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21. 发明公开

KR1020140051779A 산화인듐주석 분말 审中-实审
标题翻译：氧化铅粉末
公开(公告)号：KR1020140051779A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020130119799
申请日：2013-10-08
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 요네자와다케히로 , 야마사키가즈히코 , 하야시도시하루
IPC分类号： C01G15/00 , C01G19/00
CPC分类号： Y02E10/50 , C01G19/00 , H01B1/20 , H01B5/00 , H01L31/1884
摘要： Indium tin oxide powder is used for a transparent conductive thin film of a solar battery, a touch panel, etc., and whether it is used in the solar cell or the touch panel, a low refractive index is required. The purpose of the present invention is to achieve a low refractive index by having indium tin oxide powder with true density within a specific range and a specific surface area within a specific range. To achieve the purpose, the present invention provides indium tin oxide powder having 5.75-6.80g/cm^3 of true density measured by a pycnometer by a gas substitution method using helium gas and 2-100m^2/g of a specific surface area by a BET method. The indium tin oxide powder can be used for a composition for a transparent conductive thin film and can produce a transparent conductive film with a low refractive index.
摘要翻译：氧化铟锡粉末用于太阳能电池，触摸面板等的透明导电薄膜，以及是否用于太阳能电池或触摸面板中，需要低折射率。本发明的目的是通过使真空密度在特定范围内的氧化铟锡粉末和特定范围内的比表面积来实现低折射率。为了达到这个目的，本发明提供了一种氧化铟锡粉末，其通过采用氦气的气体取代方法和比表面积为2-100m 2 / g的比重瓶测量的真密度为5.75-6.80g / cm 3 通过BET法。铟锡氧化物粉末可以用于透明导电薄膜的组合物，并且可以制造具有低折射率的透明导电膜。

22. 发明公开

KR1020140031325A 도전성 시트 및 그 제조 방법, 및 전자 부품 审中-实审
标题翻译：电导电板及其制造方法及电子元件
公开(公告)号：KR1020140031325A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020137033789
申请日：2012-05-30
申请人： 토요잉크SC홀딩스주식회사 , 토요켐주식회사
发明人： 니시야마유지 , 토미나가히로시 , 후루카와쿠니히로 , 코바야시히데노부 , 마츠도카즈노리 , 마츠자와타카히로 , 쥰세이
IPC分类号： H01B5/16 , B32B27/18 , C09J7/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J201/10 , H05K9/00
CPC分类号： H05K9/0083 , B32B5/16 , B32B7/06 , B32B2264/105 , B32B2307/302 , B32B2307/304 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , C08K7/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01B5/16 , B32B27/18 , C09J7/00 , C09J9/00 , C09J11/04 , C09J201/10 , H01B5/00 , H05K9/00
摘要： 프린트 배선 판 등의 피착체에 도전성 시트를 첩착하는 가열 프레스 공정에서, 도전층의 얼룩을 최소한으로 줄일 수 있는, 가공성이 양호한 도전성 시트 및 그 제조 방법 등을 제공한다. 본 발명의 도전성 시트는 열 경화성 수지(A)와 덴드라이트 모양 전도성 입자(B)를 적어도 포함하는 도전층을 구비한다. 도전층의 두께가 (i) 150℃, 2MPa, 30분간의 조건에서 가열 프레스 한 후의 두께가 가열 프레스 전의 해당 도전층의 두께를 100으로 했을 때에 30~95의 범위가 될 것, 및 (ii) 덴드라이트 모양 전도성 입자(B)의 평균 입자 지름 D
90 가 해당 도전층의 두께에 대해 0.5배 이상, 3배 이하의 범위가 될 것, 중 적어도 한쪽을 충족시키고, 상기 덴드라이트 모양 도전성 미립자(B)의 평균 입자 지름 D
50 가 3㎛ 이상, 50㎛ 이하이며, 또한, 상기 덴드라이트 모양 도전성 미립자(B)를 상기 도전층 중에 50중량% 이상, 90중량% 이하의 범위로 함유하는 것이다.

23. 发明公开

KR1020130132808A 그라펜을 포함하는 도전성 박막 및 투명 도전막 无效
标题翻译：含有透明导电薄膜和透明导电薄膜
公开(公告)号：KR1020130132808A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：KR1020137012456
申请日：2011-11-09
申请人： 후지 덴키 가부시키가이샤
发明人： 후지이,타케시 , 오기모토,야스시
IPC分类号： H01B5/14 , C01B31/02 , B32B9/00
CPC分类号： H01B5/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , Y10T428/30 , H01B5/14 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 그라펜을 이용하는 도전성 박막의 도전성을 높이는 것을 과제로 한다. 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 특정 양태에서는, 1 원자층 이상의 탄소 원자의 시트로 이루어진 제 1 그라펜막(10A)과, 1 원자층 이상의 탄소 원자의 시트로 이루어진 제 2 그라펜막(10B)과, 제 1 및 제 2 그라펜막 사이에 끼워져 있는 삽입막(12)을 포함하는 초격자 구조(100)를 구비한 도전성 박막(1000)이 제공된다. 또한, 동일한 구성의 투명 도전막도 제공된다.

24. 发明授权

KR101314428B1 전극 및 이를 포함하는 전자소자 有权
标题翻译：包括其的电极和电子器件
公开(公告)号：KR101314428B1
公开(公告)日：2013-10-04
申请号：KR1020110146541
申请日：2011-12-29
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 황지영 , 황인석 , 손용구 , 박민춘 , 민성준 , 성지현
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , G06F3/041 , H01L51/50
CPC分类号： H01B13/34 , G02F1/13439 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B5/00
摘要： 본 발명은 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극, 및 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 포함하는 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

25. 发明公开

KR1020130042485A 산화 아연계 투명 도전막, 그 제조방법 및 용도 有权
标题翻译：透明导电氧化锌薄膜，其生产工艺及其使用
公开(公告)号：KR1020130042485A
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020127029032
申请日：2011-04-07
申请人： 토소가부시키가이샤
发明人： 아키이케료 , 쿠라모치히데토 , 이이구사히토시
IPC分类号： H01B5/14 , H01B1/02 , H01B13/00 , C23C14/08 , H01L31/0236 , H01L31/0392
CPC分类号： C23C14/5873 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , Y10T428/24355 , H01B5/14 , C23C14/00 , H01B1/02 , H01B5/00 , H01B13/00 , H01B13/0026 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , Y02E10/50
摘要： 본 발명에 따른 산화 아연계 투명 도전막은, Ti, Al 및 Zn을 원자비로 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 충족시키는 비율로 함유하는 동시에, 표면에 크기가 다른 복수의 표면 텍스처를 지니고, 투명 도전막의 표면의 중심선 평균 표면 조도(Ra)가 30㎚ 내지 200㎚이며, 표면 텍스처의 폭의 평균치가 100㎚ 내지 10㎛이다:
0.001 ≤ Ti/(Zn+Al+Ti) ≤ 0.079 ··· (1)
0.001 ≤ Al/(Zn+Al+Ti) ≤ 0.079 ··· (2)
0.010 ≤ (Ti+Al)/(Zn+Al+Ti) ≤ 0.080 ··· (3)

26. 发明公开

KR20120120101A 3-Dimensional Nano Structures Composed of Nano Materials Grown on Mechanically Compliant Graphene Films and Method for Preparing the Same 审中-公开
标题翻译：由机械合成石墨烯膜生长的纳米材料制成的三维纳米结构及其制备方法
公开(公告)号：KR20120120101A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR20120109124
申请日：2012-09-28
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , H01B1/00 , H01B5/00
CPC分类号： B82B3/0038 , B82Y40/00 , H01B1/04 , H01B5/00
摘要： PURPOSE: A three dimensional nano-structure in which nano-materials are laminated on a graphene substrate and a manufacturing method thereof are provided to obtain synergistic effects by mixing one-dimensional nano-products with two-dimensional graphene. CONSTITUTION: A three dimensional nano-structure is composed of a graphene film and nano-materials laminated on the graphene film. The nano-materials are one or more of nano-tube, a nano-wire, and nano-rods. A metal catalyst is formed between the nano-materials and the graphene film. The three dimensional nono-structure is welded by ohmic electrical contact. A manufacturing method of the three dimensional nano-structure comprises the following steps: forming the graphene film on a substrate; obtaining the patterned metallic catalyst array by using block copolymer nano-template on the graphene film; and reducing the graphene film and obtaing the three dimensional nano-structure by growing the metallic catalyst on the metallic catalyst.
摘要翻译：目的：提供将纳米材料层压在石墨烯基板上的三维纳米结构及其制造方法，以通过将一维纳米产物与二维石墨烯混合来获得协同效应。构成：三维纳米结构由石墨烯薄膜和层压在石墨烯薄膜上的纳米材料组成。纳米材料是纳米管，纳米线和纳米棒中的一种或多种。在纳米材料和石墨烯膜之间形成金属催化剂。三维非结构焊接欧姆电接触。三维纳米结构的制造方法包括以下步骤：在基板上形成石墨烯膜; 通过在石墨烯膜上使用嵌段共聚物纳米模板获得图案化的金属催化剂阵列; 并通过在金属催化剂上生长金属催化剂来还原石墨烯膜并观察三维纳米结构。

27. 发明公开

KR1020120115967A 미소 금속 입자 함유 조성물 有权
标题翻译：精细的含金属颗粒的组合物
公开(公告)号：KR1020120115967A
公开(公告)日：2012-10-19
申请号：KR1020127013400
申请日：2010-10-12
申请人： 토쿠센 코교 가부시키가이샤
发明人： 김인수 , 이창근 , 기타후지도모키
IPC分类号： B22F1/02 , B22F9/26 , H01B1/22 , H01B5/00
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F1/0081 , B22F1/02 , B22F9/26 , B22F2001/0033 , B82Y30/00 , H01B1/02 , H01B1/22 , Y10T428/2991 , H01B5/00
摘要： 미소 은입자 함유 조성물은, 다수의 미소 은입자(2)와, 각각의 은입자(2)의 표면을 덮는 코팅층(4)을 포함한다. 이 은입자(2)는 소위 나노 입자이다. 이 은입자(2)는 비늘형이다. 코팅층(4)은 유기 화합물을 포함한다. 이 유기 화합물은 은입자(2)에 부착되어 있다. 이 유기 화합물은 은입자(2)의 응집을 억제한다. 이 조성물은 케이크형을 나타낸다. 조성물의 전량에 대한 유기 화합물의 질량 비율은 2% 이상 15% 이하이다.

28. 发明公开

KR1020120107911A 텍스처 에칭에 의해 코팅된 물체를 제조하는 방법 有权
标题翻译：通过纹理蚀刻制造涂层物品的方法
公开(公告)号：KR1020120107911A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：KR1020127000816
申请日：2011-01-27
申请人： 인터페인 엔트윅클렁스- 언드 베라텅스게셀스샤프트 엠베하
发明人： 카페르츠올리버 , 헤리체로타르 , 바이스한스외르크 , 푸르빈스미카엘
IPC分类号： H01B13/00 , H01B5/14 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/0392 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L31/02366 , G02F1/13439 , H01L31/022483 , H01L31/1888 , Y02E10/50 , H01B13/0033 , H01B5/00 , H01B5/14 , H01B5/16 , H01B7/00 , H01B7/0208 , H01B7/282 , H01B13/00 , H01B13/0026 , H01L31/02167 , H01L31/0236 , H01L31/0392
摘要： 본 발명은 침착(I) 및 바람직하게는 코팅(3)의 후속 온도 처리(II)를 포함하는, 기판 위에 적어도 하나의 투명, 도전성 금속 산화물층(3)의 침착(I)을 통해 코팅된 물체(2)를 제조하는 방법에 관한 것이다. 선택 온도 처리(II) 후, 코팅(3)의 표면 텍스처(8)는 에칭 공정에 의해 통계적으로 조정된다.

29. 发明公开

KR1020120059596A 유전체 박막의 형성 방법 및 그 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 有权
标题翻译：形成介质薄膜的方法和包含电介质薄膜的薄膜电容器
公开(公告)号：KR1020120059596A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020127008343
申请日：2010-09-02
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 사쿠라이히데아키 , 와타나베도시아키 , 소야마노부유키
IPC分类号： C01G23/00 , H01B3/12 , H01B3/10 , H01G4/12
CPC分类号： C04B35/624 , C01G23/006 , C04B35/4686 , C04B35/47 , C04B2235/441 , C04B2235/6562 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01G7/06 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L28/55 , Y10T29/435 , Y10T428/2495 , H01B5/00 , H01B3/10 , H01B3/12 , H01G4/12
摘要： 이 유전체 박막의 형성 방법에서는, Ba
1
-
x Sr
x Ti
y O
3
(0.2 ＜ x ＜ 0.6, 0.9 ＜ y ＜ 1.1) 의 유전체 박막을 졸겔법으로 형성할 때에, 도포에서 소성까지의 공정은 2 ? 9 회 실시하고, 첫 회의 소성 후에 형성되는 박막의 두께는 20 ? 80 ㎚ 로 하고, 2 번째 이후의 소성 후에 형성되는 각 박막의 두께는 20 ? 200 ㎚ 미만으로 하고, 첫 회부터 2 ? 9 회까지의 각각의 소성은 대기압 분위기하, 승온 속도 1 ? 50 ℃/분으로 500 ? 800 ℃ 의 범위 내의 소정 온도까지 승온시킴으로써 실시하고, 유전체 박막의 총 두께는 100 ? 600 ㎚ 로 한다.

30. 发明公开

KR1020180079602A 전자기 유도영향 회피 케이블 有权
公开(公告)号：KR1020180079602A
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020160184232
申请日：2016-12-30
申请人： 한국 전기안전공사
发明人： 정진수 , 채동주 , 임현성 , 조성구 , 홍성준
IPC分类号： H01B11/06 , H01B7/00 , H01B5/00
CPC分类号： H01B11/06 , H01B5/00 , H01B7/0045
摘要： 본발명은전자기유도영향회피케이블에관한것으로서, 더욱상세하게는전자기장에의해케이블에발생되는유도전류로인하여전기기기의오동작이일어나는것을방지하는전자기유도영향회피케이블에관한것이다. 이러한기술적과제를이루기위한본 발명의특징에따른전자기유도영향회피케이블은전류의진행방향이반대인제1 케이블과상기제1 케이블로부터일정거리이격되어배치되고전류의진행방향이정방향인제2 케이블및 제3 케이블을포함할수 있다. 또한, 상기제1 케이블의일단이상기제2 케이블또는제3 케이블중에서어느하나의일단에연결되고, 상기제1 케이블의타단은상기제2 케이블또는제3 케이블중에서다른하나의반대측단에연결되어구성될수있다. 또한, 상기제1 케이블은소스원으로부터상대적으로근거리에배치되고, 상기제2 케이블및 제3 케이블은소스원으로부터상대적으로원거리에배치됨으로써소스원으로부터제1 케이블에유도되는전자기장과제2 케이블및 제3 케이블에유도되는전자기장이서로상쇄시킬수있다.

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