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1. 发明授权

KR101923040B1 열적 안정성이 우수한 기상 증착용 전구체 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101923040B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020170031848
申请日：2017-03-14
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 김홍기 , 박미라 , 권준혁
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455 , C07F7/00
摘要： 본발명은기상증착을통하여박막증착이가능한기상증착화합물에관한것으로서, 구체적으로는원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 또는화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)에적용가능하고열적안정성이우수하며, 점도및 기화율이낮은기상증착지르코늄, 티타늄, 하프늄전구체및 이의제조방법에관한것이다.

2. 发明授权

KR101284664B1 실릴아민 리간드가 포함된 유기금속화합물, 및 이를 전구체로 이용한 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물의 박막 증착 방법 有权
标题翻译：有机金属化合物与甲硅烷胺配体，以及沉积金属氧化物或含硅金属氧化物薄膜的方法
公开(公告)号：KR101284664B1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：KR1020100140183
申请日：2010-12-31
申请人： 주식회사 한솔케미칼 , 삼성전자주식회사
发明人： 박정우 , 김준영 , 조보연 , 유경희 , 채수두 , 김윤수 , 조윤정 , 최한메 , 황기현
IPC分类号： C07F7/00 , C07F7/30 , C07F17/00 , C23C16/18
摘要： 본 발명은 유기금속 화학 기상 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)에 의하여 우수한 박막 특성, 두께, 단차피복성을 확보할 수 있으며, 휘발성이 높고 실온에서 액체 상태로 존재하며 열적으로 안정한 실리콘이 함유된 신규한 단일 유기금속 전구체 화합물을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 유기 금속 전구체 화합물을 이용하여 유기금속 화학 증착법(MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 또는 원자층 증착법(ALD, Atomic Layer Deposition)을 통하여 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물 박막을 형성하는 박막 증착 방법을 제공한다.

3. 发明授权

KR101216068B1 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물 박막 증착용 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법 有权
标题翻译：用于薄膜沉积金属氧化物或含硅金属氧化物的有机金属前体，以及薄膜的沉积工艺
公开(公告)号：KR101216068B1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020100134946
申请日：2010-12-24
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 김준영 , 조보연 , 박민정 , 박미라 , 유경희
IPC分类号： C07F7/00 , C23C16/18 , C23C16/448 , C23C16/44
摘要： 본발명은유기금속화학증착법(MOCVD) 및원자층증착법(ALD)에의하여우수한박막특성, 두께, 단차피복성을확보할수 있으며, 휘발성이높고실온에서액체상태로존재하고열적으로안정한실리콘이함유된신규한단일유기금속전구체화합물을제공한다. 또한상기한유기금속전구체화합물을이용하여유기금속화학증착법및 원자층증착법을통해금속산화물과금속규소산화물박막을형성하는박막증착방법을제공한다.

4. 发明公开

KR1020120072986A 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물 박막 증착용 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법 有权
标题翻译：金属氧化物或含硅金属氧化物的薄膜沉积的有机前体和薄膜薄膜的沉积过程
公开(公告)号：KR1020120072986A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：KR1020100134946
申请日：2010-12-24
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 김준영 , 조보연 , 박민정 , 박미라 , 유경희
IPC分类号： C07F7/00 , C23C16/18 , C23C16/448 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/40 , C07F19/00 , C23C16/401
摘要： PURPOSE: A novel single organic metal precursor compound containing silicon is provided to ensure excellent thin film property and thermal stability. CONSTITUTION: An organic metal precursor compound for depositing metal oxide or metal silicon oxide thin film is denoted by chemical formula 1. The precursor compound is Zr(NMe_2)_2(EtNSiMe_3)_2, Zr(NEtMe)_2(EtNSiMe_3)_2, Zr(NMe_2)_2(^iPrNSiMe_3)_2, Zr(NEtMe)_2(iPrNSiMe_3)_2, Zr(NEtMe)_3(^iPrNSiMe_3), Hf(NMe_2)_2(EtNSiMe_3)_2, Hf(NEtMe)_2(EtNSiMe_3)_2, Hf(NMe_2)_2(iPrNSiMe_3)_2, Hf(NMe_2)_3(iPrNSiMe_3), or Hf(NEtMe)_3(iPrNSiMe_3). A method for preparing the precursor compound comprises: a step of adding organic solvent to metal tetrachloride(MCl_4) and tetrakis(dialkylamino)metal(M(NR_1R_2)_4)compound at -30 to 0°C to prepare tris(dialkylamino)metal chloride(MCl(NR_1R_2)_3)compound solution; a step of adding butyl lithium(n-BuLi) and N-alkyl-trialkylsilane amine(R_3NHSiR_4R_5R_6) to the compound solution at -30 to 0°C; and a step of refluxing and performing reduced pressure distillation.
摘要翻译：目的：提供一种新颖的含硅有机金属前体化合物，以确保优异的薄膜性能和热稳定性。前体化合物为Zr（NMe_2）_2（EtNSiMe_3）_2，Zr（NEtMe）_2（EtNSiMe_3）_2，Zr（ NMe_2）_2（^ iPrNSiMe_3）_2，Zr（NEtMe）_2（iPrNSiMe_3）_2，Zr（NEtMe）_3（^ iPrNSiMe_3），Hf（NMe_2）_2（EtNSiMe_3）_2，Hf（NEtMe）_2（EtNSiMe_3）（NMe_2）_2（iPrNSiMe_3）_2，Hf（NMe_2）_3（iPrNSiMe_3）或Hf（NEtMe）_3（iPrNSiMe_3）。制备前体化合物的方法包括：在-30至0℃下向四氯化金（MCl 4）和四（二烷基氨基）金属（M（NR_1R_2）_4）化合物中加入有机溶剂以制备三（二烷基氨基）金属氯化物（MCl（NR_1R_2）_3）化合物溶液; 在-30℃至0℃下向该化合物溶液中加入丁基锂（n-BuLi）和N-烷基 - 三烷基硅烷胺（R_3NHSiR_4R_5R_6）的步骤; 和回流并进行减压蒸馏的步骤。

5. 发明授权

KR102157137B1 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102157137B1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：KR1020190011855
申请日：2019-01-30
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 안재석 , 박종률 , 임민혁 , 석장현 , 박정우
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02

6. 发明授权

KR102139285B1 산화물 박막 형성을 위한 기상 증착용 유기금속 전구체 화합물 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102139285B1
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：KR1020197003101
申请日：2016-09-30
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 장동학 , 김영은 , 김효숙 , 임광수
IPC分类号： C07F15/06 , C07F15/02 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40

7. 发明授权

KR102123331B1 코발트 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102123331B1
公开(公告)日：2020-06-17
申请号：KR1020180165373
申请日：2018-12-19
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 김효숙 , 우경택 , 석장현 , 박정우
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/455

8. 发明授权

KR102138707B1 희토류 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102138707B1
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：KR1020180165384
申请日：2018-12-19
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 김효숙 , 석장현 , 박정우
IPC分类号： C07F5/00 , C23C16/40 , C23C16/455

9. 发明授权

KR101962355B1 열적 안정성 및 반응성이 우수한 기상 증착 전구체 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101962355B1
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：KR1020170123967
申请日：2017-09-26
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 박정우 , 장동학 , 우경택
IPC分类号： C07F15/04 , C23C16/18 , H01L21/02

10. 发明授权

KR102087858B1 원자층 증착용(ALD), 화학 기상 증착용(CVD) 전구체 화합물 및 이를 이용한 ALD/CVD 증착법 有权
公开(公告)号：KR102087858B1
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：KR1020180044802
申请日：2018-04-18
申请人： 주식회사 한솔케미칼
发明人： 황정운 , 문기영 , 이주원 , 염규현 , 석장현 , 박정우
IPC分类号： C07F5/06 , C07F3/06 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/18 , C23C16/455

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