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121. 发明公开

KR1020040035721A 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 처리하기 위한 프로세스및 장치 无效
标题翻译：用于处理诸如半导体晶片的工件的工艺和设备
公开(公告)号：KR1020040035721A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020047001913
申请日：2002-07-23
申请人： 세미툴 인코포레이티드
发明人： 케니,마이클 , 에이지터,브라이언 , 버그만,에릭 , 스크랜턴,다나
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/044 , B08B3/08 , B08B7/00 , B08B2203/005 , B08B2203/007 , B08B2203/0288 , B08B2230/01 , H01L21/02054 , H01L21/3065 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L23/49582 , H01L2924/0002 , H05K3/3426 , Y02P70/613 , H01L2924/00
摘要： 피가공물 즉, 웨이퍼를 세정하기 위한 시스템에서, 피가공물 표면 상에 가열된 액체의 경계층을 형성한다. 피가공물 주위에 오존을 제공한다. 오존은 경계층을 통해 확산되어 피가공물 표면 상의 오염물과 화학적으로 반응한다. 가열된 액체의 고속의 분사를 피가공물에 가해, 피가공물에서 오염물을 물리적으로 분리하거나 제거한다. 분사는 충격 지점에서 경계층을 관통한다. 경계층은 크게 변형되지 않고 유지된다. 양호하게는 액체는 물을 포함할 수도 있고, 화학물을 포함할 수도 있다. 피가공물 상에 스팀이 분사되면, 스팀은 물리적으로 오염물을 제거하며, 피가공물을 가열하여 화학적 세정 속도를 증가시킨다. 피가공물과 액체 분사가 서로에 대해 이동되어, 분사가 향하는 피가공물 표면 중 거의 모든 영역이 적어도 순간적으로 분사에 노출된다. 음파 또는 전자기 에너지가 피가공물에 도입될 수 있다.

122. 发明公开

KR1020040010221A 고유전율 물질의 에칭 방법 및 고유전율 물질용 증착챔버의 세정 방법 失效
标题翻译：用于蚀刻高介电常数材料和清洁高介电常数材料沉积室的方法
公开(公告)号：KR1020040010221A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020030048622
申请日：2003-07-16
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 지빙 , 모티카스티븐앤드루 , 펄스테인로널드마틴 , 카르와키유진조지프주니어 , 우딩준
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B7/0035
摘要： PURPOSE: A method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials is provided to clean residues from internal surfaces of a reactor by etching high-k dielectric materials deposited on a substrate. CONSTITUTION: A first removal process is performed to remove a substance having a dielectric constant greater than silicon dioxide from a substrate by reacting the substance with a reactive agent that comprises at least one member from the group consisting a halogen-containing compound, a boron-containing compound, a hydrogen-containing compound, nitrogen-containing compound, a chelating compound, a carbon-containing compound, a chlorosilane, a hydrochlorosilane, or an organochlorosilane to form a volatile product. A second removal process is performed to remove the volatile product from the substrate to thereby remove the substance having the dielectric constant greater than the silicon dioxide from the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于蚀刻高介电常数材料和清洁用于高介电常数材料的沉积室的方法，通过蚀刻沉积在基板上的高k介电材料来清洁反应器内表面的残留物。构成：通过使该物质与包含至少一种成员的反应剂反应，从含有卤素的化合物，含硼化合物的组合物中除去具有介电常数大于二氧化硅的介电常数的物质，含氢化合物，含氮化合物，螯合化合物，含碳化合物，氯硅烷，氢氯代硅烷或有机氯硅烷，以形成挥发性产物。进行第二次去除处理以从基材中除去挥发性产物，从而从基材除去介电常数大于二氧化硅的物质。

123. 发明公开

KR1020030090801A 에칭 적용을 위한 고압력 웨이퍼리스 자동 세정 有权
标题翻译：用于蚀刻应用的高压无晶圆自动清洁
公开(公告)号：KR1020030090801A
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：KR1020037014378
申请日：2002-05-03
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 하미트싱 , 존이.도그허티 , 소랍제이.얼랄
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： H01J37/32467 , B08B7/00 , H01J37/321 , H01J37/32862 , H01J37/32935
摘要： 처리 챔버를 세정하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 불소 함유 가스 혼합물의 처리 챔버 내로의 도입으로 초기화된다. 그 다음, 플라즈마가 처리 챔버 내에서 불소 함유 가스 혼합물로부터 생성된다. 다음에, 챔버 압력은, 플라즈마의 이온이 잔류물 없이 처리 챔버의 내측 표면을 세정하는 문턱 이온 에너지에 대응하게 수립된다. 반도체 처리 챔버를 위한 인-시튜(in-insitu) 세정 처리와 인-시튜 세정 처리를 실행하기 위한 플라즈마 처리시스템에 의해 퇴적된 잔류하는 불화알루미늄 입자를 실질적으로 제거하기 위한 방법이 제공된다.

124. 发明公开

KR1020030065953A 반도체 기판 세정공정용 반도체 제조장치 및 그를 이용한반도체 기판 세정공정 失效
标题翻译：半导体基板清洗工艺和清洗工艺的半导体制造装置
公开(公告)号：KR1020030065953A
公开(公告)日：2003-08-09
申请号：KR1020020006045
申请日：2002-02-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한동균 , 이근택 , 한용필 , 고형호
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31138 , B08B7/00 , H01L21/67028 , H01L21/67763
摘要： PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus for a semiconductor substrate cleaning process and a cleaning process using the same are provided to remove easily a hardened photoresist part by mixing a gasified cleaning solution with ozone. CONSTITUTION: A semiconductor fabrication apparatus for semiconductor substrate cleaning process includes a cleaning process chamber(110), a cleaning gas supply portion(120), an ozone supply portion(130), a steam supply portion(125), and a reaction gas exhaust portion(140). The cleaning process chamber has a substrate loading portion(111) for loading a semiconductor substrate(100) to perform a cleaning process in an airtight state. The cleaning gas supply portion supplies a cleaning solution of a gas state. The ozone supply portion supplies ozone to the cleaning process chamber. The steam supply portion supplies the steam to the cleaning process chamber. The process gas exhaust portion is connected to the process chamber in order to exhaust the cleaning gas.
摘要翻译：目的：提供一种用于半导体衬底清洗工艺的半导体制造装置和使用该半导体衬底清洁工艺的清洁工艺，以通过将气化的清洁溶液与臭氧混合来容易地除去硬化的光致抗蚀剂部件。构成：用于半导体衬底清洁工艺的半导体制造装置包括清洁处理室（110），清洁气体供应部分（120），臭氧供应部分（130），蒸汽供应部分（125）和反应气体排出部分（140）。清洁处理室具有用于加载半导体基板（100）以进行气密状态的清洁处理的基板装载部（111）。清洁气体供给部供给气体状态的清洗液。臭氧供应部分向清洗处理室提供臭氧。蒸汽供应部分将蒸汽供应到清洁处理室。过程气体排出部分连接到处理室以排出清洁气体。

125. 发明公开

KR1020030063078A 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치 有权
标题翻译： 반도체장치의제조방법법반도체장치의제조장치
公开(公告)号：KR1020030063078A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020020050274
申请日：2002-08-24
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 아크바아데아스네일 , 오오바다까유끼
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/76838 , B08B7/00 , B08B7/0057 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/32135 , H01L21/67028 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , Y10S438/906
摘要： 본 발명의 과제는 반도체 장치의 전극 혹은 배선을 형성하고 있는 금속에 생성된 금속 산화물을 균일하면서도 효율적으로 환원하는 것이다.
구리 산화물이 생성되어 있는 피처리물(2)을 처리 챔버(3) 내에 배치하여 히터(8)로 소정 온도로 가열한다. 그 후, 이 처리 챔버(3) 내에, 저장조(15)에 저장되어 있는 카르본산을 기화기(18)에 의해 기화한 후, 캐리어 가스와 함께 처리 가스 공급용 배관(16)을 거쳐서 도입하고, 피처리물(2)의 구리 산화물을 금속 구리로 환원한다. 이에 의해, 전극이나 배선 표면에 요철이 생기게 하는 일 없이 균일하게 금속 산화물을 환원할 수 있다. 또한, 이 때 생성되는 이산화탄소와 물은 모두 기체 상태이므로, 구리 표면에 불순물이 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
摘要翻译：一种半导体器件制造方法，用于均匀且高效地还原在半导体器件上形成电极或布线的金属（例如铜）上产生的金属氧化物。将其上产生氧化铜的待处理物体放入处理室中并通过加热器加热至预定温度。然后储存在储罐中的羧酸被化油器汽化。汽化的羧酸与载气一起通过处理气体进料管引入处理室，以将待处理物体上产生的铜氧化物还原成金属铜。结果，金属氧化物可以被均匀地还原而不使电极或布线的表面不规则。而且，在这种情况下，二氧化碳和水都以气态生成。这可以防止杂质残留在铜表面。

126. 发明授权

KR100391526B1 기판으로부터 유기 물질을 제거하는 방법 有权
标题翻译：从技术角度来看，
公开(公告)号：KR100391526B1
公开(公告)日：2003-07-12
申请号：KR1020017002470
申请日：1999-08-20
申请人： 아논 인코포레이티드
发明人： 왈레아매드 , 레벤슨에릭오
IPC分类号： B08B3/00
CPC分类号： H01L21/02054 , B08B7/00 , G03F7/427
摘要： Water-free, gaseous sulfur trioxide is used as an agent to remove various organic coatings, films and residues from the surface of substrate when used in conjunction with certain other physical and chemical treatments (10, 14, 16, and 18) applied at the appropriate time during the process.
摘要翻译：不含水的气态三氧化硫作为一种试剂，与某些其他物理和化学处理（10,14,16和18）一起使用时从基材表面除去各种有机涂层，薄膜和残余物在这个过程中适当的时间。

127. 发明公开

KR1020030044393A 챔버 세정기를 구비한 증착장치 및 그를 이용한 챔버 세정방법 失效
标题翻译：具有室清洁剂的沉积装置及其清洗室的方法
公开(公告)号：KR1020030044393A
公开(公告)日：2003-06-09
申请号：KR1020010075117
申请日：2001-11-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 정우석
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B7/0035 , B08B7/0071 , C23C16/4407
摘要： PURPOSE: A deposition apparatus having a chamber cleaner and a method for cleaning a chamber using the same are provided to increase productivity by reducing the processing time and the manpower. CONSTITUTION: A quartz tube(20) is installed in the inside of a process chamber(10). A wafer(11) is loaded on the quartz tube. A heater(30) is installed at an inner wall of the process chamber in order to heat the quartz tube. An elevator(50) has an elevating gear in order to the wafer and transferring a tube cleaner in the inside of the quartz tube. The elevator is installed at a loading chamber(60). A door(70) is selectively opened or shut in order to load the wafer and the tube cleaner from the loading chamber into the inside of the quartz tube. A turbo molecular pump(80) is used for reducing the pressure of the quartz tube. A rough pump(90) is connected between the turbo molecular pump and the loading chamber in order to control a process pressure.
摘要翻译：目的：提供具有室清洁器的沉积设备和使用其的清洁室的方法，以通过减少处理时间和人力来提高生产率。构成：石英管（20）安装在处理室（10）的内部。将晶片（11）装载在石英管上。加热器（30）安装在处理室的内壁处以加热石英管。电梯（50）具有用于晶片的升降齿轮，并且在石英管的内部传送管道清洁器。电梯安装在装载室（60）上。选择性地打开或关闭门（70）以将晶片和管清洁器从装载室装载到石英管的内部。涡轮分子泵（80）用于降低石英管的压力。在涡轮分子泵和装载室之间连接有粗泵（90），以便控制过程压力。

128. 发明公开

KR1020030019610A 세라믹 제품의 세정방법 失效
标题翻译： 세라믹제품의세정방법
公开(公告)号：KR1020030019610A
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020037001056
申请日：2001-07-23
申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드
发明人： 해얼앤드류쥐.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C04B41/009 , B08B3/08 , B08B7/00 , B08B7/02 , C04B41/53 , C04B41/91 , C04B35/00 , C04B35/565
摘要： 본 발명은 반도체 가공에 사용되는 SiC 보트 등의 세라믹 가공품을 세정하는 방법에 관한 것이다. 당해 방법은 미가공 또는 사용된 세라믹 가공품을 화학적 스트립핑 제제로 세척한 다음, 펠릿화 CO
2 세정 공정을 산 세척된 부품 위에 사용함을 포함한다. 본 발명의 방법은 이의 표면 위에서의 금속 및 입상 오염도가 매우 낮은 가공품을 생성하는 것으로 밝혀졌다.
摘要翻译：公开了一种用于清洁诸如在半导体制造中使用的SiC舟的陶瓷工件的方法。该方法包括用化学剥离剂清洗未使用过的或使用过的陶瓷工件，然后在酸洗部件上使用粒化CO2清洁工艺。已经发现本发明的方法产生在其表面上具有非常低水平的金属和颗粒污染物的工件。

129. 发明公开

KR1020030007880A 클리닝 시트, 이를 사용하는 반송 부재, 및 이들을 사용한 기판 처리 장치의 클리닝 방법 失效
标题翻译：使用本网站的信息，或与使用本网站的信息有关的任何信息，
公开(公告)号：KR1020030007880A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020027016584
申请日：2001-05-08
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
发明人： 나미카와마코토 , 데라다요시오 , 누카가지로우 , 도요다에이지
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , Y10T156/1052 , Y10T428/2481 , Y10T428/24818 , Y10T428/249982
摘要： 기판 가공처리 장치의 내부로부터 이물질을 청소하기 위한 청소 시트가 제공된다. 상기 청소 시트는, JIS K7127에 따라 측정하는 경우 0.98N/㎟ 이상의 인장 모듈러스를 가지며 실질적으로 비점착성인 청소층을 포함한다. 다르게는, 청소 시트는 10 이상의 비커스 경도(Vickers hardness)를 갖는 청소층을 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备具有清洁功能的传送部件的方法，该方法包括以下步骤：层叠具有清洁层的清洁片，所述清洁层具有由粘合剂制成的清洁层，所述清洁层在被设置在所述清洁层的一侧上的活性能作用时发生聚合固化基材和粘合剂层，所述粘合剂层设置在另一个上，其中，所述清洁片的形状大于所述传送部件的形状; 并沿着所述传送部件的轮廓切割所述清洁片; 其中在沿着所述输送构件的轮廓切割所述清洁片之后，所述清洁层发生聚合固化反应。本发明还涉及用于制备具有清洁功能的输送构件的过程中的清洁片。

130. 发明公开

KR20180042435A 타이어의 세정 시스템 有权
公开(公告)号：KR20180042435A
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR20187009804
申请日：2016-11-04
申请人： 요코하마 고무 가부시키가이샤
发明人： MATSUMURA KENSUKE
IPC分类号： B29D30/06 , B08B1/02 , B08B7/00 , B29D30/00 , B29D30/48
CPC分类号： B08B7/00 , B29D30/00
摘要： 타이어의내면에부착하고있는이형제등을효율좋게제거할수 있고, 세정의후처리에요하는시간을억제할수 있는타이어의세정시스템을제공한다. 타이어(14)와아암(6)에보유된레이저헤드(4)와의적어도한쪽의움직임을제어장치(7)에의해제어하여레이저헤드(4)를타이어(14)의내면(15)을따라상대이동시키면서레이저발진기(2)로부터공급되는레이저광(L)을타이어(14)의내면(15)에조사하여그 내면(15)에부착하고있는이형제등의오물(X)을제거한다.

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