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    • 18. 发明公开
    • 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
    • 薄膜晶体管及其制造方法,以防止短路和显示缺陷
    • KR1020040090565A
    • 2004-10-26
    • KR1020030024431
    • 2003-04-17
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 김훈
    • H01L29/786
    • H01L29/66757H01L29/42384H01L29/78603
    • PURPOSE: A thin film transistor is provided to avoid a short circuit by controlling a step generated in forming an active layer, and to prevent a display defect and a decrease of efficiency by making a gate insulation layer thin. CONSTITUTION: A buffer layer(210) is formed on a glass substrate(200). An active layer(220) is formed on the buffer layer. A gate insulation layer(230) is formed on the buffer layer including the active layer. A step(A2) is formed between the buffer layer under the active layer and the buffer layer except the active layer. The step is not greater than a half of the sum of the thicknesses of the active layer and the gate insulation layer.
    • 目的:提供薄膜晶体管,以通过控制在形成有源层中产生的步骤来避免短路,并且通过使栅极绝缘层变薄来防止显示缺陷和效率降低。 构成:在玻璃基板(200)上形成缓冲层(210)。 在缓冲层上形成有源层(220)。 在包括有源层的缓冲层上形成栅绝缘层(230)。 在活性层下面的缓冲层和活性层以外的缓冲层之间形成步骤(A2)。 该步长不大于有源层和栅极绝缘层的厚度之和的一半。