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21. 发明授权

KR101209046B1 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR101209046B1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：KR1020050068553
申请日：2005-07-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이용욱 , 오준학 , 홍문표 , 김보성
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
摘要： 본발명은박막트랜지스터기판과박막트랜지스터기판의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막트랜지스터기판은절연기판과; 상기절연기판상에형성되어있으며채널영역을사이에두고이격배치되어있는소스전극및 드레인전극과; 상기소스전극및 상기드레인전극각각을적어도일부분노출시키면서상기채널영역을둘러싸고있으며불소계고분자물질로이루어진격벽과; 상기격벽내에형성되어있는유기반도체층을포함하는것을특징으로한다. 이에의해유기반도체층이비교적평탄한박막트랜지스터기판이제공된다.

22. 发明公开

KR1020070063174A 잉크젯 프린팅 시스템 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：喷墨印刷系统及使用其的薄膜晶体管阵列的制造方法
公开(公告)号：KR1020070063174A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050123136
申请日：2005-12-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이용욱 , 홍문표 , 오준학
IPC分类号： B41J2/01 , H01L29/786
CPC分类号： B41J11/002
摘要： An ink jet printing system and a manufacturing method of a thin film transistor array panel using the dame are provided to adjust a solvent vapor pressure in a dry chamber to improve crystallization of an organic semiconductor. An ink jet printing system includes an ink jet printing chamber(51), and a dry chamber(52). The ink jet printing chamber performs an ink jet printing process. The dry chamber is spaced a predetermined gap from the ink jet printing chamber to adjust a vapor pressure. The ink jet printing chamber includes a stage(510), a head unit(700), and a conveyance device(300). The stage is installed in the ink jet printing chamber to mount a substrate thereon. The head unit is disposed over the stage and spaced a predetermined gap from the stage. The conveyance device conveys the heat unit onto a predetermined position. The head unit includes an alignment sensor for aligning a position of the ink jet head.
摘要翻译：提供一种喷墨打印系统和使用该dame的薄膜晶体管阵列面板的制造方法以调节干燥室中的溶剂蒸汽压力以改善有机半导体的结晶。喷墨打印系统包括喷墨打印室（51）和干燥室（52）。喷墨打印室进行喷墨打印处理。干燥室与喷墨打印室隔开预定的间隙以调节蒸汽压力。喷墨打印室包括台（510），头单元（700）和输送装置（300）。该台安装在喷墨打印室中以在其上安装基板。头单元设置在舞台上并与舞台隔开预定的间隙。输送装置将加热单元输送到预定位置。头单元包括用于对准喷墨头的位置的对准传感器。

23. 发明公开

KR1020070053060A 표시장치와 이의 제조방법 无效
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070053060A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020050111023
申请日：2005-11-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 오준학 , 홍문표 , 김보성 , 이용욱
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L51/0005 , H01L51/0016 , H01L51/0558
摘要： 본 발명은 표시장치와 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은, 절연기판 상에 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와; 게이트 전극을 중심으로 상호 이격되어 채널영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 전극층을 형성하는 단계와; 전극층 상에 채널영역과, 소스 전극의 일부와, 및 드레인 전극의 일부를 노출시키는 제1개구를 갖는 제1격벽을 형성하는 단계와; 제1개구 내부에 채널영역을 덮도록 차단막을 형성하는 단계와; 제1격벽의 표면을 표면처리 하는 단계와; 차단막을 제거하는 단계; 및 제1개구 내부에 유기반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 박막트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 표시장치의 제조방법이 제공된다.

24. 发明公开

KR1020070015656A 평판표시장치와 평판표시장치의 제조방법 有权
标题翻译：平板显示器的平板显示和制造方法
公开(公告)号：KR1020070015656A
公开(公告)日：2007-02-06
申请号：KR1020050070111
申请日：2005-08-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김보성 , 이용욱 , 오준학
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L51/0533
摘要： 본 발명은 평판표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 평판표시장치는 절연기판과; 절연기판 상에 이격 형성되어 채널영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극과; 전극들 각각의 적어도 일영역과 채널영역 상에 형성되어 있는 유기 반도체층; 및 유기 반도체층과 전극들 사이에 위치하여, 전극들과 유기 반도체층 간의 접촉저항을 감소시키는 자기조립단층막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 박막트랜지스터의 특성이 향상된 평판표시장치가 제공된다.

25. 发明授权

KR102204384B1 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102204384B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020130111086
申请日：2013-09-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 서승미 , 오준학 , 강하윤
IPC分类号： G09F9/00
摘要： 본발명은화상을표시하는표시패널; 상기표시패널의배면을보호하며, 제1 쿠션테이프와제2 쿠션테이프를포함하는쿠션테이프; 및상기제1 쿠션테이프및 상기제2 쿠션테이프의사이에위치하며, 한쌍의전극과그 사이에위치하는진동물질층을포함하는음향소자를포함하는표시장치에대한것이다.

26. 发明授权

KR102061748B1 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102061748B1
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：KR1020130051316
申请日：2013-05-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이태희 , 강석환 , 오준학 , 이종서
IPC分类号： G09F9/00

27. 发明授权

KR101569382B1 표시 장치 유닛 有权
标题翻译：显示设备单元
公开(公告)号：KR101569382B1
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：KR1020130150087
申请日：2013-12-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 강하윤 , 오준학 , 이종서
IPC分类号： G02F1/1333 , G06F3/01
摘要： 본발명은표시장치; 상기표시장치의전면에위치하는윈도우; 및상기표시장치의측면에위치하는음향소자를포함하며, 상기음향소자는전계를인가받아소리를제공하는진동물질층; 및상기진동물질층에전계를제공하는한 쌍의전극을포함하고, 상기음향소자는상기표시장치의측면이며, 상기윈도우의내측면에위치하며, 통화시상대방사용자가말하는음성을전달하는리시버인표시장치유닛에대한것이다.

28. 发明公开

KR1020140076492A 표시 장치 유닛 有权
标题翻译：显示设备单元
公开(公告)号：KR1020140076492A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020130150087
申请日：2013-12-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 강하윤 , 오준학 , 이종서
IPC分类号： G02F1/1333 , G06F3/01
摘要： The present invention relates to a display device unit which includes: a display device; a window located on the front surface of the display device; and a sound device located on the side of the display device. The sound device includes a vibration material layer, which receives an electric field and provides sounds, and a pair of electrodes which provide the electric field to the vibration material layer. The sound device is arranged on the side of the display device and placed on the inner side of the window and is a receiver which transfers vocal sounds from a user who is a caller.
摘要翻译：本发明涉及一种显示装置单元，包括：显示装置; 位于显示装置的前表面上的窗口; 以及位于显示装置一侧的声音装置。声音装置包括接收电场并提供声音的振动材料层以及向振动材料层提供电场的一对电极。声音设备被布置在显示设备的侧面并且放置在窗口的内侧，并且是从作为呼叫者的用户传送声音的接收器。

29. 发明授权

KR101189274B1 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR101189274B1
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020050075596
申请日：2005-08-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김보성 , 홍문표 , 이용욱 , 오준학
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 본 발명은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선과 교차하며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극을 드러내는 제1 개구부를 가지는 층간 절연막, 상기 제1 개구부에 형성되어 있는 게이트 절연체, 상기 게이트 절연체 위에 형성되어 있으며 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 게이트 절연체 위에 위치하며 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 화소 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 형성되어 있으며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 제2 개구부를 정의하는 둑(bank), 그리고 상기 제2 개구부에 형성되어 있는 유기 반도체를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
유기 반도체, 둑(bank), 절연체, 잉크젯, 유전 상수
摘要翻译：本发明提供了一种半导体器件，包括衬底，在衬底上形成的数据线，与数据线交叉并包括栅电极的栅线，形成在栅线和数据线上的层间绝缘膜，以及具有暴露栅电极的第一开口形成在第一开口上的栅绝缘体，形成在栅绝缘体上并连接到数据线的源电极，设置在栅绝缘体上并包括面对源电极的漏电极的像素电极，以及在所述第二开口上形成的有机半导体，所述有机薄膜晶体管包括：栅极，形成在所述栅电极和所述漏电极上并限定用于暴露所述源电极和所述漏电极的一部分的第二开口; 及其制造方法。

30. 发明公开

KR1020070013888A 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR1020070013888A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020050068553
申请日：2005-07-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이용욱 , 오준학 , 홍문표 , 김보성
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L51/0541 , H01L51/0005 , H01L51/0097 , H01L51/0545
摘要： A thin film transistor substrate and a method for manufacturing a thin film transistor substrate are provided to flatten an organic semiconductor layer of a thin film transistor substrate by forming a partition wall of a fluoric high polymer. A thin film transistor substrate(1) includes an insulation substrate(10). Source and drain electrodes(31,32) are formed on the insulation substrate, separately arranged on other sides of a channel area. A partition wall(41) covers the channel area, partially exposing the source and drain electrodes, and formed of a fluoric high polymer material. An organic semiconductor layer(51) is formed in the partition wall.
摘要翻译：提供薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法，通过形成氟聚合物的分隔壁来平坦化薄膜晶体管基板的有机半导体层。薄膜晶体管基板（1）包括绝缘基板（10）。源极和漏极电极（31,32）形成在绝缘基板上，分开布置在沟道区域的另一侧上。分隔壁（41）覆盖通道区域，部分地暴露源电极和漏电极，并由氟聚合物材料形成。在分隔壁上形成有机半导体层（51）。

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