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91. 发明授权

KR100242721B1 반도체 메모리 장치용 데이터 출력버퍼 失效
公开(公告)号：KR100242721B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970017154
申请日：1997-05-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 곽충근 , 모현선
IPC分类号： G11C11/407 , H03K19/094
摘要： 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치용 데이터 출력버퍼는, 전원전압의 증가시 발생되는 데이터 노이즈를 저감시키기 위해, 전원전압이 증가하는 경우에만, 상기 데이터 출력버퍼내의 풀업 또는 풀 다운 트랜지스터의 턴온 타임을 상기 풀업 또는 풀 다운 트랜지스터의 전단에 각기 연결된 인버터를 통해 제어하는 천이타임 지연부를 가짐을 특징으로 한다.

92. 发明公开

KR1019990081046A 전압레벨시프터회로 失效
标题翻译：电压电平转换器电路
公开(公告)号：KR1019990081046A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980014717
申请日：1998-04-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이성수
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 본 발명은 전압 레벨 시프터회로에 관한 것으로, 종래에는 기준전압을 발생하는 회로를 별도로 구현하여야 하는 불편함이 있었고, 또한 칩 내부에 기준전압을 발생하는 회로를 구현하면 면적과 전력면에서 손실이 있는 문제점이 있으며, 또한 외부에 상기 기준전압을 발생하는 회로를 구현하게 되면 사용자의 입장에서는 전원을 하나 더 추가해야 하므로 비용이 상승될 수 있는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 입력신호와 그 입력신호를 인버터를 통해 반전하여 입력받아 그 두신호의 차이를 증폭하는 차동증폭부와; 상기 차동증폭부의 증폭신호를 입력받아 이를 내부 고전압전원에 의해 안정화하여 그에 따른 신호를 출력하는 전압안정화부와; 상기 전압안정화부의 신호를 입력받아 이를 래치하는 래치부와; 상기 래치부의 래치신호를 입력받아 이를 반전하여 그에 따른 신호를 출력하는 인버터로 구성하여 파워 모스 소자를 포함한 칩에서 저전압신호와 고전압신호간의 인터페이스를 구현할 수 있음으로써 칩의 면적과 전력면에서 경제성을 가질수 있는 효과가 있다.

93. 发明授权

KR100212160B1 정전기 보호회로 失效
公开(公告)号：KR100212160B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019970012115
申请日：1997-04-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권규형
IPC分类号： H03K19/094

94. 发明公开

KR1019990028424A 고속의전압스윙제한용풀업회로 失效
标题翻译：高速电压摆幅限制上拉电路
公开(公告)号：KR1019990028424A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970709740
申请日：1996-06-21
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 마이클에이.쉐노이 , 테드윌리암즈 , 로버트케이.몬토예
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 풀업 회로(200)는 제한된 전압 스윙과 고속의 풀업 및 풀다운 시간을 가지며, 풀업 장치(210)와 내부 노드(N1)를 구비한다. 이 풀업 회로(200)는 N-트리(110)가 내부 노드(N1)를 방전시키기 전에 풀업 장치(210)의 전류를 제한하여, 풀업 장치(210)의 전류를 최대로함으로써 하강 시간 및 전력 소비를 감소시키도록 동작한다. 이후, 풀업 회로(200)는 N-트리(110)가 내부 노드(N1)를 풀다운시킨 후, 풀업 장치(210)의 전류를 최대로하여, 풀업 장치(210)의 풀업 효과를 증가시킴으로써, 상승 시간을 감소시킨다. 그 결과, 내부 노드(N1)의 전압은 N-트리(110)가 인엑티브일 때 더욱 빨리 충전하고, N-트리(110)가 엑티브일 때 더욱 빨리 방전된다.

95. 发明公开

KR1019990012648A 출력버퍼회로 失效
公开(公告)号：KR1019990012648A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019970036124
申请日：1997-07-30
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 성하민 , 박종훈
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 본 발명은 출력버퍼회로에 관한 것으로, 종래의 출력버퍼회로는 전원전압의 값이 증가하면 피모스 및 엔모스 트랜지스터를 통해 부하 캐패시터 또는 접지로 흐르는 전류의 값이 증가하여 시간당 흐르는 전류의 값이 커지게 됨으로써, 출력데이터에 노이즈가 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 전원전압 검출신호(DV1),(DV2)에 따라 입력되는 제어신호(CTL)와 입력신호(/OE, /WE, /CS)를 소정조합한 후, 서로 다른 지연경로를 통해 다수의 출력버퍼 인에이블신호(ODE1),(ODE2),(ODE3)를 발생시키는 인에이블신호 발생부(100)와; 상기 각 출력버퍼 인에이블신호(ODE1),(ODE2),(ODE3)와 입력데이터(DIN) 각각을 조합한 후, 그 조합한 신호에 따라 순차적으로 출력단을 인에이블시켜 천이되는 구간에의 시간당 전류의 변화량이 작은 출력데이터(DOUT)를 출력하는 출력버퍼부(200)로 구성하여 전원전압의 증가에 따른 피크전류의 증가로 인해 출력데이터에 잡음이 발생하는 것을 방지하여 잡음특성을 향상시키는 효과가 있다.

96. 实用新型

KR200122313Y1 출력 버퍼 失效
标题翻译：输出缓冲器
公开(公告)号：KR200122313Y1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR2019950005499
申请日：1995-03-25
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 차형훈
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/094
摘要： 본 고안은 출력버퍼에 관한 것으로, 특히 출력레벨 선택신호에 의하여 그 출력을 변화시킴으로써 시모스(CMOS) 레벨 출력버퍼 및 티티엘(TTL) 레벨 출력버퍼의 특성을 모두 갖도록 하는 출력버퍼에 관한 것으로, 종래의 출력버퍼는 한번 집적회로화하면 스윙전압폭이 고정되어 이러한 출력버퍼를 사용한 회로의 응용범위가 변하여 또다른 출력 스윙전압폭을 필요로할 때 그 특성에 맞게 재설계해야하는 번거러운 문제점이 있었으나, 본 고안의 출력버퍼는 출력레벨 선택신호가 입력되면 그에대한 전압레벨을 결정하여 출력하는 출력전압 결정부와, 상기 출력전압 결정부의 출력전압을 인가받아 입력전압의 전위레벨에 대해 반전된 전위레벨을 출력하는 인버터로 구성함으로써, 출력레벨 선택신호에 의하여 출력버퍼의 특성에 맞게 그 출력을 변화시켜 집 적회로화하였더라도 시모스(CMOS) 레벨 출력버퍼 및 티티엘(TTL) 레벨 출력버퍼의 특성을 모두 갖도록 하여 또다른 출력 스윙폭이 요구될 시 그때의 상황에 맞게 적절히 적용할 수 있는 효과가 있게 된다.

97. 发明公开

KR1019980078066A 프로그램 가능한 스위치를 가지는 반도체 메모리 장치의 출력버퍼 无效
标题翻译：一种具有可编程开关的半导体存储器件的输出缓冲器
公开(公告)号：KR1019980078066A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970015460
申请日：1997-04-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박주원
IPC分类号： G11C16/06 , H03K19/094
摘要： 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리 장치 제조
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
출력 로드 값에 따라 출력 구동기의 크기가 적절하지 못할 경우, 특히 출력 로드에 비하여 출력 구동기의 크기가 클 경우에는 출력 구동기의 스윙(swing)이 매우 빠르게 되어 그 만큼 출력 오동작(glitch)이 발생하며, 노이즈(noise)에 의해 영향을 받게 되는 문제점이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 프로그램 가능한 스위치(programmable switch)를 사용함으로써 출력 로드에 따라 출력 구동기의 크기를 제어할 수 있는 플래시 메모리 장치의 출력 버퍼를 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
플레시 메모리 장치의 출력 구동기에 이용됨.

98. 发明授权

KR100124141B1 반도체 메모리장치의 데이타 출력 버퍼회로 失效
标题翻译：半导体数据输出缓冲电路
公开(公告)号：KR100124141B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019940038507
申请日：1994-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유승문 , 유제환
IPC分类号： H03K19/094
CPC分类号： G11C7/1057 , G11C7/1051 , H03K19/00315
摘要： [청구범위에 기재된 발명이 속한 분야]
반도체 메모리 장치의 데이타 출력 버퍼회로
[발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
데이타 출력버퍼회로의 하이 임피던스 상태의 동작 안정화
[발명의 해결 방법의 요지]
제1전압과 상기 출력 노드 사이에 연결되며 상기 제1입력노드에 제어단이 연결되는 제1 스위칭 수단과, 상기 출력노드와 제2저납 사이에 연결되며 상기 제2입력 노드에 제어단이연결되는 제2스위칭 수단과, 상기 제1입력 노드와 출력노드 사이에 연결되며 제어단이 상기 제2전압에 연결되는 제3스위칭 수단과, 상기 제1노드와 제2전압 사이에 연결되며 상기 전압검출수단의 출력 및 출력 제어신호에 제어단들이 연결되는 제4스위칭 수단을 구비하는 데이타 출력 버퍼회로에서 출력 노드의 전압 레벨을 검출하는 수단을 구비하고, 상기 전압검출 수단이 하이 임피던스 상태에서 음전압검출시 상기 제3스위칭 수단 및 제4스위칭 수단에 의해 상기 제1스위칭 수단의 전류통로를 제어하고 양전압 검출시 상기 제4스위칭 수단을 제어하여 상기 제3스위칭 수단을 � ��어하여 상기 제1스위칭 수단의 전류통로를 제어함.
[발명의중요한 용도]
데이타 출력버퍼회로에서 하이 임피던스 상태일 시 출력을 안정화시킴.

99. 发明公开

KR1019980058182A 데이타 출력버퍼 失效
公开(公告)号：KR1019980058182A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960077494
申请日：1996-12-30
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 정태형
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 본 발명은 반도체회로에 적용되는 데이타 출력버퍼의 설계기술에 관한 것으로, 종래의 데이타 출력버퍼에 있어서는 외부 노드가 하이-임피던스 상태로 되는 경우 출력단 풀업용 엔모스의 구동 시점이 소정 시간 지연되어 그만큼 데이타의 출력속도가 늦어지게 되는 결함이 있었다.
따라서, 본 발명은 이를 해결하기 위하여, 각종 제어신호(CASB),(RASB),(DOE),(WEB)를 이용하여 제어신호(CS)를 발생하는 제어신호 출력부(41)와; 상기 제어신호(CS)의 제어를 받아 데이타가 출력되기 전에 데이타 풀업신호(DODP)와 입출력패드(I/O PAD)의 전위를 동일하게 한 후 상기 풀업/다운신호(DODP),(DODN)에 따라 입출력패드(I/O PAD)측에 데이타를 출력하는 데이타 출력부(44)를 포함하여 구성한 것이다.

100. 发明公开

KR1019980054516A 출력잡음에 의한 오동작을 배제하는 입력버퍼 失效
标题翻译：输入缓冲器，消除输出噪音引起的故障
公开(公告)号：KR1019980054516A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960073679
申请日：1996-12-27
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 양철환
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 본 발명은 큰 부하를 구동하는 출력신호를 내보내기 위해 출력 구동기를 구비한 반도체 집적회로 등에 적용되는 입력버퍼에 관한 것으로, 특히 출력잡음에 의한 오동작을 배재하는 입력버퍼에 관한 것으로, 본 발명은 출력잡음에 의한 오동작이 주로 유발되는 입력버퍼회로의 동작상태에 따라 선택적으로 작동하는 선택적 궤환경로를 추가함으로써 출력잡음이 발생하는 조건에서만 입력버퍼에서 입력을 로우(L)로 인식하는 최대의 입력전압값 한계(Vil)와 입력을 하이(H)로 인식하는 최소의 입력전압값 한계(Vih)를 강화하되, 출력잡음이 발생하는 동작조건에서만 입력버퍼의 궤환 경로가 인에이블되도록 하여, 출력잡음이 발생하지 않는 동작조건에서는 입력버퍼의 Vil 및 Vih값에 영향을 주지 않으면서, 출력잡음이 발생하는 동작조건에서만 선택적으로 � ��기 입력버퍼의 Vil 및 Vih를 강화하므로써, 출력잡음에 의한 오동작을 배제하는 것이다.

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