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21. 发明公开

KR1020090022417A 반도체 소자 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090022417A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087756
申请日：2007-08-30
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42368 , H01L29/6656
摘要： A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a leakage current by forming a gate oxide layer with a predetermined thickness in an upper part of a drain/source region of a transistor operated in a high voltage. A drain/source(370) is formed between element isolation films(111) to be separated with a predetermined distance. A gate oxidation layer(320) is formed in upper parts of the drain/source, the element isolation film, and a semiconductor substrate(110). The thickness of the gate oxide layer formed in the upper parts of the drain/source and the element isolation layer is thicker than the semiconductor substrate. A gate(330) is formed in a first central upper surface(321a) of the gate oxide layer. A first oxide layer(320) is formed in the side of the gate and the first edge upper side(321b) of the gate oxidation layer with the constant thickness. The nitride film is formed in the upper side of the first oxide layer and the side of the first oxide layer. A second oxide layer(360) is formed in the upper side of the nitride film and the side of the nitride film.
摘要翻译：提供一种半导体器件及其制造方法，用于通过在高电压工作的晶体管的漏极/源极区域的上部形成具有预定厚度的栅极氧化物层来防止漏电流。在要分离预定距离的元件隔离膜（111）之间形成漏极/源极（370）。栅极氧化层（320）形成在漏极/源极，元件隔离膜和半导体衬底（110）的上部。在漏极/源极和元件隔离层的上部形成的栅极氧化物层的厚度比半导体衬底厚。栅极（330）形成在栅极氧化物层的第一中心上表面（321a）中。第一氧化物层（320）形成在栅极的侧面和具有恒定厚度的栅极氧化层的第一边缘上侧（321b）。氮化物膜形成在第一氧化物层的上侧和第一氧化物层的一侧。第二氧化物层（360）形成在氮化物膜的上侧和氮化物膜的侧面。

22. 发明公开

KR1020130112575A 후면 수광형 이미지 센서의 제조 방법 无效
标题翻译：制造背面照明图像传感器的方法
公开(公告)号：KR1020130112575A
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020120035061
申请日：2012-04-04
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경 , 주성욱
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L33/0041 , H01L27/14636 , H01L27/1464
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a backside illumination image sensor is provided to form a barrier layer by using a metal oxide layer, thereby preventing filling failure. CONSTITUTION: A device isolation layer (107) is formed on the front surface of a semiconductor substrate. A light receiving device is formed in the active region of the semiconductor substrate. An interlayer dielectric (117) is formed on the front surface of the semiconductor substrate. A super contact hole (119) is formed in the pad region. A barrier layer is formed on the bottom surface and the sidewall of the super contact hole.
摘要翻译：目的：提供一种制造背面照明图像传感器的方法，以通过使用金属氧化物层形成阻挡层，从而防止填充失败。构成：在半导体衬底的前表面上形成器件隔离层（107）。在半导体衬底的有源区中形成光接收器件。在半导体衬底的前表面上形成层间电介质（117）。在焊盘区域中形成超级接触孔（119）。在超级接触孔的底面和侧壁上形成阻挡层。

23. 发明公开

KR1020110079277A 반도체 소자의 제조방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110079277A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136295
申请日：2009-12-31
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 주성욱 , 정충경
IPC分类号： H01L21/8229 , H01L21/306
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce the number of necessary mask processes by patterning the first oxide film of the first region and the second oxide film of the third region concurrently. CONSTITUTION: A semiconductor substrate where the first region, and the second region and the third region defined is provided. The first oxide film(201) having the first thickness on the first region and the second region is formed. The second oxide film(202) having the second thickness smaller than the first thickness is formed in the third region. A part arranged in the second region among the first oxide film is primarily patterned. A part arranged in the first region among the second oxide film and the first oxide film is concurrently patterned.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过同时对第一区域的第一氧化物膜和第三区域的第二氧化物膜进行图案化来减少所需掩模工艺的数量。构成：设置第一区域，第二区域和第三区域的半导体基板。形成在第一区域和第二区域上具有第一厚度的第一氧化膜（201）。在第三区域中形成第二厚度小于第一厚度的第二氧化物膜（202）。第一氧化膜中的第二区域中布置的部分被主要构图。配置在第二氧化膜和第一氧化物膜中的第一区域中的部分同时被图案化。

24. 发明授权

KR101035614B1 플래시 메모리 소자의 제조방법 失效
标题翻译：闪存设备的方法制造
公开(公告)号：KR101035614B1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020080104157
申请日：2008-10-23
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/7881 , H01L29/66825
摘要： 본 발명은 언더컷에 의한 소스와 드레인간 채널 길이가 줄어드는 현상을 제어할 수 있는 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로,
본 발명의 실시 예에 따른 플래시 메모리 소자의 제조방법은 반도체 기판 상에 하드 마스크 패턴을 이용하여 플로팅 게이트, ONO막 및 콘트롤게이트로 구성되는 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판 표면에 이온주입을 통해 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 상기 반도체 기판 전면에 저온 산화막을 형성하는 단계와, 상기 저온 산화막을 상기 소오스/드레인 영역 및 게이트 전극의 상부를 노출시키도록 식각하는 단계와, 상기 저온 산화막을 습식식각을 통해 제거하는 단계와, 상기 게이트 전극 및 소오스/드레인 영역의 표면에 살리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
LTO, 하드 마스크

25. 发明授权

KR101030299B1 반도체 소자 및 그의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101030299B1
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020080077958
申请日：2008-08-08
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L21/20 , H01L27/12 , H01L21/027
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/14634 , H01L27/1469
摘要： 반도체 소자 및 그의 제조 방법이 개시된다. 이 방법은, 제1 웨이퍼의 상부에 제2 웨이퍼를 결합시키는 단계와, 상기 제2 웨이퍼의 백 사이드에 하드 마스크 층을 형성하는 단계와, 상기 하드 마스크 층의 상부에 비아 홀 영역을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 하드 마스크 층을 식각하여 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 하드 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1 및 제2 웨이퍼를 일정 깊이까지 식각하여 비아 홀을 형성하는 단계와, 상기 비아 홀의 내부를 포함하여 상기 하드 마스크 패턴의 전면에 장벽 금속층을 형성하는 단계와, 상기 장벽 금속층 상부 전면에 금속층을 형성하여 상기 비아 홀을 매립하는 단계 및 상기 장벽 금속층과 상기 금속층을 상기 제 2 웨이퍼에 형성된 PIN 다이오드에서 I영역까지 선택적으로 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 그러므로, 두 웨이퍼를 접합시키는 데 매우 효과적이고, 높은 외형비를 갖는 비아 홀에 잔류하는 찌꺼기를 깨끗하게 제거할 수 있고, 소자 특성을 더욱 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.
반도체 소자, 웨이퍼, 포토 다이오드, 장벽 금속층, 금속층

26. 发明公开

KR1020100077364A 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 无效
标题翻译： CMOS图像传感器的制作方法
公开(公告)号：KR1020100077364A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080135282
申请日：2008-12-29
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14685
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a CMOS image sensor is provided to improve the efficiency of a CMOS image device by reducing the interval between a photo diode and a micro lens. CONSTITUTION: A plurality of photo diodes(12) with a uniform interval are formed in a semiconductor substrate(10). An interlayer insulating film(14) is formed in the front of the semiconductor substrate. An organic compound(15) is formed in the front of the interlayer insulating film. A photoresist is formed on the organic compound. A photoresist pattern(16) is formed by executing an exposure and development on the photoresist.
摘要翻译：目的：提供CMOS图像传感器的制造方法，以通过减小光电二极管和微透镜之间的间隔来提高CMOS图像器件的效率。构成：在半导体衬底（10）中形成具有均匀间隔的多个光电二极管（12）。在半导体衬底的前面形成层间绝缘膜（14）。在层间绝缘膜的前面形成有机化合物（15）。在有机化合物上形成光致抗蚀剂。通过在光致抗蚀剂上进行曝光和显影来形成光致抗蚀剂图案（16）。

27. 发明公开

KR1020100076249A 반도체 소자의 트랜치 소자분리막 형성방법 无效
标题翻译：用于制造用于半导体器件的TRENCH隔离层的方法
公开(公告)号：KR1020100076249A
公开(公告)日：2010-07-06
申请号：KR1020080134218
申请日：2008-12-26
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/3081
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a trench isolation layer for a semiconductor device is provided to prevent characteristic deterioration of a device by rounding the profile of a corner area of a device isolation trench which is close to a semiconductor substrate surface. CONSTITUTION: A pad oxide film, a pad nitride layer, and a pad TEOS layer are formed on a semiconductor substrate(100). An isolation trench(140) is formed in the semiconductor substrate using the pad oxide film, the pad nitride layer and the pad TEOS layer as an etching mask. The surface of the corner area of the trench and the surface of the semiconductor substrate are exposed by removing the pad oxide film, the pad nitride layer and the pad TEOS layer. The corner area of the trench is rounded through a chemical treatment process on the semiconductor substrate including the trench. An isolation film(160) is formed by depositing an insulation layer on the trench.
摘要翻译：目的：提供一种制造用于半导体器件的沟槽隔离层的方法，用于通过使靠近半导体衬底表面的器件隔离沟槽的角区域的轮廓变圆来防止器件的特性劣化。构成：在半导体衬底（100）上形成衬垫氧化膜，衬垫氮化物层和焊盘TEOS层。使用衬垫氧化膜，衬垫氮化物层和焊盘TEOS层作为蚀刻掩模，在半导体衬底中形成隔离沟槽（140）。通过去除衬垫氧化膜，衬垫氮化物层和焊盘TEOS层，暴露沟槽的拐角区域的表面和半导体衬底的表面。通过包括沟槽在内的半导体衬底上的化学处理工艺使沟槽的拐角区域变圆。通过在沟槽上沉积绝缘层来形成隔离膜（160）。

28. 发明公开

KR1020100070557A 반도체 소자의 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020100070557A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129147
申请日：2008-12-18
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/265 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/28035 , H01L21/26513 , H01L29/4916 , G03F7/42
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve the reliability of the device by removing the residue of a photo resist pattern with a phosphoric acid. CONSTITUTION: A nitride layer(235) is formed on a semiconductor substrate(210). A photo resist pattern(240) is formed on the nitride layer. An implant process is performed with respect to a part of the semiconductor substrate. The photo resist pattern is removed using either of an ashing process or a stripping process. The residue of the photo resist pattern is removed with the nitride layer.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过用磷酸除去光致抗蚀剂图案的残留物来提高器件的可靠性。构成：在半导体衬底（210）上形成氮化物层（235）。在氮化物层上形成光刻胶图案（240）。相对于半导体衬底的一部分执行注入工艺。使用灰化过程或剥离过程中的任何一个去除光刻胶图案。用氮化物层除去光刻胶图案的残留物。

29. 发明公开

KR1020100052637A 이미지 센서의 제조 방법 无效
标题翻译：图像传感器制造方法
公开(公告)号：KR1020100052637A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080111441
申请日：2008-11-11
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L27/1464
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an image sensor is provided to improve the reliability of the image sensor by preventing the formation of a native oxide layer on an under-cut which is formed during an etching process for a via-hole. CONSTITUTION: An interlayer insulation layer(160) including a wiring is formed on a semiconductor substrate(100). An image sensor(200) with a first dopant layer(210) and a second dopant layer(220) is formed on the interlayer insulation layer. A via-hole which exposes the wiring is formed by penetrating through the image sensor and the interlayer insulation layer. An under-cut is formed on the lateral side of the image sensor. A native oxide layer which is formed on the under-cut is removed by a cleaning process. A first barrier pattern(265), a second barrier pattern(255) and a contact plug(275) are formed in the via-hole.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造图像传感器的方法，以通过防止在通孔的蚀刻处理期间形成的底切上形成自然氧化物层来提高图像传感器的可靠性。构成：在半导体衬底（100）上形成包括布线的层间绝缘层（160）。具有第一掺杂剂层（210）和第二掺杂剂层（220）的图像传感器（200）形成在层间绝缘层上。通过穿透图像传感器和层间绝缘层形成露出布线的通孔。在图像传感器的侧面上形成底切。通过清洗方法除去形成在下切割上的自然氧化物层。在通孔中形成第一阻挡图案（265），第二阻挡图案（255）和接触插塞（275）。

30. 发明授权

KR100947929B1 이미지 센서 제조방법 失效
标题翻译：制造图像传感器的方法
公开(公告)号：KR100947929B1
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020070127354
申请日：2007-12-10
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 정충경 , 이강현 , 류상욱
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은 반도체 기판에 포토다이오드를 포함하는 화소를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 금속배선 및 패드를 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 단위화소에 대응하는 상기 보호층 상에 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터 상에 시드 렌즈를 형성하는 단계; 상기 시드 렌즈 상에 무기물층을 증착하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 상기 패드 상부의 보호층 및 무기물층을 제거하여 패드홀을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 마이크로 렌즈의 형태가 불량일 경우 상기 시드 렌즈 및 마이크로 렌즈를 제거하는 단계를 포함한다.
이미지 센서, 마이크로 렌즈, 저온 산화막(LTO)
摘要翻译：根据实施例的制造图像传感器的方法包括：在半导体衬底上形成包括光电二极管的像素; 在半导体衬底上形成包括金属布线和焊盘的层间绝缘膜; 在层间绝缘膜上形成保护层; 在与单位像素对应的保护层上形成彩色滤光片; 在彩色滤光片上形成种子透镜; 在晶种透镜上沉积无机层以形成微透镜; 通过去除衬垫上的保护层和无机层来形成衬垫孔，并且当微透镜的形状有缺陷时移除晶种透镜和微透镜。

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