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21. 发明授权

KR100307807B1 이온빔을이용하여표면개질된고분자배양접시및그표면개질방법 有权
标题翻译：离子束表面改性聚合物培养皿及其表面改性方法
公开(公告)号：KR100307807B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019980054847
申请日：1998-12-14
申请人： 주식회사 삼양홀딩스 , 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 정형진 , 최원국 , 최성창 , 윤영수 , 유영숙 , 정봉철
IPC分类号： C08J7/00
摘要： 본 발명은 이온빔을 이용하여 친수성으로 표면개질된 고분자 배양접시 및 그 표면 개질방법에 관한 것으로, 고분자 배양접시 표면으로, 반응성 기체를 유입시키면서 2000 eV 이하의 에너지를 가진 이온빔을 조사시킴으로써 상기 이온빔으로 고분자 배양접시의 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 배양접시 표면과 상기 반응성 기체를 반응시켜 그 표면에 친수성기를 형성시키는 고분자 배양접시의 표면개질방법과 그에 의해 표면개질된 고분자 배양접시를 제공한다.

22. 发明公开

KR1020010102794A 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법 失效
标题翻译：氧化锌半导体薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020010102794A
公开(公告)日：2001-11-16
申请号：KR1020000024465
申请日：2000-05-08
申请人： 광주과학기술원 , 한국과학기술연구원
发明人： 김한기 , 성태연 , 최원국 , 김경국 , 김병국
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 본 발명은 청색 및 녹색 발광다이오드(LED: Blue/Green Light Emitting Diode) 및 레이저다이오드(LD: laser diode)와 같은 광전자소자의 제작에 핵심 기술인 고품위 산화아연(ZnO) 산화물 반도체 박막 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 최근 차세대 발광다이오드용 물질로 각광 받고 있는 산화아연(ZnO) 산화물 반도체를 기존의 단순한 성장조건 변화에 따른 박막제조 방법이 아닌 특정가스 분위기 하에서 후 열처리(post-growth annealing treatment)를 시행함으로써 전기적, 구조적, 광학적 특성이 우수한 산화아연박막을 제조하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은, 스퍼터 시스템(sputter system)으로 반에피텍시 박막을 성장시키고 이 박막을 고온의 산소분위기 하에서 열처리하여 그레인(grain) 재배열을 유도함으로써 구조적 특성을 향상시켰으며, 산소분위기 열처리에 의한 산소 주입으로 산화아연 박막내의 산소공공(vacancy)을 줄여줌으로써 전기적, 광학적 특성이 우수한 박막을 구현할 수 있다.

23. 发明公开

KR1020010076504A 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ＺｎＯ박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치 失效
标题翻译：用于制造在正常温度下操作的红外光接收和发射装置的ZNO膜的方法及其装置
公开(公告)号：KR1020010076504A
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：KR1020000003690
申请日：2000-01-26
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 정형진 , 김경국 , 윤영수 , 송종한
IPC分类号： H01L33/12 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/0047 , C23C14/086 , C30B23/02 , C30B29/16
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing ZnO film for an infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature and an apparatus therefor are provided to replace GaN by manufacturing ZnO film at lower costs. CONSTITUTION: The method for manufacturing ZnO film for the infrared light receiving and emitting device operated at normal temperature includes following steps. At first, a gas including Ar and O2 gases at predetermined ratio in a vacuum chamber to maintain the vacuum level lower than 1 to 500mTorr. Then, the substrate is pre-heated. At third, C and N are induced from an atom radicals implemented on the substrate and a ZnO single crystal film is vaporized on the substrate(3) by using an RF magnetron sputtering method. At third, the partial pressure of the oxygen in the chamber used while vaporizing ZnO film is maintained while the substrate is cooled down slowly. The Ar/O2 ratio is much less than 4/1. Alternatively, the Ar/O2 ratio is much less than 4/1.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的方法及其装置，以较低成本制造ZnO膜来代替GaN。构成：在常温下工作的红外光接收和发射装置的ZnO膜的制造方法包括以下步骤。首先，在真空室中以预定比例包括Ar和O 2气体的气体以保持真空度低于1至500mTorr。然后，将衬底预热。第三，通过使用RF磁控溅射法，在基板上实现的原子自由基诱导C和N，并在基板（3）上蒸发ZnO单晶膜。第三，在使衬底缓慢冷却的同时保持在蒸镀ZnO膜时使用的室中的氧的分压。 Ar / O2比值远低于4/1。或者，Ar / O 2比远小于4/1。

24. 发明授权

KR100287362B1 이온빔을이용한산화물기판표면의전처리방법및이를이용한질화물박막형성방법 失效
标题翻译：使用离子束的氧化物基板表面的预处理方法和使用其的氮化物膜形成方法
公开(公告)号：KR100287362B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019970061766
申请日：1997-11-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 최원국 , 금동화 , 정형진 , 변동진
IPC分类号： H01J37/00

25. 发明公开

KR1020000039496A 이온빔을이용하여표면개질된고분자배양접시및그표면개질방법 有权
标题翻译：聚合物培养皿表面改性利用离子束和表面改性方法
公开(公告)号：KR1020000039496A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980054847
申请日：1998-12-14
申请人： 주식회사 삼양홀딩스 , 한국과학기술연구원
发明人： 고석근 , 정형진 , 최원국 , 최성창 , 윤영수 , 유영숙 , 정봉철
IPC分类号： C08J7/00
摘要： PURPOSE: A polymer culture dish having an improved hydrophilic property and surface adhesiveness is provided which a part of carbon of the activated surface is reacted with a reactive gas after activating the surface by irradiating less than 2,000 eV of ion-beam. CONSTITUTION: A surface modifying apparatus comprises a gas inlet part(20) introducing a reactive gas into a vacuum chamber(10), an ion source(30) producing ion beam, a substrate holder(40) and a vacuum pump(50). The polymer culture dish is built in the substrate holder(40) and the reactive gas is introduced into the vacuum chamber(10) through the gas inlet part(20). Ion-beam having less than 2,000 eV is irradiated to activate the surface of the polymer culture dish from the ion source(30). The surface of the polymer culture is reacted with the reactive gas such as oxygen, nitrogen, carbon dioxide, carbon monoxide, ozone and their mixed gas to produce a hydrophilic group on the surface.
摘要翻译：目的：提供具有改善的亲水性和表面粘合性的聚合物培养皿，其中活化表面的一部分碳通过照射小于2000eV的离子束而在活化表面后与反应性气体反应。构成：表面改性装置包括将反应性气体引入真空室（10）的气体入口部分（20），产生离子束的离子源（30），衬底保持器（40）和真空泵（50）。聚合物培养皿内置在基板保持件（40）中，反应气体通过气体入口部分（20）引入真空室（10）。照射小于2000eV的离子束从离子源（30）活化聚合物培养皿的表面。聚合物培养物的表面与氧，氮，二氧化碳，一氧化碳，臭氧及其混合气体等反应性气体反应，在表面产生亲水基团。

26. 发明公开

KR1020170142601A 산화아연-탄소기반 양자점을 이용한 바이러스 검출물질 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用氧化锌 - 碳基量子点的病毒检测材料
公开(公告)号：KR1020170142601A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160076351
申请日：2016-06-20
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 손동익 , 양희연 , 심재호 , 허진 , 박병용 , 김학용
IPC分类号： G01N33/543 , G01N33/551 , G01N33/534 , C09K11/65 , C09K11/54
摘要： 본발명은 FRET 현상을이용하는바이러스검출물질을구성함에있어서산화아연-탄소기반양자점을적용함으로써인체유해성을회피함과함께바이러스존재유무를용이하게확인할수 있는산화아연-탄소기반양자점을이용한바이러스검출물질및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른산화아연-탄소기반양자점을이용한바이러스검출물질은산화아연-탄소기반양자점; 상기산화아연-탄소기반양자점의일측에연결된항체; 및상기항체의일단에연결된흡수체를포함하여이루어지는것을특징으로한다.
摘要翻译：与基于碳的量子发明病毒检测材料中的氧化锌的使用显影配置病毒检测材料的FRET通过施加基于碳的量子点的氧化，可以容易地证实病毒的存在与还避免人体的危害锌本发明涉及使用氧化锌 - 碳基量子点的基于氧化锌 - 碳的量子点检测方法。与氧化锌 - 碳基量子点的一侧连接的抗体; 和一个连接到抗体一端的吸收体。

27. 发明授权

KR101700884B1 망간주석산화물계 투명전도성산화물 및 이를 이용한 다층투명도전막 그리고 그 제조방법 有权
标题翻译：锰氧化物透明导电氧化物和透明导电膜，以及制造透明导电膜的方法
公开(公告)号：KR101700884B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150017286
申请日：2015-02-04
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최지원 , 최원국 , 김진상 , 임해나
IPC分类号： H01B1/08 , C01G45/02 , C01G19/02 , H01B5/14
CPC分类号： H01B1/02 , C01G19/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , H01L29/43 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
摘要： 본발명은상온증착시에도낮은표면거칠기, 낮은면저항및 높은투과율특성을갖는최적조성의망간주석산화물계투명전도성산화물(TCO) 및이를이용한다층투명도전막그리고그 제조방법에관한것으로서, 본발명에따른망간주석산화물계투명전도성산화물은 MnSnO(0
摘要翻译：公开了一种具有优化组成的锰锡氧化物基透明导电氧化物（TCO），其即使在室温下沉积时也具有低的表面粗糙度，低的薄层电阻和高透射率，使用其的多层透明导电膜和制作相同。锰氧化锡系透明导电氧化物具有Mn x Sn 1-x O（0

28. 发明公开

KR1020160107720A 나노 산화물 입자를 템플레이트로 사용한 나노링 탄소나노튜브 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：使用纳米氧化物颗粒模板的纳米环碳纳米管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160107720A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030876
申请日：2015-03-05
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 황도경 , 손동익 , 이윤재
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B32/158 , C01B2202/02 , C01P2004/64
摘要： 본발명은직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브및 산처리된탄소나노튜브및 금속산화물전구체의용액을반응시켜침전물을얻는단계; 및상기침전물을산성용액에용해시켜금속산화물을제거하여직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브를얻는단계를포함하는나노링 형태의탄소나노튜브의제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供纳米环状碳纳米管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：通过使具有20〜30nm直径的纳米环状碳纳米管与酸处理碳纳米管反应而得到析出物，金属氧化物前体溶液; 并通过在将沉淀物溶解在酸性溶液中后除去金属氧化物，得到直径为20〜30nm的纳米环形碳纳米管。

29. 发明授权

KR101607478B1 핵-껍질 구조의 나노입자를 이용한 역구조 유기태양전지 소자와 그 제조방법 有权
标题翻译：通过使用核壳纳米粒子制备的反相聚合物太阳能电池及其制备方法
公开(公告)号：KR101607478B1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020140162583
申请日：2014-11-20
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 손동익 , 배수강 , 문병준 , 최원국 , 이규승
IPC分类号： H01L51/46 , H01L51/48
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/426 , H01L51/442
摘要： 본발명은핵-껍질구조의나노입자를이용한역구조유기태양전지소자와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는기능화된금속산화물-그래핀의핵-껍질나노입자를표면개질고분자층과광활성층사이에전자수송층으로도입함으로써전극과광활성층사이에서밴드갭의배합을최적화하여전지수명과광전변환효율을크게개선한역구조유기태양전지소자와이를제조하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用核 - 壳结构纳米颗粒的反向结构有机太阳能电池器件及其制造方法，更具体地涉及使用核 - 壳结构纳米颗粒采用核 - 壳的逆向结构有机太阳能电池器件功能化金属氧化物石墨烯的纳米颗粒作为表面改性聚合物层和光活化层之间的电子传输层，以优化电极和光活化层之间的带隙的混合，以显着地改善电池寿命和光电转换效率，及其制造方法。

30. 发明授权

KR101357044B1 내산성이 우수한 다층 박막 구조의 고(高) 투과도, 저(低) 비저항 투명 전극 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有耐酸性的多层结构的高透明低电导率透明导电电极及其制造方法
公开(公告)号：KR101357044B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020110095419
申请日：2011-09-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 박동희 , 양정도
IPC分类号： H01L51/44 , H05B33/26 , G02F1/1343 , H01B5/14
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 내산성이 우수한 다층 박막 구조의 고(高) 투과도, 저(低) 비저항 투명 전극 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유전체 박막/금속 박막/유전체 박막의 다층 구조 투명전극에 있어서 유전체 박막을 사용함으로써 가시광선 영역에서 굴절률과 투과도가 큰 광학적 성질이 우수한 효과가 있으며 유전체 박막 사이에 금속 박막을 삽입함으로써 굴절률이 낮으나 비저항이 작아 전기적 특성이 우수하고 내산성이 우수한 효과가 있는 다층 박막 구조의 고(高) 투과도, 저(低) 비저항 투명 전극 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

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