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31. 发明授权

KR101085449B1 표시장치 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR101085449B1
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：KR1020050030343
申请日：2005-04-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동원 , 최범락 , 정진구 , 이정수 , 왕지안푸 , 홍상미
IPC分类号： H05B33/22
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/3248
摘要： 표시품질을 향상시키기 위한 표시장치가 개시된다. 표시장치는 기판 및 기판 상에 다각형 형상으로 형성되고, 구동 전류에 상응하는 광을 발생하는 발광부를 갖는 유기전계 발광소자를 포함한다. 유기전계 발광 소자는 기판 상에 형성된 제1 전극, 제1 전극을 노출시키기 위한 개구부를 갖는 격벽, 개구부 내에 형성되어 구동 전류에 상응하는 광을 발생하는 유기 발광층 및 기판 전면에 형성되는 제2 전극을 포함하고, 개구부는 발광부에 대응하도록 모서리가 모따기된 형상을 갖는다. 따라서, 격벽의 모서리 영역에서도 유기 발광물질이 고르게 분산되어 휘도의 균일성이 향상된다.

32. 发明公开

KR1020080063539A 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：有机发光显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080063539A
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020070000055
申请日：2007-01-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동원 , 추창웅 , 이정수
IPC分类号： H05B33/22
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L51/0003 , H01L51/5088 , H01L51/56
摘要： An organic light emitting diode device and a method for manufacturing the same are provided to obtain a hole injection layer with high flatness by forming the hole injection layer by a spin coating method not an ink-jet printing method by using an insulating member. A substrate(101) has a plurality of pixel regions. A switch thin film transistor(T1) is formed on each of the pixel regions. A drive thin film transistor(T2) is connected to the switch thin film transistor. An organic film is formed on upper parts of the switch thin film transistor and the driving thin film transistor and includes contact holes(128,129) to expose drain electrodes(115,125) of the drive thin film transistor. An anode(130) is formed on the organic film and connected to the drain electrodes of the drive thin film transistor through the contact holes. A hole injection layer(135) is coated on an entire surface of the organic film. An organic light emitting layer(134) is formed on the hole injection layer. A cathode(136) is formed on the organic light emitting layer. An insulating member(137) is positioned between the anode and the cathode and covers a portion adjacent to the contact holes.
摘要翻译：提供了一种有机发光二极管装置及其制造方法，通过使用绝缘构件的喷墨印刷方法，通过旋涂方法形成空穴注入层来获得高平坦度的空穴注入层。衬底（101）具有多个像素区域。在每个像素区域上形成开关薄膜晶体管（T1）。驱动薄膜晶体管（T2）连接到开关薄膜晶体管。在开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的上部形成有机膜，并且包括用于露出驱动薄膜晶体管的漏电极（115,125）的接触孔（128,129）。阳极（130）形成在有机膜上，并通过接触孔与驱动薄膜晶体管的漏电极连接。空穴注入层（135）被涂覆在有机膜的整个表面上。在空穴注入层上形成有机发光层（134）。在有机发光层上形成阴极（136）。绝缘构件（137）位于阳极和阴极之间并且覆盖与接触孔相邻的部分。

33. 发明授权

KR100676813B1 표시장치의 제조방법, 이에 의한 표시장치 및 이에사용되는 제조장치 有权
标题翻译：用户名，密码以及注册用户名和密码不能重复使用
公开(公告)号：KR100676813B1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050118601
申请日：2005-12-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동원 , 정진구 , 이정수
IPC分类号： H05B33/10
摘要： A method for manufacturing a display device, a display device by the same and a manufacturing apparatus therefor are provided to prevent a deformation of a hole injection layer due to a sub jetting area by drying second inks placed on a center and a circumference of the sub jetting area respectively in a similar condition. A method for manufacturing a display device includes the steps of: forming a thin film transistor on an upper face of an insulation substrate(110); forming an electrode connected to the thin film transistor electrically; forming a partition(141) surrounding the electrode; supplying a first solvent(155) to a surface of the electrode which is surrounded by the partition(141); and supplying an ink including an organic material and a second solvent to the surface of the electrode to which the first solvent(155) is supplied already.
摘要翻译：本发明提供一种显示装置的制造方法及其显示装置及其制造装置，其通过干燥配置在该子显示装置的中心及周围的第二油墨来防止由于副喷射区域引起的空穴注入层的变形喷射区域分别处于相似的状态。一种用于制造显示装置的方法包括以下步骤：在绝缘衬底（110）的上表面上形成薄膜晶体管; 形成电连接到所述薄膜晶体管的电极; 形成围绕电极的隔板（141）; 将第一溶剂（155）供应至由所述隔板（141）围绕的所述电极的表面; 并且将包括有机材料和第二溶剂的墨供应到已经供应第一溶剂（155）的电极的表面。

34. 发明公开

KR1020010106635A 시스템 클럭 신호 변경 회로 无效
标题翻译：转换系统时钟信号电路
公开(公告)号：KR1020010106635A
公开(公告)日：2001-12-07
申请号：KR1020000027475
申请日：2000-05-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정수
IPC分类号： G06F1/06
摘要： 본 발명은 제 1 클럭 신호와 제 2 클럭 신호 가운데 하나를 시스템 클럭 신호로 사용하기 위한 시스템 클럭 신호 선택 회로에 관한 것으로, 상기 선택 회로는, 상기 제 1 클럭 신호와 제 2 클럭 신호가 서로 동기될 때 펄스 신호를 출력하는 동기 수단, 상기 동기 회로로부터 출력되는 펄스 신호에 동기되어 상기 선택 신호를 출력 신호로 출력하는 래치 수단, 상기 래치 수단으로부터 출력되는 신호의 반전된 신호와 상기 선택 신호를 받아들여 낸드 연산하는 낸드 게이트, 상기 래치 수단으로부터 출력되는 신호와 상기 제 2 클럭 신호를 받아들여 앤드 연산하는 제 1 앤드 게이트, 상기 래치 수단으로부터 출력되는 신호의 반전된 신호, 상기 낸드 게이트로부터 출력되는 신호 그리고 상기 제 1 클럭 신호를 받아들여 앤드 연산하는 제 2 앤드 게이트, 그리고 상 기 제 1 및 제 2 앤드 게이트들의 출력 신호들을 받아들여 오아 연산하는 오아 게이트를 포함한다.

35. 发明公开

KR1020010073706A 반도체 소자의 듀얼 게이트 절연막 형성방법 无效
标题翻译：用于制造半导体器件双栅绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR1020010073706A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：KR1020000002486
申请日：2000-01-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유재윤 , 이정수 , 이내인
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: A method for creating the dual gate insulating film of a semiconductor device is provided to prevent a gate insulating film damaging by performing a rinsing process after a nitrifying process. CONSTITUTION: The first gate insulating film(42) is formed on a substrate(40). A mask pattern covering the first region is formed on the first gate insulating film(42). The first gate insulating film(42) is etched to expose the substrate(40), so that the second region of the substrate(40) is exposed. A nitride film(46) is formed on the first gate insulating film(42) and the substrate(40), and a rinsing process is preformed. The second insulating film(48) is formed between the first gate insulating film(42) of the first region and the substrate(40) and between the nitride film(46) of the second region and the substrate(40). The second gate insulating film(48) is formed by oxidizing the structure on which the nitride film(46) is formed.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的双栅极绝缘膜的方法，以在硝化过程之后通过执行漂洗处理来防止栅极绝缘膜损坏。构成：第一栅极绝缘膜（42）形成在基板（40）上。在第一栅极绝缘膜（42）上形成覆盖第一区域的掩模图案。蚀刻第一栅极绝缘膜（42）以暴露衬底（40），使得衬底（40）的第二区域被暴露。在第一栅极绝缘膜（42）和基板（40）上形成氮化物膜（46），进行漂洗处理。第二绝缘膜（48）形成在第一区域的第一栅极绝缘膜（42）和基板（40）之间以及第二区域的氮化物膜（46）和基板（40）之间。通过氧化形成有氮化膜（46）的结构，形成第二栅极绝缘膜（48）。

36. 发明授权

KR100254564B1 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100254564B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019970071283
申请日：1997-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정수
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/525 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to selectively connect between pads and ports of a main circuit part. CONSTITUTION: The semiconductor device comprises a plurality of pads(PAD #0¯ PAD #i) formed in a chip, a main circuit part(100) having a plurality of I/O ports, a plurality of first interconnections(A0¯Ai), a plurality of second interconnections(B0¯Bi), a plurality of third interconnections(C0¯Ci), and a plurality of contact regions for selectively connecting the interconnections each other. One ends of the second interconnections(B0¯Bi) are connected to the pads, respectively. One ends of the third interconnections(C0¯Ci) are connected to the I/O ports, and the other ends of the third interconnections(Co¯Ci) are connected to the first interconnections, respectively.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以选择性地连接主电路部分的焊盘和端口。构成：半导体器件包括形成在芯片中的多个焊盘（PAD＃0〜PAD #i），具有多个I / O端口的主电路部分（100），多个第一互连（A0Ai），多个第二互连（B0〜Bi），多个第三互连（C0〜Ci）以及用于选择性地将互连连接的多个接触区域。第二互连（B0〜Bi）的一端分别连接到焊盘。第三互连（C0〜Ci）的一端连接到I / O端口，第三互连（Co¯Ci）的另一端分别连接到第一互连。

37. 发明公开

KR1020000020011A 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 절연막 제조방법 无效
标题翻译：用于制造半导体的器件和形成绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR1020000020011A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980038409
申请日：1998-09-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동근 , 이정수
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: A device for manufacturing semiconductor and method for forming insulation film is provided to reduce the temperature of a wafer by injecting source gas into a reaction chamber after thermal decomposition process. CONSTITUTION: A device for manufacturing semiconductor comprises a chamber(100)containing wafers to be loaded, a main heater(104) for heating the chamber, a reaction gas injector(110) for injecting gas into the chamber, a source gas injector(108) for injecting source gas into the chamber, and a sub heater(114) positioned in outside of the chamber. The sub heater performs the thermal decomposition process to the source gas. The source gas is used to form an insulation film on the surface of the wafer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体的器件和用于形成绝缘膜的方法，用于通过在热分解处理之后将源气体注入反应室来降低晶片的温度。构成：半导体制造装置包括容纳待加载晶片的腔室（100），用于加热腔室的主加热器（104），用于将气体注入腔室的反应气体喷射器（110），源气体喷射器（108）），用于将源气体注入到所述室中，以及位于所述室外部的副加热器（114）。副加热器对源气进行热分解处理。源气体用于在晶片的表面上形成绝缘膜。

38. 发明公开

KR1019980026091A 반도체 소자의 커패시터 제조방법 无效
公开(公告)号：KR1019980026091A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044416
申请日：1996-10-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용원 , 이정수
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 커패시터 제조 방법에 대해 기재되어 있다.
반도체 기판 상에 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 스토리지 전극 상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막이 형성된 반도체 기판에 질소를 포함하는 가스를 사용하여 어닐링(Annealing)하는 단계; 상기 산화막 상에 탄탈륨 옥사이드(Ta
2 O
5 )를 증착하여 유전막을 형성하는 단계로 이루어진다.
그 결과, 스토리지 전극 상에 형성된 산화막의 상부와 하부에 그 구성 물질이 옥시 나이트라이드(NO)인 물질층을 형성함으로써, Ta
2 O
5 유전막 내의 산소 원자가 활성화되어 전극의 구성 물질과 결합하는 것을 방지하므로 누설 전류를 발생시키지 않고, 또한 원하는 두께의 등가 산화막을 형성할 수 있다.

39. 发明公开

KR1019980026090A 반도체 소자의 트렌치 소자 분리 방법 无效
标题翻译：半导体器件沟槽器件的隔离方法
公开(公告)号：KR1019980026090A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044415
申请日：1996-10-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정수 , 임은택
IPC分类号： H01L21/76
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 트렌치 소자 분리 방법에 대해 기재되어 있다.
반도체 기판에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치의 측벽 및 바닥에 산화막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판에 질소(N)를 포함하는 가스를 이용하여 어닐링(Annwaling)하는 단계; 및 상기 반도체 기판 상에 산화막을 증착하여 상기 트렌치를 매우는 단계로 이루어진다.
즉, 트렌치 측벽 및 바닥에 형성된 산화막과 반도체 기판과의 계면에 옥시 나이트라이드(NO)로 구성된 물질층을 형성함으로써, 누설 전류 및 항복 전압과 같은 소자 분리 특성을 개선시킬 수 있다.

40. 发明授权

KR101800745B1 기기간 연결 방법 및 그 장치 有权
公开(公告)号：KR101800745B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020110042634
申请日：2011-05-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정진국 , 박재석 , 유제혁 , 김남훈 , 변무홍 , 원영민 , 오정현 , 이정수 , 송은영
IPC分类号： H04W76/02 , G06Q30/00 , H04W4/12 , G06F15/16
CPC分类号： H04L67/16 , H04L67/24
摘要： 제 1 디바이스로부터제 1 디바이스가요구하는소정의조건에따른복수의제 2 디바이스에대한선택요청을수신하여, 복수의제 2 디바이스와제 1 디바이스를연결하는가상디바이스채널을생성하는기기간연결방법이개시되어있다.

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