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11. 发明授权

KR101838617B1 금속 산화물 박막, 금속-규소 산화물 박막, 또는 금속-게르마늄 산화물 박막 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：金属氧化物薄膜，金属 - 硅氧化物薄膜或金属 - 锗氧化物薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR101838617B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020150018207
申请日：2015-02-05
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 장동학 , 이영재 , 여소정 , 염보라
IPC分类号： C07F7/30 , C07F7/28 , C07F7/02 , C07F7/00
摘要： 본발명은반도체소자에적용되는 4족화합물들을이용한금속산화물박막, 금속-규소산화물박막, 금속 -게르마늄산화물박막증착용금속전구체및 이를이용한박막증착방법에관한것으로서, 보다상세하게는금속화학증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 및원자층증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을통하여금속산화물박막과금속-규소산화물박막, 금속-게르마늄산화물박막증착에사용되는금속전구체화합물과이를이용하여박막을증착시키는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明是一种金属氧化物薄膜，与被施加到所述半导体元件的硅氧化物薄膜，金属 - 氧化锗薄膜蒸镀前体的第4族化合物的金属，并且使用相同的，更具体地说，金属化学汽相淀积涉及一种膜沉积方法（金属有机化学气相沉积; MOCVD）和原子层沉积（原子层沉积;金属氧化物薄膜的ALD）和金属通过氧化硅薄膜，金属沉积金属前体化合物和通过使用用于氧化锗膜沉积该薄膜本发明涉及用于一种方法。

12. 发明公开

KR1020170059742A 원자층 증착용(ALD) 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 ALD 증착법 有权
标题翻译：原子层沉积（ALD）有机金属前体化合物和使用它的ALD沉积
公开(公告)号：KR1020170059742A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150164082
申请日：2015-11-23
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 임민혁 , 박종률 , 염보라
IPC分类号： C07F7/02 , C07F7/30 , C07F7/22 , C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： C07F7/02 , C07F7/10 , C07F7/22 , C07F7/30 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/28
摘要： 본발명은유기금속전구체화합물에관한것으로서, 보다상세하게는원자층증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을통하여박막증착이가능한유기금속전구체화합물및 이를이용한 ALD 증착법에관한것이다.
摘要翻译：它涉及的有机金属前体化合物，并使用相同的ALD沉积方法可以通过薄膜沉积;（ALD原子层沉积）本发明涉及有机金属前体化合物，如，更具体地，涉及原子层沉积。

13. 发明公开

KR1020160096480A 금속 산화물 박막, 금속-규소 산화물 박막, 또는 금속-게르마늄 산화물 박막 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：金属氧化物薄膜，金属氧化硅薄膜或金属氧化锗薄膜及其制备方法
公开(公告)号：KR1020160096480A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020150018207
申请日：2015-02-05
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 장동학 , 이영재 , 여소정 , 염보라
IPC分类号： C07F7/30 , C07F7/28 , C07F7/02 , C07F7/00
CPC分类号： C07F7/30 , C07F7/00 , C07F7/02 , C07F7/28 , C23C16/18 , C23C16/45525
摘要： 본발명은반도체소자에적용되는 4족화합물들을이용한금속산화물박막, 금속-규소산화물박막, 금속 -게르마늄산화물박막증착용금속전구체및 이를이용한박막증착방법에관한것으로서, 보다상세하게는금속화학증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 및원자층증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을통하여금속산화물박막과금속-규소산화물박막, 금속-게르마늄산화물박막증착에사용되는금속전구체화합물과이를이용하여박막을증착시키는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及使用半导体器件中使用的4族化合物的金属氧化物薄膜，金属 - 氧化硅薄膜，沉积金属 - 氧化锗薄膜的金属前体和使用其的薄膜沉积方法更具体地说，涉及通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）和原子层沉积（ALD）沉积金属氧化物薄膜，金属 - 氧化硅薄膜和金属 - 氧化锗薄膜的金属前体和使用其沉积薄膜的方法。根据本发明的一个方面，提供一种沉积金属 - 氧化锗薄膜的有机金属前体。有机金属前体由化学式1表示。

14. 发明公开

KR1020120078025A 실릴아민 리간드가 포함된 유기금속화합물, 및 이를 전구체로 이용한 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물의 박막 증착 방법 有权
标题翻译：有机硅配合物的有机化合物，以及用于沉积金属氧化物薄膜或其含有氧化物金属氧化物的薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020120078025A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100140183
申请日：2010-12-31
申请人： 주식회사 한솔케미칼 , 삼성전자주식회사
发明人： 박정우 , 김준영 , 조보연 , 유경희 , 채수두 , 김윤수 , 조윤정 , 최한메 , 황기현
IPC分类号： C07F7/00 , C07F7/30 , C07F17/00 , C23C16/18
CPC分类号： C23C16/40 , C07F7/28 , C07F19/00 , C23C16/401 , C23C16/45525
摘要： PURPOSE: A novel single organic metal precursor compound is provided to enhance volatility and to usefully deposit single metal oxide(TiO_2,ZrO_2,HfO_2), and complex metal oxide(ZrSiOx,HfSiOx) thin film. CONSTITUTION: An organic metal precursor compound for deposition of a metal oxide or metal-silicon oxide thin film is denoted by chemical formula 1. The organic metal precursor compound o chemical formula 1 contains an organic metal precursor of chemical formulas 2 or 3. A thin film deposition method is used for forming metal thin film, metal oxide thin film or metal-silicon oxide thin film using the precursor compound. The thin film is performed by ALD(atomic layer deposition) or MOCVD(metal organic chemical vapor deposition).
摘要翻译：目的：提供新颖的单一有机金属前体化合物，以提高挥发性，有效沉积单一金属氧化物（TiO_2，ZrO_2，HfO_2）和复合金属氧化物（ZrSiOx，HfSiOx）薄膜。构成：用于沉积金属氧化物或金属 - 氧化硅薄膜的有机金属前体化合物由化学式1表示。化学式1的有机金属前体化合物含有化学式2或3的有机金属前体。薄的使用前体化合物形成金属薄膜，金属氧化物薄膜或金属 - 氧化硅薄膜的成膜方法。薄膜由ALD（原子层沉积）或MOCVD（金属有机化学气相沉积）进行。

15. 发明公开

KR1020200076357A 희토류 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
公开(公告)号：KR1020200076357A
公开(公告)日：2020-06-29
申请号：KR1020180165384
申请日：2018-12-19
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 김효숙 , 석장현 , 박정우
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/40 , C23C16/455

16. 发明公开

KR20180046841A 열적 안정성이 우수한 기상 증착용 전구체 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR20180046841A
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：KR20170031848
申请日：2017-03-14
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 김홍기 , 박미라 , 권준혁
IPC分类号： C23C16/18 , C07F7/00 , C23C16/455
摘要： 본발명은기상증착을통하여박막증착이가능한기상증착화합물에관한것으로서, 구체적으로는원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 또는화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)에적용가능하고열적안정성이우수하며, 점도및 기화율이낮은기상증착지르코늄, 티타늄, 하프늄전구체및 이의제조방법에관한것이다.

17. 发明授权

KR101787204B1 원자층 증착용(ALD) 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 ALD 증착법 有权
公开(公告)号：KR101787204B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020150164082
申请日：2015-11-23
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 임민혁 , 박종률 , 염보라
IPC分类号： C07F7/02 , C07F7/30 , C07F7/22 , C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： C07F7/02 , C07F7/10 , C07F7/22 , C07F7/30 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/28
摘要： 본발명은유기금속전구체화합물에관한것으로서, 보다상세하게는원자층증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을통하여박막증착이가능한유기금속전구체화합물및 이를이용한 ALD 증착법에관한것이다.

18. 发明授权

KR101404714B1 단차피복성이 우수한 루테늄 화합물 및 이를 이용하여 증착시킨 박막 有权
标题翻译：具有良好阶梯覆盖率的钌化合物和使用它们的沉积膜
公开(公告)号：KR101404714B1
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120025377
申请日：2012-03-13
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 김준영 , 이광덕 , 진휘원
IPC分类号： C01G55/00 , C23C16/06
CPC分类号： C23C16/45553 , C07F17/02 , C23C16/18
摘要： 본 발명은 1-에틸-1,4-싸이클로헥사다이엔, 1,3-부타다이엔, 또는 이소프렌의 특정 리간드 구조를 포함하고 있고, 열적 안정성, 기화 특성 및 단차 피복성이 우수한 루테늄 화합물과 이를 이용하여 증착시킨 박막에 관한 것이다.

19. 发明公开

KR1020130043557A 단차피복성이 우수한 루테늄 화합물 및 이를 이용하여 증착시킨 박막 有权
标题翻译：具有良好步骤覆盖的钌化合物和使用它们的沉积膜
公开(公告)号：KR1020130043557A
公开(公告)日：2013-04-30
申请号：KR1020120025377
申请日：2012-03-13
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 김준영 , 이광덕 , 진휘원
IPC分类号： C01G55/00 , C23C16/06
CPC分类号： C23C16/45553 , C07F17/02 , C23C16/18
摘要： PURPOSE: A ruthenium compound is provided to have excellent thermal stability, gasification performance, and step coverage by including a specific ligand of 1-ethyl-1,4-cyclohexadiene, 1,3-butadiene, or isoprene. CONSTITUTION: A ruthenium compound is represented by chemical formula 1, has T1/2 at 205-230>= in TGA spectrum, and shows constant weight loss at 80-120>=. In 150>= isothermal TGA spectrum, the minimum residue rate reaches 0.1% or less within 90 minutes. A depositing method of a thin film comprises a step of forming ruthenium metal thin film or ruthenium metal oxide thin film by an atomic layer deposition process by using the ruthenium compound represented by chemical formula 1. The step coverage of the ruthenium thin film is 70% or more. The deposition temperature of the ruthenium compound is 200-350>=.
摘要翻译：目的：通过包括1-乙基-1,4-环己二烯，1,3-丁二烯或异戊二烯的特定配体，提供钌化合物以具有优异的热稳定性，气化性能和步骤覆盖率。构成：钌化合物由化学式1表示，在TGA光谱中在205-230> = T1 / 2，在80-120℃下显示恒定的重量损失。在150℃=等温TGA光谱中，最小残留率在90分钟内达到0.1％以下。薄膜的沉积方法包括通过使用由化学式1表示的钌化合物通过原子层沉积工艺形成钌金属薄膜或钌金属氧化物薄膜的步骤。钌薄膜的步骤覆盖率为70％或者更多。钌化合物的沉积温度为200-350℃。

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