专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明公开

KR1020050113295A 반도체 레이저 다이오드 패키지 有权
标题翻译：半导体激光二极管封装
公开(公告)号：KR1020050113295A
公开(公告)日：2005-12-02
申请号：KR1020040037323
申请日：2004-05-25
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/022 , H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/02212 , H01S5/024 , H01S5/1039
摘要： 반도체 레이저 다이오드 패키지가 개시된다. 개시된 반도체 레이저 다이오드 패키지는, 소정의 두께를 가지고, 그 중심부에는 관통공이 형성된 스템과; 관통공 주위에 스템의 일면으로부터 돌출되어 마련되는 히트싱크와; 히트싱크 상에 부착되는 반도체 레이저 다이오드와; 반도체 레이저 다이오드의 후방에 마련되는 것으로, 상기 관통공의 내부에 상기 스템의 두께보다 얇은 두께로 채워지는 충진부재를; 구비한다.

12. 发明公开

KR1020060093175A 유기금속 화학기상증착 장치 失效
标题翻译：金属有机化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR1020060093175A
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：KR1020050013987
申请日：2005-02-21
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 신영철 , 조수행
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/00
摘要： 서로 다른 공정 온도와 공정 분위기를 정확하고 용이하게 구현할 수 있는 유기금속 화학기상증착 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착 장치는, 서로 다른 공정 조건을 구현할 수 있는 제1 공정 챔버 및 제2 공정 챔버와; 상기 제1 공정 챔버와 제2 공정 챔버 사이에 배치되어 상기 제1 공정 챔버와 제2 공정챔버 간에 기판이 이동할 수 있도록 통로를 제공하는 로드락 챔버를 포함한다. 상기 제1 및 제2 공정 챔버 각각에는 소스 가스를 공급하기 위한 하나 이상의 가스 도입 라인이 연결되어 있다. 상기 제1 및 제2 공정 챔버 내에는, 기판이 안치되는 서셉터와, 기판을 가열하는 히터와, 상기 가스 도입 라인에 연결되어 기판 상에 소스 가스를 분사하는 가스 분사 부재가 설치되어 있다.
유기금속 화학기상증착, 챔버, 반응로

13. 发明公开

KR1020060069038A 반도체 레이저 다이오드 失效
标题翻译：半导体激光二极管
公开(公告)号：KR1020060069038A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040108030
申请日：2004-12-17
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조수행
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/2072 , H01S5/34326
摘要： 반도체 레이저 다이오드가 개시된다. 개시된 반도체 레이저 다이오드는, 기판 상에 형성된 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층 상의 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되며, 수직방향으로 돌출된 리지가 형성된 상부 클래드층;을 구비하며, 상부 클래드층에서, 상기 리지의 양측에는 고차 횡모드 (lateral mode) 발진을 억제하는 불순물이 확산된 불순물층이 형성된 것을 특징으로 한다. 상기 불순물은 베이컨시 (Vacancy) 또는 Zn 이온이다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB