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11. 发明授权

KR101626080B1 페이지 버퍼 관리 방법과 상기 방법을 수행할 수 있는 장치들 有权
标题翻译：用于管理页面缓冲区的方法和执行相同操作的设备
公开(公告)号：KR101626080B1
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020100014184
申请日：2010-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 임정빈
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/16
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3418
摘要： 비휘발성메모리장치의페이지버퍼관리방법이개시된다. 상기방법은 LSB 페이지버퍼에저장된 LSB 페이지데이터를페이지에프로그램하는단계와, 상기 LSB 페이지데이터에상응하는 MSB 페이지데이터가상기페이지에프로그램될때까지상기 LSB 페이지버퍼에저장된상기 LSB 페이지데이터를유지하는단계를포함한다.

12. 发明授权

KR101469771B1 플래시 메모리를 포함하는 반도체 장치 및 이의 어드레스 사상 방법 有权
标题翻译：包括闪存及其地址映射方法的半导体器件
公开(公告)号：KR101469771B1
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020080122041
申请日：2008-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 고영구 , 임정빈 , 용환진 , 이창희
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/34
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要： 플래시메모리를포함하는반도체장치및 이의어드레스사상방법이개시된다. 본발명의실시예에따른플래시메모리를포함하는반도체장치는상기반도체장치의프로세서의요청에따라서로다른타입(type)의제 1 로그방식및 제 2 로그방식중 하나를선택하여제어신호로출력하는로그타입결정부; 상기제어신호가상기제 1 로그방식이선택되었음을나타내는경우, 상기플래시메모리로의프로그램을위한논리주소및 프로그램데이터를수신하여대응되는로그블럭에기입하는제 1 타입로그부; 상기제어신호가상기제 2 로그방식이선택되었음을나타내는경우, 상기플래시메모리로의프로그램을위한논리주소및 프로그램데이터를수신하여대응되는로그블럭에기입하는제 2 타입로그부; 및상기제어신호에포함되는컨버젼요청에응답하여상기제 1 타입로그부및 상기제 2 타입로그부중 하나의로그부에속하는로그블럭을다른하나의로그부의로그블럭으로변환하는머지부를구비한다.

13. 发明公开

KR1020120017832A 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법 有权
标题翻译：半导体存储器件的半导体存储器件及其转换性能的方法
公开(公告)号：KR1020120017832A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080699
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 이동기 , 문영국 , 권혁선
IPC分类号： G06F13/16 , G06F3/06
CPC分类号： G06F13/1668 , G06F3/0613 , G06F3/0616
摘要： PURPOSE: A semiconductor storing apparatus and a method for adjusting the performance of the semiconductor storing apparatus are provided to adaptively adjust the performance of the apparatus according to workloads of the apparatus. CONSTITUTION: A new performance level is calculated by a controller(S121). The controller compares the calculated new performance level with a pre-determined reference. If the new performance level is lower than the minimum performance level, the controller selects the minimum performance level and applies the selected minimum performance level(S123). If the new performance level is equal to or more than the minimum performance level, the controller selects the applies the new performance level(S124).
摘要翻译：目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，以根据装置的工作量自适应地调整装置的性能。构成：控制器计算新的性能等级（S121）。控制器将计算的新性能水平与预定参考值进行比较。如果新的性能级别低于最低性能级别，则控制器选择最低性能级别并应用所选择的最低性能级别（S123）。如果新的性能级别等于或大于最低性能级别，则控制器选择应用新的性能级别（S124）。

14. 发明公开

KR1020120017830A 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법 有权
标题翻译：半导体存储器件的半导体存储器件及其转换性能的方法
公开(公告)号：KR1020120017830A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020100080697
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 이동기 , 황성식 , 권혁선
IPC分类号： G06F3/06 , G06F13/20 , G06F13/14
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0613 , G06F3/0616 , G06F13/14 , G06F13/20 , G06F2212/2022
摘要： PURPOSE: A semiconductor storing apparatus and a method for adjusting the performance of the semiconductor storing apparatus are provided to secure the life expectancy of the storing apparatus by adjusting the performance of the apparatus based on predicted workloads. CONSTITUTION: A controller collects workload data related to workloads applied to a semiconductor storing apparatus(S100). Based on the collected workload data, workloads are predicted(S110). The controller determines target performance levels according to the predicted workloads(S120). The controller applies the determined performance level to the operation of the semiconductor storing apparatus(S130).
摘要翻译：目的：提供一种用于调整半导体存储装置的性能的半导体存储装置和方法，以通过基于预测的工作负载调整装置的性能来确保存储装置的预期寿命。规定：控制器收集与应用于半导体存储装置的工作负载有关的工作量数据（S100）。根据收集的工作量数据，预测工作量（S110）。控制器根据预测的工作负载确定目标性能水平（S120）。控制器将所确定的性能水平应用于半导体存储装置的操作（S130）。

15. 发明公开

KR1020110094640A 페이지 버퍼 관리 방법과 상기 방법을 수행할 수 있는 장치들 有权
标题翻译：用于管理页面缓冲器的方法和执行其的设备
公开(公告)号：KR1020110094640A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100014184
申请日：2010-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤한빈 , 우영재 , 임정빈
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/16
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3418
摘要： PURPOSE: A page buffer management method and devices performing the same are provided to guarantee a validity of data. CONSTITUTION: A page buffer(50) stores LSB (Least Significant Bit) page data which will be a program on the page. A control block(80) enables the page buffer to maintain the LSD page data until a MSB(Most Significant Bit) page data corresponding to the LSD page data is programmed on the page. The control block includes a determining circuit(82) and a control ciruit(84). If the determining circuit determines a successive programming of the MSB page data, the control circuit releases the LSB page data stored in the page buffer.
摘要翻译：目的：提供页面缓冲管理方法和执行此操作的设备，以保证数据的有效性。构成：页面缓冲器（50）存储将作为页面上的程序的LSB（最低有效位）页面数据。控制块（80）使得页面缓冲器能够维护LSD页面数据，直到在页面上编程对应于LSD页面数据的MSB（最高有效位）页面数据。控制块包括确定电路（82）和控制电路（84）。如果确定电路确定MSB寻呼数据的连续编程，则控制电路释放存储在页缓冲器中的LSB页数据。

16. 发明公开

KR1020090066691A 읽기 사이클 수를 늘릴 수 있는 반도체 메모리 장치 无效
标题翻译：半导体存储器件增加读周期数
公开(公告)号：KR1020090066691A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020070134360
申请日：2007-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이창희 , 고영구 , 임정빈 , 황지호 , 윤한빈 , 이동기
IPC分类号： G11C16/34 , G11C29/42 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C29/42
摘要： A semiconductor memory device for increasing the reading the number of cycles is provided, which increases the number of read cycles by programming data recovering the reading fail in the new data block. A semiconductor memory device(10) comprises the nonvolatile memory(100) and memory controller(200). The nonvolatile memory has a plurality of data blocks. The memory controller controls the operation of the nonvolatile memory. The memory controller recovers the error bit of data stored in the nonvolatile memory by using the ECC(Error Correction Code) circuit. The memory controller copies the recovered error bit in the new data block.
摘要翻译：提供了一种用于增加读取次数的半导体存储器件，其通过编程恢复新数据块中的读取失败的数据来增加读取周期的数量。半导体存储器件（10）包括非易失性存储器（100）和存储器控制器（200）。非易失性存储器具有多个数据块。存储器控制器控制非易失性存储器的操作。存储器控制器通过使用ECC（纠错码）电路恢复存储在非易失性存储器中的数据的错误位。内存控制器复制新数据块中的恢复错误位。

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