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21. 发明公开

KR1020140015986A 다공성 질화붕소 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：多孔硼硝酸盐及其制备方法
公开(公告)号：KR1020140015986A
公开(公告)日：2014-02-07
申请号：KR1020120082716
申请日：2012-07-27
申请人： 한화케미칼 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 강신후 , 임지순 , 김동옥 , 김진홍
IPC分类号： C01B35/08 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： C01B35/146 , C01B21/0646 , C01B35/14 , C01P2002/72 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/16
摘要： The present invention relates to porous boron nitride and a preparing method thereof. Porous boron nitride of the present invention can be obtained by extracting elements of all but boron and nitride after forming a compound by mixing a boron source and a nitride source and heating. Porous boron nitride of the present invention includes both micropores and mesopores, and can be useful in various fields due to having a large specific surface area. [Reference numerals] (AA) Example 1; (BB) Example 2; (CC) Example 3; (DD) Example 4
摘要翻译：本发明涉及多孔氮化硼及其制备方法。本发明的多孔氮化硼可以通过在通过混合硼源和氮化物源并加热而在形成化合物之后提取硼和氮化物中的全部元素来获得。本发明的多孔氮化硼包括微孔和中孔，并且由于具有大的比表面积，可以用于各种领域。（标号）（AA）实施例1; （BB）实施例2; （CC）实施例3; （DD）实施例4

22. 发明授权

KR101285424B1 질화붕소의 제조방법 有权
标题翻译：硝酸硼生产工艺
公开(公告)号：KR101285424B1
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020050114671
申请日：2005-11-29
申请人： 제너럴 일렉트릭 캄파니
发明人： 풀츠도널드윌리암쥬니어 , 매니치아로렌스 , 라만찬드라쉐커 , 무루가이아어낸드
IPC分类号： C01B21/064 , C01B35/14 , C01B35/08
CPC分类号： C04B35/583 , C01B21/064 , C01P2002/52 , C01P2006/32 , C04B35/62655 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B2235/02 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3409 , C04B2235/3481 , C04B2235/443 , C04B2235/48 , C04B2235/5292 , C04B2235/5445 , C04B2235/549 , C04B2235/6021 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/666 , C04B2235/767 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2235/963
摘要： 본 발명은 도펀트로서 사용된 하나 이상의 화합물의 존재하에 1000℃ 이상의 처리온도에서 적어도 1시간동안 산소-함유 붕소 화합물을 질소-함유 공급원과 반응시켜 육방정계 질화붕소 화합물을 형성시킴을 포함하고, 상기 도펀트가 상기 처리 온도보다 낮은 기화온도를 가진 금속 붕산염을 형성하는 금속 화합물인, 육방정계 질화붕소 화합물을 제조하는 방법을 개시한다.

23. 发明公开

KR850004723A 실리코포스포알루미네이트와 연관된 결정성 산화물의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR850004723A
公开(公告)日：1985-07-27
申请号：KR840008134
申请日：1984-12-19
IPC分类号： B01J20/18 , B01J29/82 , B01J29/84 , B01J29/85 , B01J39/12 , C01B25/45 , C01B33/20 , C01B35/08 , C01B37/06 , C01B37/08 , C01B39/54 , C01G28/02 , C01G30/02 , C01G31/00 , C01G37/14
摘要： 내용없음

24. 发明授权

KR101621235B1 열플라즈마를 이용한 입방질화붕소 나노분말의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 입방질화붕소 나노분말 有权
标题翻译：因此通过热等离子体和立方氮化硼纳米粉末制备立方氮化硼纳米粉末
公开(公告)号：KR101621235B1
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020140144966
申请日：2014-10-24
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 박동화 , 고은하 , 김태희
IPC分类号： C01B35/08 , B82B3/00
摘要： 본발명은열플라즈마제트발생가스를공급하여열플라즈마제트를발생시키는단계(단계 1); 상기단계 1에서발생된열플라즈마제트에산화붕소(Boron oxide) 및멜라민(Melamine)을혼합한분말을토치(torch) 내부의양극노즐을통해공급하여기화시키는단계(단계 2); 상기열플라즈마제트의반응관(reactor)으로반응가스를주입하는단계(단계 3); 및상기단계 2에서기화된분말을냉각시키는단계(단계 4);를포함하는열플라즈마제트를이용한입방질화붕소나노분말의제조방법을제공한다. 또한본 발명은산화붕소(Boron oxide) 및멜라민(Melamine)을혼합한분말을열플라즈마처리함으로써입방질화붕소나노분말을빠르게제조할수 있는장점이있다.

25. 发明公开

KR1020160050550A 사차 암모늄염의 제조방법 및 이에 의해 제조된 사차 암모늄염을 이용한 전기이중층 커패시터 有权
标题翻译：使用方法制备的季铵盐制备季铵盐和电双层电容器的制备方法
公开(公告)号：KR1020160050550A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140148974
申请日：2014-10-30
申请人： 상명대학교산학협력단
发明人： 김기택 , 한태희
IPC分类号： C01B35/06 , C01B35/08 , C01C1/28
CPC分类号： Y02E60/13 , C01B35/06 , C01B35/08 , C01C1/28 , H01G11/54 , H01M2010/4292
摘要： 본발명은, 제1 용매에트리메틸아민과클로로메틸메틸에테르를첨가하여반응시키는단계와, 상기반응에의해흰색침전물인트리메틸메톡시메틸암모늄클로라이드가생성되는단계와, 반응결과물을감압여과하여트리메틸메톡시메틸암모늄클로라이드를선택적으로분리해내는단계와, 선택적으로분리해낸트리메틸메톡시메틸암모늄클로라이드와테트라플루오로보릭산을제2 용매에첨가하여반응시키는단계와, 반응결과물을감압증류하여감압농축액을얻는단계와, 상기감압농축액에메틸렌클로라이드와증류수를첨가한후, 추출하여유기층을모아감압증류하는단계및 감압증류된결과물을제3 용매에첨가하여침전물을석출시킨뒤, 침전물을선택적으로분리해내어 NBF을수득하는단계를포함하는사차암모늄염의제조방법및 이에의해제조된사차암모늄염을이용한전기이중층커패시터에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及使用其制造的季铵盐的季铵盐的制造方法和双电层电容器，包括以下步骤：通过向第一溶剂中加入三甲胺和氯甲基甲基醚进行反应; 在之前的反应中产生白色沉淀的三甲基甲基甲基氯化铵; 通过上述步骤对所得物进行加压和过滤来选择性地分离三甲基甲基甲基氯化铵; 将选择性分离的三甲基甲基甲基氯化铵和四氟琥珀酸加入到第二溶剂中并进行反应; 通过对前述步骤加压和蒸馏得到加压浓缩物; 向加压浓缩物中加入二氯甲烷和蒸馏水以提取有机层并对其进行加压和蒸馏; 并将上述步骤中加压蒸馏的产物加入到第三溶剂中以沉淀出沉淀物，从沉淀物中选择性地分离出沉淀物，得到N_111,1O1BF_4。

26. 发明授权

KR101600045B1 열플라즈마 제트를 이용한 질화붕소 나노분말의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질화붕소 나노분말 有权
标题翻译：通过热等离子体射流和氮化硼纳米粉末制备氮化硼纳米粉末的方法
公开(公告)号：KR101600045B1
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020140084375
申请日：2014-07-07
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 박동화 , 고은하 , 김태희 , 최수석
IPC分类号： C01B21/064 , C01B35/08 , B01J19/08
摘要： 본발명은열플라즈마제트를이용한질화붕소나노분말의제조방법및 이에따라제조되는질화붕소나노분말에관한것으로, 상세하게는열플라즈마제트발생가스를공급하여열플라즈마제트를발생시키는단계(단계 1); 상기단계 1에서발생된열플라즈마제트에마이크로스케일의질화붕소분말을공급하여기화시키는단계(단계 2); 및상기단계 2에서기화된질화붕소를냉각시켜질화붕소나노분말을제조하는단계(단계 3)를포함하는열플라즈마제트를이용한질화붕소나노분말의제조방법을제공한다. 본발명에따른상기질화붕소나노분말의제조방법은열플라즈마제트를이용하여질화붕소나노분말을제조하는것으로써, 고순도의질화붕소나노분말을빠른시간내에대량으로생산해낼수 있는효과가있다.

27. 发明公开

KR1020160005820A 열플라즈마 제트를 이용한 질화붕소 나노분말의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질화붕소 나노분말 有权
标题翻译：通过热等离子体喷射制备硼酸纳米粒子的制备方法，以及氮化硼纳米粒子的制备方法
公开(公告)号：KR1020160005820A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020140084375
申请日：2014-07-07
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 박동화 , 고은하 , 김태희 , 최수석
IPC分类号： C01B21/064 , C01B35/08 , B01J19/08
CPC分类号： C01B21/064 , B01J19/08 , C01B35/08
摘要： 본발명은열플라즈마제트를이용한질화붕소나노분말의제조방법및 이에따라제조되는질화붕소나노분말에관한것으로, 상세하게는열플라즈마제트발생가스를공급하여열플라즈마제트를발생시키는단계(단계 1); 상기단계 1에서발생된열플라즈마제트에마이크로스케일의질화붕소분말을공급하여기화시키는단계(단계 2); 및상기단계 2에서기화된질화붕소를냉각시켜질화붕소나노분말을제조하는단계(단계 3)를포함하는열플라즈마제트를이용한질화붕소나노분말의제조방법을제공한다. 본발명에따른상기질화붕소나노분말의제조방법은열플라즈마제트를이용하여질화붕소나노분말을제조하는것으로써, 고순도의질화붕소나노분말을빠른시간내에대량으로생산해낼수 있는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及使用由此制造的热等离子体射流和氮化硼纳米粉末的氮化硼纳米粉末的制造方法。更具体地说，在本发明中，提供了使用热等离子体射流的氮化硼纳米粉末的制造方法，其包括以下步骤：（步骤1）通过供给热等离子体产生气体产生热等离子体射流; （步骤2）向步骤1产生的热等离子体射流提供微量氮化硼粉末并蒸发粉末; 和（步骤3）通过从步骤2中蒸发的氮化硼粉末冷却来制造氮化硼纳米粉末。氮化硼纳米粉末的制造方法可以在短时间内使用热量制造大量的高纯度的氮化硼纳米粉末等离子体射流

28. 发明公开

KR1020140103106A 질화붕소 응집 입자, 그 입자를 함유하는 조성물, 및 그 조성물로 이루어지는 층을 갖는 삼차원 집적 회로 审中-实审
标题翻译：聚集的硼硼化物颗粒，含有颗粒的组合物，以及具有包含组合物的层的三维集成电路
公开(公告)号：KR1020140103106A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020147014474
申请日：2012-11-29
申请人： 미쯔비시 케미컬 주식회사
发明人： 야마자키마사노리 , 아베마리 , 무라세도모히데 , 가와세야스히로 , 이케모토마코토 , 기리타니히데키 , 마츠시타야스노리
IPC分类号： C01B21/064 , C01B35/08 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC分类号： C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00 , C01B35/08 , C08L101/00 , C09D201/00
摘要： 본 발명은, 열전도의 등방성, 내붕괴성, 수지와의 혼련성이 우수한 질화붕소 응집 입자를 사용하여, 두께 방향의 열전도성도 우수한 층간 충전층을 형성할 수 있는 삼차원 집적 회로용 조성물의 제공을 목적·과제로 한다. 그리고, 본 발명의 삼차원 집적 회로용 조성물은, 비표면적이 10 ㎡/g 이상 또한 구상의 질화붕소 응집 입자로, 그 질화붕소 응집 입자의 표면이 평균 입자경 0.05 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하의 질화붕소 1 차 입자로 구성되는 질화붕소 응집 입자와, 120 ℃ 에 있어서의 용융 점도가 100 Pa·s 이하인 수지를 함유한다.
摘要翻译：为了提供能够在厚度方向上形成导热性优异的填充中间层的三维集成电路用组合物，使用与树脂的导热性，耐崩解性，捏合性等各向同性优异的凝聚氮化硼粒子。一种用于三维集成电路的组合物，其包含具有至少10m 2 / g的比表面积的凝聚氮化硼颗粒，其表面由平均粒度为至少0.05的氮化硼一次粒子构成 μm，至多1μm，为球形，120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下的树脂（A）。

29. 发明授权

KR101361396B1 강화된 질화붕소 조성물 및 그를 이용하여 제조된 조성물 有权
标题翻译：增强硼硼化合物及其组合物
公开(公告)号：KR101361396B1
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：KR1020060120101
申请日：2006-11-30
申请人： 제너럴 일렉트릭 캄파니
发明人： 한스폴조셉 , 페이스너사라엔 , 메네그티파울로
IPC分类号： C01B21/064 , C01B35/08
CPC分类号： C09C1/00 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/11 , C01P2006/22 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B35/62802 , C04B35/62805 , C04B35/62807 , C04B35/6281 , C04B35/62813 , C04B35/62815 , C04B35/62818 , C04B35/62821 , C04B35/62823 , C04B35/62826 , C04B35/62886 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B35/63488 , C04B2235/3217 , C04B2235/386 , C04B2235/3895 , C04B2235/483 , C04B2235/528 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08K7/18 , C08K9/06 , C09D7/62 , C09D7/69 , H01L23/295 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H05K1/0373 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 실레인, 실록세인, 카복실산 유도체 및 이들의 혼합물 중 1종 이상을 포함하는 코팅층으로 표면이 처리된 질화붕소 분말을 포함하는 질화붕소 조성물로서, 상기 코팅층이 질화붕소 표면의 10% 이상에 접착되어 있는 질화붕소 조성물을 제공한다. 질화붕소 분말 표면은 우선 하소 공정에 의해 처리되거나, 또는 최종 코팅층의 하나 이상의 작용기에 반응성인 하나 이상의 작용기를 함유하는 복수의 반응성 부위를 그의 표면에 갖도록 1종 이상의 무기 화합물로 코팅함으로써 처리된다.

30. 发明公开

KR1020130063410A 육방정계 질화붕소 시트, 그의 제조방법 및 이를 구비하는 전기소자 审中-实审
标题翻译：六角碱性硝酸盐片，用于制备片材的方法和包含片材的电子器件
公开(公告)号：KR1020130063410A
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020110129913
申请日：2011-12-06
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김상우 , 신현진 , 최재영
IPC分类号： C01B35/08
CPC分类号： C01B21/064 , C01B21/0646 , C01P2004/24 , C01P2004/60 , C30B25/165 , C30B29/40 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L29/1606 , H01L29/267 , H01L29/518 , H01L29/778
摘要： PURPOSE: A hexagonal boron nitride sheet, a manufacturing method thereof, a laminated structure including the same, and an electrical device including the same are provided to be able to manufacture hexagonal boron nitride with a high definition and a large area. CONSTITUTION: A hexagonal boron nitride sheet is a two-dimensional planar structure in which a B-N bond is a sp^2 covalent bond, and the interlayer bond is a Van der Waals bond. The hexagonal boron nitride sheet has a root mean square surface roughness of about 2.00nm or less, the length of the transverse or longitudinal direction of 1mm or more. A manufacturing method of the hexagonal boron nitride sheet comprises the following steps: a step of obtaining a metallic catalyst having a sheet form with an increased grain size by a first heat treatment within a chamber; and a step of producing hexagonal boron nitride in a sheet form by a second heat treatment while supplying a nitrogen source and a boron source in a gas phase to a chamber.
摘要翻译：目的：提供六方氮化硼片，其制造方法，包括该六方氮化硼片的叠层结构和包含该六方氮化硼的层状结构，能够制造具有高清晰度和大面积的六方氮化硼。构成：六方氮化硼片是二维平面结构，其中B-N键是sp 2共价键，并且层间键是范德华键。六方氮化硼片具有约2.00nm以下的均方根粗糙度，横向或纵向的长度为1mm以上。六方氮化硼片的制造方法包括以下步骤：在室内通过第一热处理获得具有增加的晶粒尺寸的片状金属催化剂的步骤; 以及通过第二次热处理以氮气源和硼源将气态相对于室供给的方式制造片状的六方氮化硼的工序。

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