被配置为控制流过每个LED单元的电流，使得电流具有特定的大小。

39. 发明公开

KR1020150012020A 수직형 갈륨나이트라이드 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：垂直GaN转移器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150012020A
公开(公告)日：2015-02-03
申请号：KR1020130087317
申请日：2013-07-24
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이관현 , 곽준식 , 정영도 , 이강녕
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 직형 갈륨나이트라이드(GaN) 트랜지스터는, 기판과, 기판 위의 버퍼층과, 버퍼층 위에서 버퍼층의 일부 표면을 노출시키는 마스크층패턴과, 마스크층패턴 및 버퍼층의 노출 표면 위의 갈륨나이트라이드층과, 갈륨나이트라이드층의 일부 표면 위의 제1 드리프트층과, 제1 드리프트층 위에서 드리프트층의 일부 표면을 노출시키는 전류차단층패턴과, 전류차단층패턴에 의해 노출되는 제1 드리프트층 위의 제2 드리프트층과, 전류차단층패턴 위의 채널층과, 채널층으로 둘러싸이도록 전류차단층패턴 위에 배치되는 도우너층과, 제2 드리프트층 위에서 게이트절연층을 개재하여 배치되는 게이트전극과, 도우너층과 컨택되도록 배치되는 소스전극과, 그리고 제1 드리프트층과 이격되도록 갈륨나이트라이드층 위에 배치되는 드레인전극을 포함한다.
摘要翻译：垂直GaN晶体管包括衬底，衬底上的缓冲层，形成在缓冲层上并暴露缓冲层的一部分的掩模层图案，缓冲层的表面上的GaN层和掩模层图案，第一漂移层，其形成在第一漂移层上并暴露部分漂移层;第二漂移层，形成在由电流阻挡层图案暴露的第一漂移部上，电流阻挡层图案上的沟道层，施主层，其布置在电流阻挡层图案上以围绕沟道层;栅电极，形成在第二漂移层上，并通过插入栅极绝缘层，布置成与施主层接触的源电极，以及配置在与第一漂移层分离的GaN层上的漏电极。

40. 发明公开

KR1020140147435A 질화물계 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：基于NITNIDE的场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140147435A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070692
申请日：2013-06-20
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이관현 , 곽준식 , 정영도 , 이강녕
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： A field effect transistor according to the present invention includes a first semiconductor layer doped in an n-type as a first polarity and having a drain electrode; a second semiconductor layer formed of non-doped semiconductor on the first semiconductor layer; a third semiconductor layer doped in a p-type as a second polarity and having a source electrode on the second semiconductor; an insulating layer formed on the third semiconductor layer; a gate electrode formed on the insulating layer; and a blocking layer formed in low areas of the gate electrode on the insulating layer and the source electrode to block a vertical current path between the source electrode and the drain electrode. When a gallium nitride field effect transistor is embodied according to the present invention described above, the transistor may have high-voltage resistance, high current density and a normally off property.
摘要翻译：根据本发明的场效应晶体管包括以n型掺杂为第一极性并具有漏电极的第一半导体层; 在所述第一半导体层上由非掺杂半导体形成的第二半导体层; 掺杂在p型中的第三半导体层作为第二极性，并且在第二半导体上具有源电极; 形成在所述第三半导体层上的绝缘层; 形成在所述绝缘层上的栅电极; 以及形成在所述绝缘层和所述源电极上的所述栅电极的低区域中的阻挡层，以阻断所述源电极和所述漏电极之间的垂直电流路径。当根据上述本发明实现氮化镓场效应晶体管时，晶体管可以具有高电压电阻，高电流密度和正常关断特性。

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