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11. 实用新型

KR2019920001629U HCCD 최종단 구조 无效
标题翻译： HCCD最后阶段结构
公开(公告)号：KR2019920001629U
公开(公告)日：1992-01-28
申请号：KR2019900008209
申请日：1990-06-11
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 정헌준 , 이서규
IPC分类号： H04N5/30

12. 发明公开

KR1019910013460A 다운 웨이빙 포텐셜 CCD 채널 구조 无效
标题翻译：向下摆动电位CCD通道结构
公开(公告)号：KR1019910013460A
公开(公告)日：1991-08-08
申请号：KR1019890019065
申请日：1989-12-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 박용
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 내용 없음.

13. 发明公开

KR1019910013459A CCD채널의 전하 인젝션 방법 失效
标题翻译： CCD通道的电荷注入方法
公开(公告)号：KR1019910013459A
公开(公告)日：1991-07-31
申请号：KR1019890019063
申请日：1989-12-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L21/339

14. 发明授权

KR100300070B1 전하결합소자 센스앰프의 모스 트랜지스터 失效
标题翻译：用于传感放大器的电容耦合器件的MOSTRANSISTOR
公开(公告)号：KR100300070B1
公开(公告)日：2001-09-28
申请号：KR1019990018828
申请日：1999-05-25
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 심진섭
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 본발명은전하결합소자센스앰프의모스트랜지스터에관한것으로, 종래전하결합소자센스앰프의모스트랜지스터는 ONO구조의게이트산화막을사용하여숏채널효과가발생되고, 트랜스콘덕턴스특성이저하되어원하는이득과주파수범위를갖을수 없어전하결합소자의특성을저하시키는문제점이있었다. 이와같은문제점을감안한본 발명은기판과; 상호소정거리이격되며, 기판의표면으로부터소정깊이까지위치하는고농도소스및 드레인과; 상기고농도소스및 드레인과그 고농도소스와드레인의사이기판의상부전면에위치하는게이트산화막과; 상기고농도소스및 드레인의상부측게이트산화막의상부에적층된제1산화막, 질화막및 제2산화막과; 상기제1산화막, 질화막및 제2산화막의적층구조사이의게이트산화막상에위치하는게이트전극으로구성하여소자의집적화가심화되는경우에도숏채널효과의발생을억제할수 있으며, 상대적으로얇은게이트산화막을사용하여트랜스콘덕턴스를향상시킴과아울러기생커패시턴스를줄여센스앰프의감도를향상시킴으로써전하결합소자의특성을향상시키는효과가있다.

15. 发明授权

KR100246355B1 어드밴스드 포토 시스템의 픽셀구조 失效
标题翻译：高级照相系统的像素结构
公开(公告)号：KR100246355B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970046274
申请日：1997-09-09
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/14
摘要： 본 발명은 어드밴스드 포토 시스템의 픽셀구조에 관한 것으로, 종래 어드밴스드 포토 시스템의 픽셀구조는 하나의 리셋게이트를 포함하여 강한 광이 입사하면 광다이오드에 충전되는 전하가 한계이상으로 과도하게 충전되어 블루밍현상이 발생하게 되며, 전송게이트에 의해 완전히 플로팅 디퓨전영역으로 전송되지 않을 경우 영상의 손실이 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 포토다이오드의 출력신호를 직접 방전하는 리셋게이트를 하나 더 포함시킴으로써, 포토다이오드에 과다한 전하가 충전되는 경우 빨리 방전시킴이 가능해 짐으로써, 블루밍현상 및 영상의 누설을 방지하는 효과와 아울러 빠르게 움직이는 물체를 촬영할 수 있는 효과가 있다.

16. 发明公开

KR1019990081249A 고체촬상소자 无效
公开(公告)号：KR1019990081249A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980015084
申请日：1998-04-28
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 심진섭 , 이서규
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로, HCCD 영역의 마지막단 전송게이트의 나비를 다른 전송게이트들 보다 더 크게 형성함하여 HCCD 영역의 종단부에서 FD 영역 까지 급격하게 이루어지는 신호전하의 MERGE를 완화시키기 위하여, 반도체 기판에 광전환변환영역, 수직전하전송영역, 수편전하전송영역 및 신호검출부가 형성되는 고체촬상소자의 구조에서, 상기 수평전송전하영역의 반도체 기판 상부에 다수개가 배열되되, 마지막단이 다른단에 비해 너비가 크도록 형성되는 전송게이트들과, 상기 전송게이트들 중 마지막단 전송게이트 다음에 위치하도록 형성되는 출력게이트와, 상기 출력게이트 다음에 형성되는 플로팅확산영역을 포함하며, HCCD 영역을 통하여 이송된 신호전하가 HCCD 영역의 종단부에서 FD 영역 까지의 MERGE가 완만하게 이루어지기 때문에 이 부분에서 전위 프로파일이 역경사가 일어나는 것을 방지할 수 있어서, 전하전송효율을 증가시켜 뚜렷한 영상을 재현할 수 있다.

17. 发明授权

KR100118539B1 반도체 소자구조 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100118539B1
公开(公告)日：1997-07-21
申请号：KR1019930022335
申请日：1993-10-26
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L31/112

18. 发明授权

KR1019970011376B1 씨씨디(CCD)형 고체촬상소자 失效
标题翻译： CCD型固态图像感测装置
公开(公告)号：KR1019970011376B1
公开(公告)日：1997-07-10
申请号：KR1019930027491
申请日：1993-12-13
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규
IPC分类号： H01L29/76
CPC分类号： H01L27/14887
摘要： A charge coupled device comprising the first well(32), a photodiode area(35) of the first conductive type, the second well(39), a VCCD channel area(43), a transmission gate channel area(39') of the second conductive type, a channel stop area(41) of the second conductive type, an impurities area(45) of the second conductive type, a insulated film(33), a transmission gate electrode(44), a layer interval insulated film(46), and a light shielding film(47).
摘要翻译：一种电荷耦合器件，包括第一阱（32），第一导电类型的光电二极管区域（35），第二阱（39），VCCD沟道区（43），透射栅极通道区（39'），第二导电类型，第二导电类型的沟道停止区域（41），第二导电类型的杂质区域（45），绝缘膜（33），透射栅电极（44），层间隔绝缘膜 46）和遮光膜（47）。

19. 发明授权

KR100116528B1 캠코더의 손떨림 보정장치 失效
公开(公告)号：KR100116528B1
公开(公告)日：1997-06-17
申请号：KR1019930004336
申请日：1993-03-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이성민 , 손영수 , 이서규 , 박용 , 정헌준
IPC分类号： H04N5/232

20. 发明授权

KR100108845B1 이중 포토 다이오드를 이용한 전하 결합 장치의 구조 失效
公开(公告)号：KR100108845B1
公开(公告)日：1996-12-06
申请号：KR1019930000392
申请日：1993-01-13
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 손영수 , 박용 , 이성민 , 이서규 , 정헌준
IPC分类号： H01L27/148

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