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11. 发明授权

KR101355983B1 광검출기 有权
标题翻译：光电探测器
公开(公告)号：KR101355983B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020117030713
申请日：2010-05-26
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/035209 , B82Y20/00 , H01L21/02554 , H01L21/02557 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L31/02327 , H01L31/035236 , H01L31/101
摘要： 양자 우물 광검출기의 구현이 제공된다. 일 실시형태에서, 양자 구조(quantum structure)는 제 1 장벽층(barrier layer), 상기 제 1 장벽층 상에 위치되는 우물층(well layer) 및 상기 우물층 상에 위치되는 제 2 장벽층을 포함한다. 금속층(metal layer)은 상기 양자 구조에 인접하여 위치된다. 광검출기의 효율성을 강화시키기 위하여, 표면 플라즈몬 공진(surface plasmon resonance)과의 커플링(coupling)을 이용하는 발명의 실시형태가 기술된다. 일부 실시형태는 전자기 스펙트럼의 UV 혹은 청색 부분에 대하여 적합하다.

12. 发明授权

KR101349455B1 양자상태 복사방법 및 이를 이용한 양자 메모리 有权
标题翻译：量子态克隆方法和使用它的量子存储器
公开(公告)号：KR101349455B1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020130004721
申请日：2013-01-16
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G06E3/00 , G11C11/00
CPC分类号： G11C11/00 , G06N99/002 , H04L29/06
摘要： A quantum state cloning method and a quantum memory using the same are disclosed. The quantum state cloning method comprises a step of preparing a quantum feedback system including a coherent quantum feedback state in a third state, a quantum system including an initial quantum state existed in a second state, and a non-cloning quantum state existed in a first state; a step of making the non-cloning quantum state as the third state and of making the coherent quantum feedback state as the first state by switching the non-cloning state existed in the first state with the coherent quantum feedback state existed in the third state; a step of executing controlled sum operation in the second state using the switched first state; a step of executing unitary operation which makes the switched third state as orthogonalize and of leaving a diagonal component in the second state in which the controlled sum operation is executed; a step of executing the unitary operation which makes the second state in which the diagonal components are remained only as the orthogonalize by remaining the diagonal components in the first state only; and a step of executing the unitary operation which only remains the diagonal component in the orthogonalize third state, of making the orthogonalize in the first state in which the diagonal components are remained. Therefore, Fidelity may be improved for the state cloning.
摘要翻译：公开了一种量子态克隆方法和使用其的量子存储器。量子态克隆方法包括制备包括第三状态中的相干量子反馈状态的量子反馈系统的步骤，包括存在于第二状态的初始量子态的量子系统和存在于第一状态的非克隆量子态州; 通过在第三状态下存在具有相干量子反馈状态的第一状态中存在的非克隆状态，使非克隆量子态作为第三状态并使相干量子反馈状态为第一状态的步骤; 使用切换的第一状态在第二状态下执行受控和运算的步骤; 执行单位操作的步骤，其使得切换的第三状态正交，并且在执行受控求和操作的第二状态中留下对角分量; 执行单一操作的步骤，其使得通过仅在第一状态中保留对角线分量而使对角线分量保持的第二状态仅作为正交化; 以及执行在正交化的第三状态中仅保持对角分量的单一运算的步骤，使得在保留对角线分量的第一状态下进行正交化。因此，国家克隆可能会改善保真度。

13. 发明公开

KR1020110111068A 나노 변환기 및 이를 이용한 나노 소자 조립체 有权
标题翻译：纳米传感器和纳米器件组件使用它们
公开(公告)号：KR1020110111068A
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020100030455
申请日：2010-04-02
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열 , 손맹호 , 이용윤 , 고석남 , 이문선
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/60
摘要： 본 발명에 따른 나노 변환기는, 나노 미터의 스케일로서 자기장을 발생시키거나 주위의 자기장을 검출하는 것으로서, 기판, 제1 절연층, 제1 단자부, 말이부, 제2 절연층, 제2 단자부, 및 접촉부를 포함한다. 제1 절연층은 기판 위에 형성된다. 제1 단자부는 제1 절연층 위에 형성된다. 말이부는, 그 일 단부가 제1 절연층 위에서 제1 단자부와 연결되어, 제1 절연층 위에서 제1 단자부로부터 기판의 중앙부를 향하여 말아지는 형상으로 형성된다. 제2 절연층은 제1 절연층, 제1 단자부 및 말이부 위에 형성된다. 제2 단자부는 제2 절연층 위에 형성된다. 접촉부는 제2 절연층을 뚫고 말이부의 타 단부와 제2 단자부를 연결한다.

14. 发明公开

KR1020090041510A 제어 반전 게이트 및 이를 포함하는 논리회로 有权
标题翻译：控制非门和逻辑电路，包括它们
公开(公告)号：KR1020090041510A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：KR1020070107054
申请日：2007-10-24
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열 , 이용윤 , 황성우 , 박승환
IPC分类号： G06F11/00
摘要： A CNOT gate and a logic circuit including the same are provided to perform the control with only the voltage applied to a gate without the magnetic field by using the polarized intervalley state of a silicon quantum dot, thereby miniaturizing a quantum computer. A CNOT gate(Controlled Not Gate)(100) comprises the first tunneling junction structure(110), the second tunneling junction structure(120) and a plurality of quantum dots formed in the first and second tunneling junction structures. The first tunneling junction structure forms the path for electrons between the first source electrode(118) and the first drain electrode(119). The second tunneling junction structure forms the path for electrons between the second source electrode(125) and the second drain electrode(126). After the operation of the CNOT gate is completed, the first detector(117b) detects the electrons tunneled to the first detection quantum dot(117a), and the second detector(124b) detects the electrons tunneled to tunneled to the second detection quantum dot(124a).
摘要翻译：提供CNOT门和包括该CNOT门的逻辑电路以通过使用硅量子点的偏振间隔状态仅通过施加到没有磁场的栅极的电压来执行控制，从而使量子计算机小型化。 CNOT门（受控非门）（100）包括第一隧道结结构（110），第二隧道结结构（120）和形成在第一和第二隧穿结结构中的多个量子点。第一隧道结结构形成第一源电极（118）和第一漏电极（119）之间的电子路径。第二隧道结结构形成第二源电极（125）和第二漏电极（126）之间的电子路径。在CNOT门的操作完成之后，第一检测器（117b）检测隧穿到第一检测量子点（117a）的电子，第二检测器（124b）检测隧穿到第二检测量子点的电子 124A）。

15. 发明授权

KR100857278B1 나노 전자석을 이용한 자성 나노 입자의 포획 방법 有权
标题翻译：使用纳米电磁体的磁性纳米颗粒的捕获方法
公开(公告)号：KR100857278B1
公开(公告)日：2008-09-08
申请号：KR1020050134335
申请日：2005-12-29
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김형권 , 안도열 , 황종승 , 황성우
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y25/00
摘要： 본 발명은 수십에서 수백 나노미터 크기의 미세한 전자석을 이용하여 수십 나노미터 크기의 자성 입자를 포획하는 방법에 관한 것이다. 나노미터 크기의 전자석은 광식각법(photolithography)이나 전자빔 식각법(electron beam lithography)으로 반도체 기판 위에 정의된 모양을 형성한 뒤에 금속을 증착함으로써 제작된다. 금속으로 이루어진 나노 전자석에 전류를 흘려주면 나노 전자석 주위에 자기장을 형성시킬 수 있으며, 나노 전자석의 모양을 변화시키거나 흘려주는 전류의 양을 조절함으로써 나노 전자석 주위에 형성된 자기장의 분포모양을 변화시킬 수 있다. 이러한 나노 전자석 위에 자성 나노 입자를 포함하는 용액을 떨어뜨리거나, 미세한 용액 통로를 만들어 자성 나노 입자가 포함된 용액을 나노 전자석 위로 지나가게 하면, 자성 나노 입자는 전자석 주위에 형성되어 있는 자기장의 분포로부터 힘을 받아 나노 전자석 주위의 원하는 위치에 포획될 수 있다. 특히, 본 발명은 요철 모양의 전류회로로 구성된 나노 전자석을 이용하면 원하는 위치에 단 하나의 자성 나노 입자만을 개별적으로 포획할 수 있음을 제시한다.
나노 전자석, 자성 나노 입자, 자기장, 리소그라피, 포획

16. 发明授权

KR100796280B1 디엔에이를 이용한 규비트의 제조 방법 有权
标题翻译：使用DNA制备Qubit的方法
公开(公告)号：KR100796280B1
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020050127630
申请日：2005-12-22
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열 , 황종승 , 황성우
IPC分类号： H01L21/02 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 디엔에이(DNA)로 구성되는 큐비트(qubit)의 제조 방법에 관한 것으로서, 종래의 양자 컴퓨터를 구성하는 큐비트를 제조하기 위한 기술적 방법으로는 원자핵의 스핀, 초전도체 미세 구조, 전자의 스핀, 원자의 여기 상태, 광자의 편광 상태, 양자점 내부의 전자 상태 또는 탄소 나노 튜브와 같은 나노 세선을 이용하고 있으나 큐비트 제조 물질의 크기와 모양, 성분을 정확하게 조절하기 어려운 단점이 있다. 본 발명의 목적은 길이의 조절이 수 나노 미터의 크기로 가능하며 폭이 2나노미터로 일정한 디엔에이의 특징을 활용하여 기존의 큐비트 제조 물질이 가지고 있는 단점을 극복하고 신뢰성 있는 동작 특성이 있는 큐비트의 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명은 길이가 0.34나노미터인 염기의 길이 방향 배열로 이루어진 디엔에이와, 디엔에이에 전자를 공급하고 배출하는 소스와 드레인으로 이루어진 금속 전극과, 디엔에이의 정해진 부분에 전자를 가두고 제어하기 위한 배리어 게이트와 위상 제어 게이트로 이루어진 금속 전극과, 가두어진 전자를 검출할 수 있는 양자 검출기의 기능을 가지는 단일 전자 트랜지스터와, 디엔에이의 양단에 화학적으로 결합하여 있는 티올기(-SH)와, 반도체 기판을 포함하는 구성이 제시된다. 본 발명에 의하여 제작되는 큐비트는 양자 효과를 이용하는 양자컴퓨터의 핵심 소자로 사용되며 디엔에이의 정확한 길이 제어와 일정한 폭에 의하여 큐비트의 동작 특성이 개선되어 뛰어난 성능의 양자 컴퓨터를 제작할 수 있는 효과가 있다.
디엔에이, 큐비트, 양자 컴퓨터, 양자 검출기, 티올기

17. 发明公开

KR1020060015436A 나노 전자석을 이용한 자성 나노 입자의 포획 방법 有权
标题翻译：使用纳米电子束的磁性纳米晶的捕获方法
公开(公告)号：KR1020060015436A
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：KR1020050134335
申请日：2005-12-29
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김형권 , 안도열 , 황종승 , 황성우
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y25/00
CPC分类号： B82B3/0071 , B82Y30/00
摘要： 본 발명은 수십에서 수백 나노미터 크기의 미세한 전자석을 이용하여 수십 나노미터 크기의 자성 입자를 포획하는 방법에 관한 것이다. 나노미터 크기의 전자석은 광식각법(photolithography)이나 전자빔 식각법(electron beam lithography)으로 반도체 기판 위에 정의된 모양을 형성한 뒤에 금속을 증착함으로써 제작된다. 금속으로 이루어진 나노 전자석에 전류를 흘려주면 나노 전자석 주위에 자기장을 형성시킬 수 있으며, 나노 전자석의 모양을 변화시키거나 흘려주는 전류의 양을 조절함으로써 나노 전자석 주위에 형성된 자기장의 분포모양을 변화시킬 수 있다. 이러한 나노 전자석 위에 자성 나노 입자를 포함하는 용액을 떨어뜨리거나, 미세한 용액 통로를 만들어 자성 나노 입자가 포함된 용액을 나노 전자석 위로 지나가게 하면, 자성 나노 입자는 전자석 주위에 형성되어 있는 자기장의 분포로부터 힘을 받아 나노 전자석 주위의 원하는 위치에 포획될 수 있다. 특히, 본 발명은 요철 모양의 전류회로로 구성된 나노 전자석을 이용하면 원하는 위치에 단 하나의 자성 나노 입자만을 개별적으로 포획할 수 있음을 제시한다.
나노 전자석, 자성 나노 입자, 자기장, 리소그라피, 포획

18. 发明公开

KR1020060010704A 동일 평면 게이트 양자점 트랜지스터 제작방법 有权
标题翻译：内平面栅极量子晶体管的制造
公开(公告)号：KR1020060010704A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020050135573
申请日：2005-12-30
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 손승훈 , 안도열 , 황종승 , 황성우
IPC分类号： H01L29/78 , B82Y10/00
摘要： 본 발명은 소스와 드레인 채널 사이에 양자점이 있는 트랜지스터의 제작에 관한 것으로서 채널과 동일 평면에 구현한 게이트를 사용하여 채널과 양자점의 포텐셜을 조절한다. 상기 트랜지스터는 양자점, 소스, 드레인과 두 개의 포텐셜 조절 게이트로 구성되어있다. 제작된 양자점 트랜지스터는 두 개의 게이트에 적절하게 플러스 또는 마이너스 전압을 인가하여 동작한다. 인가되는 게이트 전압에 따라 공명 터널링 현상이 나타나는 특성이 있으며, 두 개의 조절 게이트 전압 합이 일정한 전압 이상에서는 단일 전자 터널링 현상이 나타나는 특성이 있으므로 일반적인 트랜지스터에 비하여 다양한 기능을 제공할 수 있는 트랜지스터를 제작할 수 있다.
양자점, 단일 전자, 공명 터널링, 트랜지스터, 나노, 전자소자

19. 发明授权

KR101973265B1 음파에 대한 차폐를 위한 , 메타물질 특성 연산방법 有权
公开(公告)号：KR101973265B1
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：KR1020170084000
申请日：2017-07-03
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G10K11/162 , G10K11/00

20. 发明公开

KR1020170081157A 일반화된 시간 의존도를 고려한 음파에 대한 은폐 방법 및 그 장치 审中-实审
标题翻译：考虑广义时间依赖性的声波隐藏方法和装置
公开(公告)号：KR1020170081157A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020170084000
申请日：2017-07-03
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 안도열
IPC分类号： G10K11/162 , G10K11/00
CPC分类号： G10K11/162 , G10K11/00
摘要： 일반화된시간의존도를고려한음파은폐방법및 그장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른음파은폐방법은음파전달에대해미리결정된음파전달수학적모델과전자기파에대해미리결정된전자기파수학적모델의상관관계에기초하여상기음파전달수학적모델을상기전자기파수학적모델에대응하며시 간의존도(time dependency)에대한시간변수를포함하는음파은폐수학적모델로 변환하는단계; 상기변환된상기음파은폐수학적모델을이용하여메타물질의 목표특성을도출하는단계; 및상기도출된상기목표특성을가지는상기메 타물질을대상물체를포함하는영역을둘러싸도록배치하여상기영역을음파로부터차단시키는단계를포함한다.
摘要翻译：考虑广义时间依赖性的用于隐藏超声波的方法及其装置被公开。根据本发明的一个实施例的声隐藏方法是声波穿过基于预定电磁波预定声传输数学模型数学模型和对应于所述电磁波的数学模型之间的电磁波的声波传播的相关性的数学模型，并转换为声波隐藏数学模型，包括时间依赖性的时间变量; 使用变换后的声学隐藏数学模型推导超常材料的目标特性; 并且将所获得的具有目标特性的元材料设置为围绕包括物体的区域，由此阻挡该区域免受声波的影响。

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