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热词
    • 31. 发明授权
    • 과학 실험용 선반장치
    • 研究科学原理的装置
    • KR101188525B1
    • 2012-10-08
    • KR1020110026288
    • 2011-03-24
    • 배은식강현종장준이상윤
    • 배은식강현종장준이상윤
    • G09B25/02G09B19/24G09B23/06G09B19/00
    • G09B25/02G09B19/0069G09B19/24G09B23/06
    • PURPOSE: A shelf device for scientific experiment is provided to enable a user to visually understand operation principle and basic constitution of a shelf through the process of sharpening a pencil by a cutting tool. CONSTITUTION: A tool rest includes a moving body(31) and a vertical connector(32). The moving body includes a mounting groove(31a) for mounting a cutting device. The vertical connector connects the moving body and a slide rest. The vertical connector is extended from the bottom side of the moving body downwardly. The slide rest includes a rack rod(41), a pinion(42), a connection rod(43) and a knob(44). The rack rod is attached along an extension groove. The connection rod is hinge-coupled to the pinion and the vertical connector. The knob is attached on both ends of the connection rod.
    • 目的:提供用于科学实验的架子装置,使用户能够通过切削工具对铅笔进行锐化的过程,直观地了解搁板的操作原理和基本结构。 构成:刀架包括移动体(31)和垂直连接器(32)。 移动体包括用于安装切割装置的安装槽(31a)。 垂直连接器连接移动体和滑动支架。 垂直连接器从移动体的底侧向下延伸。 滑动支架包括齿条杆(41),小齿轮(42),连接杆(43)和旋钮(44)。 齿条杆沿着延伸槽安装。 连接杆铰链连接到小齿轮和垂直连接器。 旋钮连接在连接杆的两端。
    • 33. 发明授权
    • 방근 시공용 실링제 및 그 제조 방법 그리고 방근 시공 방법
    • 密封材料及其制造方法及其制作方法
    • KR101131544B1
    • 2012-04-04
    • KR1020090050075
    • 2009-06-05
    • 이대우이상윤
    • 이대우이상윤김영근
    • E04D11/02E04B1/66E04B1/62
    • 본 발명은 옥상녹화를 위한 방근 시공 방법에 고나한 것으로, 본 발명에 따른 방근 시공 방법은 PP, PE, PET, EVA, PVC 등의 고분자합성수지 필름시트에 점.접착제를 도포하여 제조한 방수 및 방근 기능을 겸비한 방수 및 방근 시트를 바탕콘크리트와 강력하게 밀착 부착한 후에 시트 끝단의 일단부가 10㎝씩 겹치도록 시트와 시트를 연결부착하여 시공한 후 겹침부위 상부에 동박이 부착된 테이프를 부착하고, 동박 테이프의 끝단부에 금속성 분말(동(銅.구리)분말)이 다량 함유된 금속성 실링제를 도포하여 방수 및 방근을 위한 시공을 1차로 완료한다.
      1차로 시공을 완료한 후에 방수 및 방근층 보호를 위하여 2차로 고분자합성수지 소재인 PP, PE, EVA, PVC 등의 필름시트 및 천막지 또는 압축 폴리스틸렌 단열재 및 PP. PE 발포시트를 깔아주면서 연결접합부위의 상부는 동박이 부착된 테이프를 부착하면서 양끝단에 금속성 실링제를 도포하여 2차 시공을 완료함으로서, 2중으로 방수 및 방근 기능을 발휘하도록 시공한 효과를 얻게하여 완벽한 방수 및 방근 시공을 완료함은 물론이고 단열효과까지 얻도록 함으로서 2중~3중의 시공효과를 얻도록 하는 것이다.
      방근, 실링제, 금속성분발
    • 35. 发明授权
    • 3차원 반도체 장치의 제조 방법
    • 制造三维半导体器件的方法
    • KR100989546B1
    • 2010-10-25
    • KR1020080046991
    • 2008-05-21
    • 이상윤
    • 이상윤
    • H01L27/11
    • 기판 접합을 통한 3차원 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 이와 같은 본 발명의 3차원 반도체 장치의 제조 방법은 제 1 반도체 기판을 제공하고, 상기 제 1 반도체 기판 상에 제 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터를 형성하고, 상기 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터를 덮는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 제 2 반도체 기판을 접합시키고, 상기 제 2 반도체 기판에, 상기 제 1 반도체 기판 상에 형성된 상기 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 상기 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터와 반대 타입의 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터를 형성하는 것을 포함하되, 상기 제 2 반도체 기판에 상기 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터를 형성하는 것은 수직 채널을 갖는 MOS 트랜지스터를 형성하는 것을 포함한다.
      3차원, SRAM, 접합
    • 提供了通过衬底结合来制造三维半导体器件的方法。 根据本发明的制造三维半导体器件的方法包括:提供第一半导体衬底;在第一半导体衬底上形成NMOS或PMOS晶体管;形成覆盖NMOS或PMOS晶体管的层间绝缘膜; 形成在第一半导体衬底上并电连接到NMOS或PMOS晶体管的NMOS或PMOS晶体管;以及与NMOS或PMOS晶体管相反类型的NMOS或PMOS晶体管, 形成PMOS晶体管,其中在所述第二半导体衬底中形成所述NMOS或PMOS晶体管包括形成具有垂直沟道的MOS晶体管。
    • 36. 发明公开
    • 3차원 반도체 장치의 제조 방법
    • 制备三维半导体器件的方法
    • KR1020100106702A
    • 2010-10-04
    • KR1020090024793
    • 2009-03-24
    • 이상윤
    • 이상윤
    • H01L23/10H01L21/50H01L21/48
    • H01L2924/0002H01L2924/01005H01L2924/00
    • PURPOSE: A three dimensional semiconductor device manufacturing method is provided to prevent the disconnection between the upper semiconductor substrate and a junction layer by preventing the occurrence of the space due to the step difference of scribe line between the top semiconductor substrate and the junction layer. CONSTITUTION: A first interlayer insulating film(120) is formed on a first semiconductor substrate(100). A scribe line is formed by etching a portion of the surface of the first interlayer insulation film. A second interlayer insulation film(130) is formed on the first interlayer insulation film. An insulation layer(140) is formed on the second interlayer insulation film to bury the scribe line.
    • 目的:提供一种三维半导体器件制造方法,用于通过防止由于顶部半导体衬底和结层之间的划线的阶差而导致的空间发生,防止上半导体衬底和结层之间的断开。 构成:在第一半导体衬底(100)上形成第一层间绝缘膜(120)。 通过蚀刻第一层间绝缘膜的表面的一部分来形成划线。 在第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜(130)。 绝缘层(140)形成在第二层间绝缘膜上以埋设划线。
    • 37. 发明公开
    • 피씨비기판 현상액 거품제거장치
    • 用于PCB开发商的泡罩拆卸仪器
    • KR1020100078713A
    • 2010-07-08
    • KR1020080137055
    • 2008-12-30
    • 이상윤
    • 이상윤
    • H05K3/06G03F7/23
    • PURPOSE: A print circuit board developer removing bubble is provided to remove the bubble to the centrifugal force which uses the rotation of impeller by inhaling the bubble floating in a superficial layer of developer. CONSTITUTION: A developer is involved in a developing solution tank(1). A mounting hole is formed in the upper side of the developing solution tank. A shaft of a motor(3) passes through the axis insertion hole of a first flange(2). An impeller is installed to the end of the shaft of the motor. A wing is formed in the bottom surface of impeller in order to discharge the fluid to the normal direction. A flange(5) installs to the inside upper end of the developing solution tank. A second flange equipped with a vent having a mesh is formed on the outer circumference of flange. A suction flange(6) inhales the bubble of developer according to the rotation of impeller.
    • 目的:提供印刷电路板显影剂移除气泡以将泡沫除去离心力,其通过吸入漂浮在显影剂表面层中的气泡来使用叶轮的旋转。 构成:开发人员参与开发溶液罐(1)。 在显影液槽的上侧形成安装孔。 电动机(3)的轴通过第一凸缘(2)的轴线插入孔。 叶轮安装在电机轴的末端。 在叶轮的底面形成翼,以将流体排出到正常方向。 法兰(5)安装在显影液罐的内侧上端。 在法兰的外圆周上形成具有网孔的排气口的第二凸缘。 抽吸法兰(6)根据叶轮的旋转吸入显影液的气泡。
    • 38. 发明公开
    • 반도체 메모리 장치
    • 半导体存储器件
    • KR1020100054066A
    • 2010-05-24
    • KR1020080123595
    • 2008-12-05
    • 이상윤
    • 이상윤
    • H01L27/108H01L21/8242
    • H01L2924/19041H01L27/10823H01L27/10808H01L27/10876
    • PURPOSE: A semiconductor memory device is provided to improve the integration degree of the semiconductor memory device by forming information storage devices in upper part and lower part of switch elements. CONSTITUTION: Switching elements are separated from a semiconductor substrate and have a vertical channel. Information storage device are arranged in upper part and lower part of the switching elements. Each information storage device comprises a storage node electrode(282) of a cylinder type, a plate electrode(284) on the storage node electrode, and a dielectric layer. The storage node electrode is connected to the switching elements.
    • 目的:提供半导体存储器件,通过在开关元件的上部和下部形成信息存储装置来提高半导体存储器件的集成度。 构成:开关元件与半导体衬底分离并具有垂直沟道。 信息存储装置设置在开关元件的上部和下部。 每个信息存储装置包括圆筒型存储节点电极(282),存储节点电极上的平板电极(284)和电介质层。 存储节点电极连接到开关元件。