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11. 发明授权

KR101168729B1 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 有权
标题翻译：布线结构，布线形成方法，薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101168729B1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020050074834
申请日：2005-08-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 정창오 , 조범석 , 배양호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/4908
摘要： 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 배선 구조는 하부 구조물 상에 형성된 은(Ag) 산화물을 포함하는 하부막 및 하부막 상에 형성된 은(Ag) 또는 은(Ag) 합금을 포함하는 은(Ag) 도전막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 은(Ag), 은(Ag) 산화물, 하부막
摘要翻译：布线结构，布线形成方法，薄膜晶体管基板及其制造方法。形成在下部膜含有银（Ag）或银（Ag）合金布线结构和形成在所述下部结构包括：（Ag）的导电层含有银（Ag）氧化物的下层。

12. 发明授权

KR101168728B1 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 有权
标题翻译：用于制造互连线和薄膜晶体管衬底的线和方法及其制造方法
公开(公告)号：KR101168728B1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020050064483
申请日：2005-07-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 정창오 , 조범석 , 배양호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53238 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
摘要： 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 배선 구조는 하부 구조물 상에 형성된 구리 질화물을 포함하는 배리어막 및 배리어막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 구리, 구리 질화물, 배리어막

13. 发明公开

KR1020070054357A 도전 배선의 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시기판의제조 방법 无效
标题翻译：形成导电线的方法和使用该方法制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020070054357A
公开(公告)日：2007-05-29
申请号：KR1020050112278
申请日：2005-11-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 닝홍롱 , 정창오 , 이제훈 , 배양호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136 , G02F1/13458 , G02F2001/13625 , H01L21/306 , H01L27/1288
摘要： 식각의 균일성(uniformity)을 향상시키는 도전 배선의 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법이 개시된다. 도전 배선의 패턴 형성 방법은 기판 위에 도전성 물질층을 형성하는 단계와, 상기 도전성 물질층 위에 식각율 조절막을 형성하는 단계와, 상기 식각율 조절막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 식각율 조절막을 통해 상기 도전성 물질층을 습식식각 하여 도전 배선의 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 식각율 조절막은 도전성 물질층의 식각율을 감소시켜 식각의 균일성을 향상시킨다.
습식식각, 균일, 식각율, 구리, 은, 표시기판

14. 发明公开

KR1020070018263A 표시 장치용 신호선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：用于显示器件的布线和包括其的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070018263A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050072750
申请日：2005-08-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 닝홍롱 , 정창오 , 이제훈 , 조범석 , 배양호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1262
摘要： 본 발명에 따른 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 서로 교차하는 제1 및 제2 신호선, 상기 제1 및 제2 신호선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 제1 및 제2 신호선 중 적어도 하나는 제1 도전층, 그리고 상기 제1 도전층 위에 형성되어 있으며 구리로 만들어진 제2 도전층을 포함하고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층의 표면과 측면을 덮으며, 상기 제2 도전층의 두께는 상기 제1 도전층의 표면과 측면에서 동일하고, 상기 제2 도전층의 비저항은 상기 제1 도전층보다 작고, 상기 제1 도전층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 상기 제2 도전층은 전기도금으로 만들 어질 수 있다. 이와 같이, 하부막과 상부막의 이중막 구조를 가지는 신호선에서 상부막을 비저항이 낮은 금속인 구리로 전기도금 방식으로 형성함으로써, 구리의 저저항성을 살리면서 금속과 구리의 식각 속도 차이에 의한 문제점을 해결하고, 양호한 측면 프로파일을 가지는 배선을 형성할 수 있다.
이중막, 구리, 전기도금, 저저항

15. 发明公开

KR1020070009327A 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 有权
标题翻译：用于制造互连线和薄膜晶体管基板的线和方法及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070009327A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050064486
申请日：2005-07-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 정창오 , 조범석 , 배양호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/4908 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53238 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： A line structure, a line forming method, a thin film transistor, and a manufacturing method are provided to secure reliability of a low-resistance copper line by preventing oxidation or corrosion of a copper conductive layer due to a chemical reaction while maintaining a good adhesive force of the cooper conductive layer. A barrier layer(2a) is formed on a lower structure(1). A copper conductive layer(2b) including copper or copper alloy is formed on the barrier layer. An intermediate layer(2c) including copper nitride is formed on the copper conductive layer. A capping layer(2d) is formed on the intermediate layer. The barrier layer includes Cr, Ti, Ta, V, Zr, W, Nb, Co, Ni, Pd, Pt or a mixture thereof.
摘要翻译：提供线结构，线形成方法，薄膜晶体管和制造方法，以通过防止由于化学反应导致的铜导电层的氧化或腐蚀同时保持良好的粘合剂来确保低电阻铜线的可靠性铜基导电层的力。在下部结构（1）上形成阻挡层（2a）。在阻挡层上形成包含铜或铜合金的铜导电层（2b）。在铜导电层上形成包括氮化铜的中间层（2c）。在中间层上形成覆盖层（2d）。阻挡层包括Cr，Ti，Ta，V，Zr，W，Nb，Co，Ni，Pd，Pt或它们的混合物。

16. 发明公开

KR1020070008923A 배선 구조, 그 형성 방법, 그 배선을 포함하는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：线结构及其制造方法，包括线的薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070008923A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050062828
申请日：2005-07-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조범석 , 정창오 , 이제훈 , 배양호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要： A wiring structure, a forming method thereof, a thin film transistor including the wiring, and a fabrication method thereof are provided to improve an adhesion with a semiconductor layer including silicon by forming a wiring including an alloy of Ag and a metal for silicide on the semiconductor layer. A semiconductor layer(1) includes silicon. A conductive layer(2) is formed on the semiconductor layer, and is formed of an alloy of Ag and a metal that generates a silicide reaction at an interface of the semiconductor layer. A silicide layer(3a) or an agglomerated silicide(3b) is formed on a surface of the semiconductor layer.
摘要翻译：提供一种布线结构，其形成方法，包括该布线的薄膜晶体管及其制造方法，以通过在其上形成包含Ag和金属的合金的布线来提高与包括硅的半导体层的粘合性半导体层。半导体层（1）包括硅。导电层（2）形成在半导体层上，并且由Ag和在半导体层的界面处产生硅化物反应的金属的合金形成。在半导体层的表面上形成硅化物层（3a）或聚集的硅化物（3b）。

17. 发明公开

KR1020070000529A 게이트 및 축적용량 전극 및 그 형성 방법 그리고 이를이용한 액정 표시 장치 및 그 형성 방법 无效
标题翻译：门和存储电极及其形成门和存储电极的方法以及用于形成液晶显示器的液晶显示器和方法
公开(公告)号：KR1020070000529A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050055918
申请日：2005-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우석 , 배양호 , 박정민 , 정두희
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/1259
摘要： A structure for gate and storage electrodes, a method for forming the same, an LCD using the same, and a method for manufacturing the LCD are provided to realize the formation of the gate and storage electrodes through a single photo process, thereby increasing the manufacturing yield of the LCD. First and second conductive layers are formed on a substrate having first and second regions. A first pattern(116a) and a second pattern(116b) thinner than the first pattern are respectively formed on the second conductive layer of the first region and the second region. The second and first conductive layers are etched using the first and second patterns as an etching mask, thereby forming a first combination pattern(117a) and a second combination pattern(117b) respectively positioned in the first region and the second region. Each of the first and second combination patterns is composed of second and first conductive patterns. The second pattern is removed, the second conductive pattern of the second combination pattern is removed, and then the first pattern is removed.
摘要翻译：提供一种用于栅极和存储电极的结构，其形成方法，使用其的LCD以及用于制造LCD的方法，以通过单次照相处理来实现栅极和存储电极的形成，从而增加制造 LCD的产量。在具有第一和第二区域的基板上形成第一和第二导电层。比第一图案薄的第一图案（116a）和第二图案（116b）分别形成在第一区域和第二区域的第二导电层上。使用第一和第二图案作为蚀刻掩模蚀刻第二和第一导电层，从而形成分别位于第一区域和第二区域中的第一组合图案（117a）和第二组合图案（117b）。第一和第二组合图案中的每一个由第二和第一导电图案组成。去除第二图案，去除第二组合图案的第二导电图案，然后移除第一图案。

18. 发明公开

KR1020060131071A 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법 无效
标题翻译：用于显示器件的布线和包括其的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060131071A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050051241
申请日：2005-06-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배양호 , 조범석 , 정창오 , 양성훈 , 이제훈
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/13629
摘要： A wire for a display device, a thin film transistor substrate comprising the same, and a method for manufacturing the same are provided to improve the adhesive characteristic of the wire while maintaining a low resistance of a copper layer, by forming the wire of a molybdenum layer, a copper layer, and a conductive oxide layer. A wire(131) for a display device is formed in a triple-layered type. The wire comprises a first conductive layer(131p) containing molybdenum or molybdenum alloy, a second conductive layer(131q) containing copper or copper alloy, and a third conductive layer(131r) containing a conductive oxide. The third conductive layer is formed of a material selected from ITO, IZO, AZO, and InSnZnO. The wire is used for a gate line or a data line for an LCD.
摘要翻译：提供一种用于显示装置的导线，包括该导线的薄膜晶体管基板及其制造方法，用于通过形成钼丝的线来提高线的粘合特性，同时保持铜层的低电阻层，铜层和导电氧化物层。用于显示装置的导线（131）形成为三层型。线包括含有钼或钼合金的第一导电层（131p），含有铜或铜合金的第二导电层（131q）和含有导电氧化物的第三导电层（131r）。第三导电层由选自ITO，IZO，AZO和InSnZnO的材料形成。线用于LCD线的栅极线或数据线。

19. 发明公开

KR1020060059565A 다층 배선, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막트랜지스터 无效
标题翻译：多层布线，制造多层布线的方法和具有多层布线的薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020060059565A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098689
申请日：2004-11-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 조범석 , 정창오 , 배양호
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/12 , H01L21/76838 , H01L23/5283 , H01L23/53209 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： 다층 배선, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막트랜지스터가 개시된다. 다층 배선은 메인 배선 및 서브 배선을 포함한다. 메인 배선은 제 1 금속을 포함하고, 서브 배선은 메인 배선의 제 1 면에 배치되며, 제 1 면의 표면에 요철이 형성되는 것을 억제 및 투명한 도전막에 대한 콘택 특성을 향상시키고, 제 1 금속을 주성분으로 하는 합금을 포함한다. 이로써, 배선의 전기적 저항을 감소시키고, 배선에 힐락 또는 스파이킹이 발생하는 것을 억제하며, 다른 도전체와의 콘택 특성을 보다 향상시킨다.

20. 发明授权

KR101167661B1 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101167661B1
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020050064486
申请日：2005-07-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이제훈 , 정창오 , 조범석 , 배양호
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/4908 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53238 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 배선 구조는 하부 구조물 상에 형성된 배리어막과, 배리어막 상에 형성된 구리 또는 구리 합금을 포함하는 구리 도전막과, 구리 도전막 상에 형성된 구리 질화물을 포함하는 중간막 및 중간막 상에 형성된 캡핑막을 포함한다.
박막 트랜지스터, 구리, 구리 질화물, 중간막

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