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21. 发明授权

KR102341606B1 절삭 장치 有权
公开(公告)号：KR102341606B1
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：KR1020180024563
申请日：2018-02-28
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/78 , H01L21/76
摘要： 본발명은피가공물의절삭시에있어서, 절삭블레이드가장착된스핀들의부하전류값이높아진부분을오퍼레이터가특정하기쉽게하는것을과제로한다. 본발명은, 회전구동되는스핀들(111)과, 스핀들(111)의선단에장착되어척 테이블(10)에유지된피가공물(W)을절삭하는절삭블레이드(113)를구비하고, 피가공물(W)을가공예정라인을따라절삭가공하는절삭장치(1)로서, 절삭가공시에있어서의스핀들(111)의부하전류값을검출하는부하전류값검출수단(15)과, 부하전류값검출수단(15)에의해검출한부하전류값을표시하는표시수단(18)을구비하고, 가공예정라인과가공예정라인의가공시의스핀들(111)의부하전류값을대응시켜표시수단(18)에표시하는것인, 절삭장치이다.

22. 发明授权

KR102323459B1 P형 PERC 양면 태양 전지 및 그 모듈, 시스템과 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102323459B1
公开(公告)日：2021-11-08
申请号：KR1020197029113
申请日：2018-02-28
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L21/76 , H01L31/047 , H01L31/18
摘要： P형 PERC 양면태양전지에있어서, 백실버전극(1), 백알루미늄격자라인(2), 배면패시베이션층 (3), P형실리콘(4), N형에미터(5), 정면질화규소막(6) 및프론트실버전극(7)을차례로포함하되; 배면패시베이션층에는레이저그루빙에의해제1 레이저그루빙영역(8)이형성되고, 제1 레이저그루빙영역은백 알루미늄격자라인의하방에설치되며, 백알루미늄격자라인은제1 레이저그루빙영역을통해 P형실리콘과접속되고, 백알루미늄격자라인의사주에는알루미늄격자외측프레임(9)이설치되며, 알루미늄격자외측프레임은백 알루미늄격자라인및 백실버전극과접속되며; 제1 레이저그루빙영역은수평방향으로설치된다수군의제1 레이저그루빙유닛(81)을포함하고, 매하나의군의제1 레이저그루빙유닛은수평방향으로설치된하나또는다수의제1 레이저그루빙체 (82)를포함하며, 백알루미늄격자라인은제1 레이저그루빙체와수직된다. 당해태양전지는구성이간단하여, 비용이상대적으로낮으며, 널리보급되기쉽고, 광전변환효율이높다.

23. 发明授权

KR102323458B1 P형 PERC 양면 태양 전지 및 그 모듈, 시스템과 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102323458B1
公开(公告)日：2021-11-08
申请号：KR1020197029116
申请日：2018-02-28
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/047 , H01L21/76 , H01L31/18
摘要： 본발명은 P형 PERC 양면태양전지를개시하는바, 당해 P형 PERC 양면태양전지는백 실버전극, 백알루미늄격자라인, 배면패시베이션층, P형실리콘, N형에미터, 정면질화규소막 및프론트실버전극을차례로포함하되; 상기백 실버전극은백 알루미늄격자라인과제1 소정의끼인각으로교차되고, 10°

24. 发明授权

KR102310753B1 레이저 가공 장치 有权
公开(公告)号：KR102310753B1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：KR1020180015066
申请日：2018-02-07
IPC分类号： H01L21/67 , B23K26/38 , H01L21/78 , H01L21/76 , B23K26/064
摘要： (과제) 본발명의과제는, 간소한구성이라도, 폴리곤미러에의해가공방향과레이저광선의분산방향을소정의관계로유지할수 있는레이저가공장치를제공하는것에있다. (해결수단) 본발명에의하면, 피가공물을유지하는유지수단 (6) 과, 그유지수단 (6) 에유지된피가공물 (웨이퍼 (10)) 에레이저광선을조사하는레이저광선조사수단 (24) 과, 그유지수단 (6) 과그 레이저광선조사수단 (24) 과 X 방향으로상대적으로가공이송하는 X 방향이동수단과, 그유지수단 (6) 과그 레이저광선조사수단 (24) 과 X 방향이동수단과직교하는 Y 방향으로상대적으로가공이송하는 Y 방향이동수단을적어도포함하고, 그레이저광선조사수단 (24) 은, 레이저광선을발진하는레이저발진기 (242) 와, 그레이저발진기 (242) 가발진한레이저광선을소정의분산각도로분산시켜 X 방향으로스캔하는폴리곤미러 (245) 와, X 방향으로스캔된레이저광선을그 유지수단 (6) 에유지된피가공물 (웨이퍼 (10)) 에집광하는집광기 (241) 와, 그폴리곤미러 (245) 와그 집광기 (241) 사이에배치형성되어레이저광선의스캔방향을반전시키는반전기 (246) 로적어도구성되는레이저가공장치 (2) 가제공된다.

25. 发明授权

KR102307207B1 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102307207B1
公开(公告)日：2021-10-05
申请号：KR1020150041667
申请日：2015-03-25
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/76
摘要： 반도체소자는, 일방향으로연장되는활성패턴들을정의하는소자분리막을포함하는기판, 상기기판상에상기활성패턴들및 상기소자분리막을가로지르는게이트전극, 및상기활성패턴들사이의상기소자분리막상에제공되고, 상기게이트전극에연결되는게이트콘택을포함한다. 상기게이트콘택은상기게이트전극의상부와접하는바디부및 상기게이트전극의일 측벽을따라상기바디부로부터상기소자분리막으로연장되는연장부를포함한다.

26. 发明授权

KR102259441B1 파단 장치 및 분단 방법 有权
公开(公告)号：KR102259441B1
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：KR1020140073640
申请日：2014-06-17
申请人： 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
发明人： 토미모토히로유키 , 쿠로다나오히로 , 이와츠보유마 , 나카타니이쿠요시 , 타케다마사카즈 , 무라카미켄지
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/67

27. 发明授权

KR102254618B1 패키지 웨이퍼의 제조 방법 및 디바이스 칩의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102254618B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020170039974
申请日：2017-03-29
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 고시미즈히데키 , 루신 , 아라야유리카
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/56 , B28D5/04
摘要： 본발명은웨이퍼의표면을몰드수지로덮으며홈 내에몰드수지를적절하게충전하는것을과제로한다. 패키지웨이퍼의제조방법은, 웨이퍼(W)의표면측으로부터분할예정라인을따라마무리두께이상의깊이의홈(12)을형성하는단계와, 웨이퍼의외주의모따기부를제거하여홈 이상의깊이의단차부(13)를형성하는단계와, 성형장치의오목형의금형(36)을단차부바닥면(14)에배치하여금형과웨이퍼로둘러싸이는공간에몰드수지(M)를충전하는단계에의해, 웨이퍼의디바이스영역(A1)을몰드수지로피복하고, 분할예정라인을따라형성된홈을몰드수지로매설한패키지웨이퍼를제조하는구성으로하였다.

28. 发明授权

KR102244993B1 금속 절단 영역 위치 결정 방법 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR102244993B1
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：KR1020190120011
申请日：2019-09-27
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 양충-찬 , 창퐁-유안 , 티엔리-춘 , 첸팅유
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/76 , H01L21/67
摘要： IC 레이아웃다이어그램을생성하는방법은, IC 레이아웃다이어그램에서하나이상의셀을위치결정하는단계및 제 1 금속층 절단영역정렬패턴에기초하여제 1 금속층 절단영역과하나이상의셀을중첩하는단계를포함한다. 제 1 금속층 절단영역정렬패턴은하나이상의셀의높이와동등한패턴피치를포함한다.

29. 发明授权

KR102242829B1 웨이퍼의 가공 방법 有权
公开(公告)号：KR102242829B1
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：KR1020170052095
申请日：2017-04-24
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 나카무라마사루
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683
摘要： (과제) 본발명의과제는, 웨이퍼내부에개질층을형성하는레이저가공시에, 의도하지않는지점에균열현상이발생하는것을방지할수 있는가공방법을제공하는것에있다. (해결수단) 본발명의웨이퍼의가공방법은, 반송유닛에의해, 제 2 척테이블로웨이퍼를반송하고웨이퍼의보호테이프측을유지면에유지하여그 반송유닛의흡인패드를웨이퍼의이면으로부터이반시키는반송공정과, 웨이퍼의이면으로부터레이저광선을조사하여분할예정라인을따라개질층을형성하는개질층형성공정을포함한다. 그반송공정은, 웨이퍼를그 제 2 척테이블의유지면에재치하는재치공정과, 그흡인패드의흡인력을차단하여그 흡인패드와그 유지면으로웨이퍼를협지하는협지공정과, 그유지면에흡인력을작용시켜그 유지면에웨이퍼의보호테이프측을흡인유지하여그 흡인패드를웨이퍼의이면으로부터이반시키는유지공정을포함한다.

30. 发明授权

KR102238572B1 디바이스의 제조 방법 및 연삭 장치 有权
公开(公告)号：KR102238572B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020170051571
申请日：2017-04-21
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 요시다신지 , 야노히로히데
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： (과제) 웨이퍼를분할하여칩을제조하는경우에, 제조된각 칩의두께를단시간에파악하여, 우량칩을효율적으로얻는다. (해결수단) 결정방위를나타내는마크 (N) 를구비하고표면 (Wa) 은분할예정라인 (S) 으로구획되어디바이스 (D) 가형성된웨이퍼 (W) 의이면 (Wb) 을연삭지석 (740) 으로연삭하는연삭공정과, 연삭공정후에웨이퍼 (W) 를분할예정라인 (S) 을따라분할하여칩 (C) 으로하는분할공정을구비하는디바이스 (D) 의제조방법으로서, 연삭공정후부터분할공정전까지칩 (C) 마다의두께를측정하고측정된칩 (C) 의위치데이터와칩 (C) 의두께값을관련지어기억하는기억공정과, 기억공정에서기억한칩 (C) 의두께값과위치데이터로미리설정된허용두께범위내의칩 (C) 을선택하여픽업하는픽업공정을포함하는디바이스의제조방법이다.

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