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    • 14. 发明公开
    • 집적회로 제조시 고순도 구리의 도체 구조를 전해적으로형성시키는 방법
    • 高效铜在集成电路生产中高效制导导体结构的方法
    • KR1020010092786A
    • 2001-10-26
    • KR1020017009124
    • 2000-01-11
    • 아토테크 도이칠란드 게엠베하
    • 마이어하인리히티스안드레아스
    • H01L21/288
    • H01L21/76877C25D3/38C25D5/18C25D5/48C25D7/123H01L21/2885
    • 본발명은집적회로제조시, 홈 (2)이있는반도체기판(웨이퍼)(1)의표면상에고순도구리의도체구조를전해적으로형성시키는방법에관한것이다. 본발명의방법은하기의단계들을포함한다: a) 홈 (2)이있는반도체기판 (1)의전체표면을기본금속층으로코팅하여, 전해증착을위한충분한전도도를수득하고; b) 반도체기판을구리증착조와접촉하게하여전해금속증착법에의해기본금속층의전체표면에균일한층 두께로구리층을전면증착한다. 상기구리증착조는하나이상의구리이온공급원, 구리층의물리-기계적특성을조절하기위한하나이상의첨가화합물및 Fe(Ⅱ) 및/또는 Fe(Ⅲ) 화합물을함유한다. 반도체기판과, 전해조에서불용성이고함께접촉되어있는치수적으로안정한상대전극사이에전압을적용시켜, 반도체기판 (1)과상대전극사이에전류가흐르게한다. 본발명의마지막단계는 c) 구리층 (3)을구조화하는것이다.
    • 通过提供金属底涂层,电镀和结构化,使用不溶于水的尺寸稳定的对电极,在集成电路生产中,在具有沟槽的沟槽,特别是具有高纵横比的半导体晶片上制造高纯度铜(Cu) 在含有Cu离子源的浴中的电镀浴,用于调节物理机械性能的添加剂和铁(II)和/或铁(III)化合物。 在集成电路生产中,在具有沟槽,特别是高纵横比的半导体晶片衬底上生产高纯度铜(Cu)布线迹线包括(a)用金属基层涂覆整个表面以产生足够高的电镀电导率; (b)在含有铜离子源,添加剂的电镀液中使用不溶于浴的尺寸稳定的对电极,以使整个表面与均匀厚度的Cu电镀,以调节物理机械性能 的Cu层和铁(II)和/或铁(III)化合物; 和
    • 16. 发明公开
    • 구리 표면 예비처리 용액 및 방법
    • 预处理方法和组合表面方法
    • KR1020000006485A
    • 2000-01-25
    • KR1019990024308
    • 1999-06-25
    • 아토테크 도이칠란드 게엠베하
    • 그리저우도마이어하인리히
    • C09J201/00C09J5/00
    • PURPOSE: The pretreatment solution is provided which can form a rigid bond between cupric surface and plastic surface useful as a print circuit board. CONSTITUTION: The solution comprises hydrogen peroxide, more than 1 kind of acid; 5-membered cyclic compound containing nitrogen not having sulfur, selenium or tellurium atom; sulfinic acid, selenic acid, telluric acid, heterocyclic compound containing more than 1 kind of sulfur, selenium or tellurium atom; and selected from sulfonium, selenium and tellurium base of formula 1(A= S, Se, Te, R1, R2 and R3 are same or not alkyl, substituted alkyl, alkenyl, phenyl, substituted phenyl, benzyl, cycloalkyl, substituted cycloalkyl, X- is an anion of inorganic or organic acid or hydroxy compound.
    • 目的:提供预处理溶液,其可以在用作印刷电路板的铜表面和塑料表面之间形成刚性键。 构成:该溶液含有过氧化氢,多于1种酸; 含有不含硫,硒或碲原子的氮的5元环状化合物; 亚硫酸,硒酸,碲酸,含有1种以上硫,硒或碲原子的杂环化合物; 并且选自式1的锍,硒和碲碱(A = S,Se,Te,R 1,R 2和R 3相同或不是烷基,取代的烷基,烯基,苯基,取代的苯基,苄基,环烷基,取代的环烷基,X - 是无机或有机酸或羟基化合物的阴离子。