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    • 121. 发明授权
    • 방사성 희토류 산화물이 함유된 세라믹 고화체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 밀도, 열적 안정성 및 내침출성이 향상된 세라믹 고화체
    • 用于固定放射性稀土废物的陶瓷废物形式的制备方法和用于固定的陶瓷废物形式,具有增强的密度,热稳定性和耐浸出性
    • KR101122632B1
    • 2012-03-09
    • KR20090051790
    • 2009-06-11
    • C04B35/01C04B35/462C04B35/50
    • G21F9/16G21F9/305G21F9/34
    • 본발명은방사성희토류산화물이함유된세라믹고화체의제조방법및 이에따라제조되는밀도, 열적안정성및 내침출성이향상된세라믹고화체에관한것으로, 더욱상세하게는 CaHPO및 ZnTiO를제조하는단계(단계 1); 상기단계 1에서제조된 ZnTiO50 - 65 중량%, CaHPO15- 20 중량%와 SiO8 - 12 중량%, 및 BO12 - 18 중량%를혼합하는단계(단계 2); 상기단계 2에서제조된혼합분말을대기분위기에서소결하고자연냉각시킨후 분쇄하여고화매질을제조하는단계(단계 3); 및상기단계 3에서제조된고화매질 60 - 90 중량%와방사성희토류산화물 10 - 40 중량%를혼합한후 대기분위기에서소결하여세라믹고화체를제조하는단계(단계 4)를포함하는 1000 ℃이하의저온에서제조되는방사성희토류산화물이함유된세라믹고화체의제조방법을제공한다. 본발명에따른방사성희토류산화물이함유된세라믹고화체의제조방법은단순한혼합및 분말상소결에의해 1000 ℃이하의저온에서제조가능한방법이며, 상기방법으로제조된세라믹고화체는밀도와열적안정성이향상되고방사성물질의누출속도가매우낮은향상된내침출성을나타내므로, 방사성희토류산화물을포함하는핵 폐기물을안정한고화체로제조하는데유용하게사용될수 있다.
    • 122. 发明公开
    • 유전체 자기 조성물 및 세라믹 전자 부품
    • 电介质陶瓷组合物和陶瓷电子元件
    • KR1020120021277A
    • 2012-03-08
    • KR1020110087264
    • 2011-08-30
    • 티디케이가부시기가이샤
    • 무라카와요시타카나카노유키에오오츠키시로우
    • C04B35/468C04B35/50H01G4/12
    • H01G4/1227C04B35/4682C04B2235/3206C04B2235/3236C04B2235/3262C04B2235/3454C04B2235/528C04B2235/768
    • PURPOSE: A dielectric ceramic composition and ceramic electronic components are provided to have high dielectric constant and good reliability by controlling existence of R element of dielectric particle having core-shell structure. CONSTITUTION: A dielectric ceramic composition includes a compound having perovskite-type crystal structure and oxide of R element. The dielectric ceramic composition is marked as general formula ABO3. A indicates either Ba only, or Ba and one selecting from Ca and Sr. B indicates either Ti only, or Ti and Zr together. The R element is selected from at least one of the following elements: Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu. The dielectric ceramic composition includes dielectric particles(20) having core-shell structure. The core-shell structure comprises cores(20a) and shells(20b) which include at least the R element. A domain of the shell is border area of the shell and the core.
    • 目的:通过控制具有核 - 壳结构的电介质颗粒的R元素的存在,提供介电陶瓷组合物和陶瓷电子部件以具有高介电常数和良好的可靠性。 构成:电介质陶瓷组合物包括具有钙钛矿型晶体结构的化合物和R元素的氧化物。 介电陶瓷组合物标记为通式ABO3。 A表示仅Ba或Ba,一个选自Ca和Sr.B表示仅Ti或Ti和Zr在一起。 R元素选自以下元素中的至少一种:Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb和Lu。 电介质陶瓷组合物包括具有核 - 壳结构的电介质颗粒(20)。 核 - 壳结构包括至少包括R元件的芯(20a)和壳(20b)。 shell的一个域是shell和core的边界区域。