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21. 发明授权

KR100962431B1 신규의 알루미늄 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：新型铝氨基烷氧基络合物及其制备方法
公开(公告)号：KR100962431B1
公开(公告)日：2010-06-14
申请号：KR1020080083183
申请日：2008-08-26
申请人： 한국화학연구원
发明人： 정택모 , 김창균 , 이영국 , 안기석 , 이선숙 , 박민정
IPC分类号： C07F5/06 , C07F5/00
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 알루미늄 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

[상기 화학식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고; 상기 A는 하나 이상의 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 수소 또는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R
3 는 C1-C5의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C1-C5)알킬실릴기이다.]
본 발명에 따르는 알루미늄 아미노 알콕사이드 화합물은 산화알루미늄 선구 물질로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 높은 증기압을 가지는 특성을 나타냄으로 알루미늄을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 증착에 알루미늄 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
알루미늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄 산화물 선구물질, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)

22. 发明公开

KR1020100054317A 신규의 알루미늄 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：新型烷氧基铝复合物及其制备方法
公开(公告)号：KR1020100054317A
公开(公告)日：2010-05-25
申请号：KR1020080113192
申请日：2008-11-14
申请人： 한국화학연구원
发明人： 정택모 , 김창균 , 이영국 , 안기석 , 이선숙 , 윤혜정
IPC分类号： C01F7/00
CPC分类号： C07F5/06
摘要： PURPOSE: Novel aluminum alkoxide compounds and a preparing method thereof are provided, which can obtain heat stability and excellent volatility and enable manufacture of a film of the high purity containing aluminum. CONSTITUTION: An aluminium alkoxide compound is represented as the chemical formula 1, Al(O-A-NR^1R^2)_x(R^3)_3-x. In the chemical formula 1, A is alkylene of C2-C5 and is substituted for linear or branched alkyl of one or more C1-C5, R^1 to R^3 are independently linear or branched alkyl of C1-C5, and X is fixed number of 1 to 3. The manufacturing method of the aluminium alkoxide compound is to react aluminum compound of the chemical formula 3, AlR^3_3 and alcohol of the chemical formula 4, HO-A-NR^1R^2.
摘要翻译：目的：提供新的烷氧基铝化合物及其制备方法，其可以获得热稳定性和优异的挥发性，并且能够制造含有高纯度的铝的膜。构成：烷氧化铝化合物表示为化学式1，Al（O-A-NR 1 R 1）2（X 3）3-x。在化学式1中，A是C 2 -C 5的亚烷基并且被一个或多个C 1 -C 5的直链或支链烷基取代，R 1至R 3独立地是C1-C5的直链或支链烷基，X是固定数量为1〜3。烷氧基铝化合物的制造方法是使化学式3的铝化合物，AlR 3 3 3和化学式4的醇HO-A-NR 1 1R 2。

23. 发明公开

KR1020100054300A 새로운 하프늄 알콕사이드 화합물 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：新型高效烷氧化铝化合物及其制备方法
公开(公告)号：KR1020100054300A
公开(公告)日：2010-05-25
申请号：KR1020080113164
申请日：2008-11-14
申请人： 한국화학연구원
发明人： 정택모 , 김창균 , 이영국 , 안기석 , 이선숙 , 윤혜정 , 류병환
IPC分类号： C01G27/00
摘要： PURPOSE: A novel hafnium alkoxide compounds and a preparing method thereof are provided, in which compounds are thermally stable, have high volatility, and enhance reactivity with the ozone. CONSTITUTION: A novel hafnium alkoxide compound is represented as the chemical formula 1, HF(OCR^1R^2R^3)_4. In the chemical formula 1, R^1 and R2 are independently the linear or branched alkyl group of C1-C5, R^3 is linear alkenyl or alkynyl group of C2-C5. R^1 and R2 are independently selected from CH_3, C2H5, and CH(CH_3)2 or C(CH_3)3, and R^3 is C≡CH, CH_2C≡CH, CH_2CH_2C≡CH, C≡CCH_3, CH_2C≡CCH_3 or CH_2CH_2C≡CCH_3. The manufacturing method of the hafnium alkoxide compound of the chemical formula 1 is to react hafnium amide compound of the chemical formula 2, Hf(NR^4R^5)_4 and alcohol compound of the chemical formula 3, HOCR^1R^2R^3.
摘要翻译：目的：提供一种新型的铪醇盐化合物及其制备方法，其中化合物是热稳定的，具有高挥发性，并增强与臭氧的反应性。构成：一种新的铪醇盐化合物以化学式1表示，HF（OCR 1 R 1 R 2 R 3）4。在化学式1中，R 1和R 2独立地是C 1 -C 5的直链或支链烷基，R 3是C 2 -C 5的直链烯基或炔基。 R 1和R 2独立地选自CH 3，C 2 H 5和CH（CH 3）2或C（CH 3）3，R 3是C≡CH，CH 2C≡CH，CH 2 CH 2C≡CH，C≡CCH3，CH 2C≡CCH3 或CH 2 CH 2C≡CCH3。化学式1的铪醇盐化合物的制造方法是使化学式2的铪酰胺化合物，Hf（NR 4 4R 5）4和化学式3的HO化合物HOCR 1 1R 2 2R 3 。

24. 发明公开

KR1020090076211A 유기 용매에 분산된 나노 크기의 카드뮴 및 카드뮴칼코게나이드 입자 콜로이드를 제조하는 방법 失效
标题翻译：在有机溶剂中制备纳米尺寸堇青石和堇青石胶体的方法
公开(公告)号：KR1020090076211A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002020
申请日：2008-01-08
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 류병환 , 정택모 , 이영국 , 안기석 , 이선숙 , 이상현
IPC分类号： B82B3/00 , C01G11/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C01G11/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64
摘要： A method for manufacturing nano-sized cadmium and cadmium chalcogenide colloid in an organic solvent is provided to show excellent dispersibility in organic solvents, crystalline and purity as well as uniform particle size distribution. A method for manufacturing nano-sized cadmium and cadmium chalcogenide colloid in an organic solvent comprises: a first step of heating a reactant containing cadmium aminoalkoxide compounds in order to transform it to a cadmium-containing nanoparticle; and a second step of separating the obtained cadmium-containing nanoparticle. The reactant containing a precursor material selected among S, Se and Te can be added in the first step and therefore cadmium chalcogenide nanoparticles are obtained.
摘要翻译：提供了一种在有机溶剂中制造纳米尺寸的镉和镉硫族化物胶体的方法，以显示在有机溶剂中的优异分散性，结晶和纯度以及均匀的粒度分布。在有机溶剂中制造纳米尺寸的镉和镉硫族化物胶体的方法包括：加热含有氨基喔啉化合物的反应物以便将其转化为含镉纳米颗粒的第一步骤; 以及分离所得到的含镉纳米粒子的第二工序。可以在第一步骤中加入含有从S，Se和Te中选择的前体材料的反应物，因此得到硫属镉的纳米粒子。

25. 发明公开

KR1020090073289A 신규한 카드뮴 아미노알콕사이드 화합물 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：新型氨基脲氧化物复合物及其制备方法
公开(公告)号：KR1020090073289A
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020070141190
申请日：2007-12-31
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 정택모 , 이영국 , 안기석 , 이선숙 , 류병환 , 장세진
IPC分类号： C07F3/08 , C07F3/00 , B82B3/00
CPC分类号： C07F3/08 , B82B3/00 , C01G11/00 , C01P2004/64 , C22B17/00 , C23C16/18
摘要： A cadmium aminoalkoxide compound is provided to manufacture the nano size of cadmium, cadmium oxide, and cadmium chalcogenide at low temperature. A method for manufacturing the cadmium aminoalkoxide compound of chemical formula 1 is reacting an alkyl cadmium compound of the chemical formula 2 and amino alcohol of the chemical formula 3. The chemical formulas 1, 2, and 3 are denoted by [R3-Cd-(O-A-NR1R2)]4, Cd(R3)2, and HO-A-NR1R2, respectively. In the chemical formula 1,2 and 3, the A is linear or branched (C2-C10) alkylene group which is non-substituted or substituted with a halogen. The R1 and R2 is each linear or branched (C1-C7) alkyl group which is non-substituted or substituted with the halogen. Or a hetero ring is formed by binding R1 and R2 with (C4-C6) alkylene. The R3 is linear or branched (C1-C7) alkyl group.
摘要翻译：提供了一种镉氨基烷氧基化合物，以在低温下制造镉，氧化镉和硫属镉的纳米尺寸。制备化学式1的氨基二氧化镉化合物的方法是使化学式2的烷基镉化合物与化学式3的氨基醇反应。化学式1,2和3由[R 3 -CD-（ OA-NR1R2）] 4，Cd（R3）2和HO-A-NR1R2。在化学式1,2和3中，A是未被取代或被卤素取代的直链或支链（C2-C10）亚烷基。 R1和R2分别是不被卤素取代或取代的直链或支链（C1-C7）烷基。或者通过将R 1和R 2与（C 4 -C 6）亚烷基结合形成杂环。 R3是直链或支链（C1-C7）烷基。

26. 发明授权

KR100897495B1 신규의 갈륨 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조방법 有权
标题翻译：新型镓氨基 - 醇盐配合物及其制备方法
公开(公告)号：KR100897495B1
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070102354
申请日：2007-10-11
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 정택모 , 이영국 , 안기석 , 이선숙 , 박민정 , 채원묵
IPC分类号： C07F5/00
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 갈륨 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 수소 또는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R
3 는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C
1 -C
5 )알킬실릴기이다.]
본 발명에 따르는 갈륨 화합물은 갈륨 또는 산화 갈륨의 선구 물질로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 승화되는 특성을 나타냄으로 갈륨을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 갈륨 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
갈륨, 갈륨 산화물 선구물질, 갈륨 산화물, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)

27. 发明授权

KR100803950B1 플라즈마 유기-금속 화학 증착법을 이용한 ｐ형 산화아연박막 제조 방법 失效
标题翻译：通过等离子体增强金属有机化学气相沉积制备P-ZNO膜
公开(公告)号：KR100803950B1
公开(公告)日：2008-02-18
申请号：KR1020060093970
申请日：2006-09-27
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 이영국 , 정택모 , 안기석 , 이선숙
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02554 , C23C16/513 , H01L21/0262
摘要： A method for forming a p-type zinc oxide layer using plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition is provided to adjust a doping concentration by controlling a dose of an organic metal compound of a group-V element. After a substrate(20) is put in a reactor(10) and then an oxygen source and an argon gas are inputted to the reactor, an RF power is applied to the reactor to produce a plasma in the reactor. A zinc precursor and a group-V precursor as a dopant are inputted to the reactor to form a p-type zinc oxide layer on the substrate. The heat treatment is performed on a substrate with the p-type zinc oxide layer. When the p-type zinc oxide layer is formed, a temperature of the substrate is in the range of 200 to 400 degrees centigrade.
摘要翻译：提供了使用等离子体增强金属有机化学气相沉积形成p型氧化锌层的方法，通过控制V族元素的有机金属化合物的剂量来调节掺杂浓度。将基板（20）放入反应器（10）中，然后将氧源和氩气输入到反应器中，向反应器施加RF功率以在反应器中产生等离子体。将锌前体和作为掺杂剂的V族前体输入到反应器中，以在衬底上形成p型氧化锌层。在具有p型氧化锌层的基板上进行热处理。当形成p型氧化锌层时，基板的温度在200至400摄氏度的范围内。

28. 发明授权

KR100774614B1 화학 증착법으로 산화아연 나노 바늘 구조체를 제조하는방법 失效
标题翻译：通过化学蒸气沉积制备氧化锌纳米针状结构的方法
公开(公告)号：KR100774614B1
公开(公告)日：2007-11-12
申请号：KR1020060042840
申请日：2006-05-12
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 정택모 , 이영국 , 안기석 , 이선숙
IPC分类号： H01L21/205 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02603 , H01L21/02554 , H01L21/0262
摘要： A method for manufacturing a zinc oxide nano needle structure is provided to grow the zinc oxide nano needle structure without using a catalyst by changing a temperature of a substrate in two steps in a chemical vapor deposition process. An SAM(Self-Assembled Molecule) film is patterned on a substrate. A zinc source and an oxygen source are introduced on the substrate and a CVD(Chemical Vapor Deposition) process is performed on the substrate except for a region for the SAM, so that a zinc oxide seed layer is formed. A CVD process is performed on the zinc oxide seed layer, so that a zinc oxide nano needle is vertically grown on the zinc oxide seed layer. The SAM is performed by a micro-contact printing scheme.
摘要翻译：提供了一种制造氧化锌纳米针结构的方法，用于通过在化学气相沉积工艺中两步改变衬底的温度来生长氧化锌纳米针结构而不使用催化剂。将SAM（自组装分子）膜图案化在衬底上。在基板上引入锌源和氧源，在除了SAM的区域之外的基板上进行CVD（化学气相沉积）处理，形成氧化锌种子层。在氧化锌种子层上进行CVD处理，使氧化锌纳米针在氧化锌种子层上垂直生长。 SAM通过微接触打印方案执行。

29. 发明公开

KR1020070024883A 망간-주입된 산화아연 단결정의 제조방법 有权
标题翻译：用于制备氧化锌单晶的方法
公开(公告)号：KR1020070024883A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050080464
申请日：2005-08-31
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이영국
IPC分类号： C30B29/22
摘要： A method for fabricating a manganese-implanted zinc oxide single crystal is provided to increase the quantity of manganese implanted into a zinc oxide single crystal by adding water-soluble salt of manganese to a conventional solution used to be used as a mineralizer. Under the existence of a mixed hydrothermal solution including KOH, LiOH and Mn as a mineralizer, a Mn-implanted zinc oxide single crystal is fabricated by a hydrothermal method while using manganese oxide, a zinc oxide powder sintering material and a zinc oxide seed crystal. A solution having saturated zinc oxide can be used as a mineralizer.
摘要翻译：提供了一种制造锰注入的氧化锌单晶的方法，以通过将锰的水溶性盐添加到用作矿化剂的常规溶液中来增加注入到氧化锌单晶中的锰的量。在含有KOH，LiOH和Mn作为矿化剂的混合水热溶液的存在下，通过水热法制造Mn注入的氧化锌单晶，同时使用氧化锰，氧化锌粉末烧结材料和氧化锌晶种。可以使用具有饱和氧化锌的溶液作为矿化剂。

30. 发明公开

KR1020060130976A 지르코늄 산화물 박막 제조 방법 失效
标题翻译：制备氧化锆薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020060130976A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050050745
申请日：2005-06-14
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김윤수 , 김창균 , 이영국 , 정택모 , 안기석 , 양택승 , 조원태
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02189 , H01L21/02271
摘要： A method for manufacturing a ZrO thin film is provided to prevent carbon contamination and to restrain the generation of a silicon oxide layer by using Zr alone without an additional supply of oxygen source. A ZrO thin film is formed by performing an MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) using Zr compound as a precursor material. The predetermined Zr compound is represented by a predetermined chemical formula. The predetermined Zr compound is used for forming the ZrO thin film without an additional oxygen source. The predetermined Zr compound is kept in a predetermined temperature range of room temperature to 90 ‹C.
摘要翻译：提供一种制造ZrO薄膜的方法，以防止碳污染，并且通过单独使用Zr而不需要额外的氧源供应来抑制氧化硅层的产生。通过使用Zr化合物作为前体材料进行MOCVD（金属有机化学气相沉积）来形成ZrO薄膜。预定的Zr化合物由预定的化学式表示。预定的Zr化合物用于形成不含附加氧源的ZrO薄膜。将预定的Zr化合物保持在室温至90℃的预定温度范围内。

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