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    • 115. 发明授权
    • 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치
    • KR102469728B1
    • 2022-11-22
    • KR1020180096586
    • 2018-08-20
    • C25D11/04C25D11/26C25D11/34C25D21/12C25D11/00
    • 본발명의표면처리방법은, 밸브금속으로이루어진피처리체의피처리면에, 복수의처리구획을설정하고, 각처리구획에연속적또는단속적으로전해액에침지하여, 아노드산화처리를실시하고, 상기피처리면에산화피막을형성한다. 상기아노드산화처리는, 제M(M은 2 이상의정수) 공정으로구성되고, 있다. 상기제M 공정은, 상기피처리체중 제1 처리구획만을상기전해액에침지시켜, 마이크로아크산화처리를포함한아노드산화처리의최고전압 VMax 보다낮은전압 VM으로보지(保持)하고, 소정의전류 I1이되도록, 상기피처리체의제1 처리구획에소망하는산화피막을형성하는제Ma 공정과, 상기제Ma 공정을마친피처리체를, 상기제1 처리구획에인접한제2 처리구획까지상기전해액에침지시켜, 제Ma 공정과동일조건에서상기제2 처리구획에소망하는산화피막을형성하는제Mb 공정과, 상기제Mb 공정을마친피처리체를, 제n 처리구획까지상기전해액에침지시켜, 제Ma 공정과동일조건에서상기제n 처리구획에소망하는산화피막을형성하여, 상기피처리면의전역에걸쳐산화피막을형성하는제Mn 공정(n은 1 이상의정수)을갖춘다. 상기전압 VM을상기최고전압 VMax의방향으로순서대로증가시켜소정의수치로서, 상기제M 공정을반복해실시함으로써, 합계막 두께가소망하는두께로된 상기산화피막을형성한다.