专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明公开

KR1020160005774A 레이저 컴포넌트 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：激光组件及其生产方法
公开(公告)号：KR1020160005774A
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020157034906
申请日：2014-04-28
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 호른,마르쿠스 , 슈바르츠,토마스 , 브라이덴아쎌,안드레아스 , 아우엔,카르스텐 , 슈토예츠,베른하르트
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02208 , H01L2924/19107 , H01S5/02216 , H01S5/02236 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02296 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/4018 , H01S5/4025 , H01S5/4031 , H01S5/405
摘要： 본발명에따른레이저컴포넌트는그 내부에제1 캐리어블록(carrier block)(301)이배치되어있는하우징(400)을포함한다. 상기제1 캐리어블록(301)의길이측면(330)에는방사방향(131)을갖는제1 레이저칩(101)이배치되어있다. 상기제1 레이저칩은제1 캐리어블록에배치된제1 접촉영역(310) 및제1 캐리어블록(301)에배치된제2 접촉영역(320)에전기전도성으로연결되어있다. 상기제1 접촉영역(310)과상기하우징(400)의제1 접촉핀(contact pin)(401) 사이에, 그리고상기제2 접촉영역(320)과상기하우징의제2 접촉핀(402) 사이에는각각전기전도성연결부가존재한다. 각각의캐리어블록(301, 302) 상에서레이저칩들(101)의선형배치가전기적으로직렬접속되어있다. 일캐리어블록상에예비제조된모듈들은상기하우징내에고정및 접촉(358)되기이전에자체기능에대해검사될수 있다. 각각의레이저칩(101)과캐리어블록(301, 302) 사이에는세라믹히트싱크(heat sink)(201, 202)가위치할수 있다.

22. 发明公开

KR1020150087402A 양측 냉각형 의료미용용 반도체 레이저 시스템 有权
标题翻译：用于医疗美容的双边冷却型半导体激光系统
公开(公告)号：KR1020150087402A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020157016567
申请日：2013-11-21
申请人： 시안 포커스라이트 테크놀러지스 캄파니 리미티드
发明人： 리유,싱셍 , 다이,예 , 선,야오 , 우,디 , 종,행준 , 통,리순 , 카이,레이
IPC分类号： A61B18/20 , A61B18/00 , H01S5/024
CPC分类号： A61B18/20 , A61B18/203 , A61B2018/00023 , A61B2018/00452 , A61B2018/00476 , A61B2018/2065 , A61N5/0617 , A61N2005/067 , G02B6/4206 , G02B6/4268 , H01S5/02415 , H01S5/02423 , H01S5/405
摘要： 본발명은접촉창이직접피부와접촉할수 있는양측냉각형의료미용용반도체레이저시스템에관한것이다. 본발명의양측냉각형의료미용용반도체레이저시스템은반도체레이저어레이, 반도체레이저어레이발광면의전단부에위치한광도파로, 광도파로의광출구단에접착되어있는투명한접촉창, 한쌍의냉각블록, 및제1통수블록을포함하고, 상기제1통수블록은베이스부및 베이스부상부에위치하는 U형헤드부로나뉘우고, 광도파로의중부및 뒷부분은 U형헤드부에삽입되며, 해당되는광도파로의상부에는고정블록이설치되어광도파로를압착고정하며, 광도파로와 U형헤드부의측벽사이에는간극을구비하고, 상기한쌍의냉각블록은광도파로의앞부분으로연장되어접촉창및 광도파로의앞부분을감싸고있다. 본발명에따른시스템은독특한냉각구조를사용함으로써, 피부와직접접촉하는작업단면(working end surface)의온도는빙점에가깝고, 구조가치밀하며안정적이다.

23. 发明公开

KR1020100097001A 발광 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100097001A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020090125979
申请日：2009-12-17
申请人： 소니 주식회사
发明人： 후카사와히로유키 , 하마구치유이치 , 아사노타케하루 , 아가케이고 , 반노노리유키
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/0224 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/83 , H01L2924/351 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/32341 , H01S5/405 , H01S5/4087 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to easily bond a first light emitting element with a support device by forming an inclined sidewall of a concave part on the support device. CONSTITUTION: A concave part(31) with an incline is formed on the upper side of the sidewall of a support device(30). A first light emitting element(10) is arranged on the lower side of the concave part. A second light emitting element(20) is arranged on the support device and the first light emitting element. A first electrode is included in the surface except the concave part. A second electrode is included in the lower side of the concave part. The second electrode is extended along the incline and is electrically connected to the first electrode.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件及其制造方法，通过在支撑装置上形成凹部的倾斜侧壁，容易地将第一发光元件与支撑装置接合。构成：在支撑装置（30）的侧壁的上侧形成有倾斜的凹部（31）。第一发光元件（10）布置在凹部的下侧。第二发光元件（20）布置在支撑装置和第一发光元件上。除了凹部之外，第一电极被包括在表面中。第二电极包括在凹部的下侧。第二电极沿斜面延伸并与第一电极电连接。

24. 发明授权

KR100835619B1 날개형 장착 블록을 갖는 레이저 다이오드 서브어셈블리를이용한 모듈러 어셈블리 有权
标题翻译：模块化组件使用激光二极管底座与有安装的块
公开(公告)号：KR100835619B1
公开(公告)日：2008-06-09
申请号：KR1020060105756
申请日：2006-10-30
申请人： 엔라이트 인크.
发明人： 슐테데레크이. , 얀유 , 마틴슨로버트제이. , 호제스아론엘. , 칼센스콧알.
IPC分类号： H01S3/0941 , H01S5/024
CPC分类号： H01S5/02236 , H01S5/005 , H01S5/02252 , H01S5/02264 , H01S5/02276 , H01S5/024 , H01S5/02423 , H01S5/4025 , H01S5/405
摘要： 본 발명은 다목적의 레이저 다이오드 어셈블리를 제공하며, 상기 어셈블리는 단차 냉각 블록(800)에 장착된 복수의 레이저 다이오드 서브어셈블리(200)로 구성된다. 단차 냉각 블록은, 각 레이저 다이오드 서브어셈블리 출력 광선이 서로 간섭하지 않는, 밀집되고 간결한 어셈블리의 제조를 가능하게 한다.
단차 장착면, 냉각 블록, 장착 블록, 클램핑 부재, 광선 조절 렌즈, 전기 인터커넥트

25. 发明公开

KR1020050083238A 고출력 반도체 레이저 다이오드 어레이 失效
标题翻译：高输出半导体激光二极管阵列
公开(公告)号：KR1020050083238A
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020040011645
申请日：2004-02-21
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 김철회
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/3205 , H01S5/405 , H01S2304/02 , H01S2304/04
摘要： 본 발명은 고출력 반도체 레이저 다이오드 어레이에 관한 것으로, GaAs 기판 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, p-웨이브 가이드층과 식각 방지층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 식각 방지층 상부에 p-클래드층, 버퍼층과 캡층으로 이루어진 상호 분리된 복수개의 리지들이 형성되어 있고, 상기 캡층과 복수개의 리지들을 감싸는 p-금속층이 형성되어 있고, GaAs 기판 하부에 n-금속층이 형성되어 있는 고출력 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 복수개의 리지들 중, 중심 영역의 리지들의 폭(W1)은, 양측면의 리지들의 폭(W2)보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 어레이의 중심부에 있는 리지들의 폭을 가장자리에 있는 리지 폭보다 작게 형성하여, 온도 분포를 균일하게 하고, 중심부분에 비발광 재결합을 줄여 고출력을 얻을 수 있는 효과가 발생한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式