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91. 发明授权

KR100643628B1 다결정 실리콘 연마용 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 有权
标题翻译： 다결정실리콘연마용CMP슬러리조성물및이의제조방
公开(公告)号：KR100643628B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050105280
申请日：2005-11-04
申请人： 제일모직주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 정재훈 , 이인경 , 최원영 , 이태영 , 양지철
IPC分类号： C09K3/14
摘要： Provided are a CMP slurry composition for polishing polycrystalline silicon which is improved in polishing uniformity and selectivity by reducing the surface defect of a wafer, and its preparation method. The CMP slurry composition comprises a metal oxide; a quaternary ammonium base compound; and 0.001-1 wt% of a fluorine-based surfactant represented by CF3(CF2)nSO2X, wherein n is 1-20; X is COOR, RO, (OCH2CH2)n' or (OCH2CH(OH)CH2)n'; R is a C1-C20 alkyl group; and n' is 1-100. Preferably the metal oxide is at least one selected from the group consisting of SiO2, Al2O3, CeO2, ZrO2 and TiO2 and has a primary particle size of 10-200 nm and a specific surface area of 10-300 m^2/g; and the quaternary ammonium base compound is at least one selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide.
摘要翻译：本发明提供一种用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物，其通过减少晶片的表面缺陷而提高抛光均匀性和选择性，及其制备方法。 CMP浆料组合物包含金属氧化物; 季铵碱化合物; 和0.001-1重量％的由CF 3（CF 2）n SO 2 X表示的氟基表面活性剂，其中n为1-20; X是COOR，RO，（OCH 2 CH 2）n'或（OCH 2 CH（OH）CH 2）n'; R是C1-C20烷基; 和n'是1-100。优选金属氧化物为选自SiO 2，Al 2 O 3，CeO 2，ZrO 2和TiO 2中的至少一种，其一次粒径为10-200nm，比表面积为10-300平方公尺/ g; 并且季铵碱化合物是选自氢氧化四甲基铵，氢氧化四乙基铵，氢氧化四丙基铵和氢氧化四丁基铵中的至少一种。

92. 发明授权

KR100636994B1 표면이하 결함을 개선하는 실리콘 웨이퍼 경면연마용슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于降低硅片表面损伤的浆料组成
公开(公告)号：KR100636994B1
公开(公告)日：2006-10-20
申请号：KR1020040067829
申请日：2004-08-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이태영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 유기산 또는 그의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 마이크로 스크래치(Microscratch) 등의 물리적 표면결함을 제거하고, 마이크로 러프니스(Microroughness)를 낮추어 웨이퍼의 표면이하 결함을 크게 개선할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 슬러리 조성물

93. 发明授权

KR100627589B1 결함 발생률이 낮은 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有低缺陷发生率的CMP浆料及其相同方法
公开(公告)号：KR100627589B1
公开(公告)日：2006-09-25
申请号：KR1020040118081
申请日：2004-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 정재훈 , 이인경 , 최원영
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 금속산화물, 수산화 화합물, 유기 화합물 및 초순수를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 지방산과 식물성 오일이 포함된 계면활성제를 0.01 내지 1 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 CMP 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 의하면, CMP 슬러리 조성물 제조시에 지방산(Fatty acid) 및 식물성 오일(vegetable type oil) 이 포함된 계면활성제를 첨가하고, 상온에서 12시간 이상 안정화 공정을 거침으로서 CMP 공정의 결함 발생률을 낮추고, 연마 균일도를 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
CMP, 슬러리, 금속산화물, 수산화 화합물, 유기 화합물, 지방산(Fatty acid) 와 식물성 기름(vegetable type oil)이 포함된 계면활성제

94. 发明授权

KR100611466B1 구리 배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 有权
标题翻译：用于抛光Cu线的CMP浆料
公开(公告)号：KR100611466B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020030100337
申请日：2003-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 정재훈 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알루미나가 함침된 콜로이드성 금속산화물, 선택비 향상제, 산화제, 유/무기산, 폴리에틸렌 글리콜 및 탈이온수를 포함하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로 본 발명의 CMP 슬러리를 사용하면 연마 성능 및 선택비를 개선하는 효과를 제공할 수 있다.
구리 배선, CMP 슬러리, 알루미나 함침, 선택비 향상제, 산화제, 폴리에틸렌 글리콜, 연마 선택비

95. 发明公开

KR1020060078762A 결함 발생률이 낮은 ＣＭＰ 슬러리 조성물 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有低缺陷发生率的CMP浆料组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060078762A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040118081
申请日：2004-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 정재훈 , 이인경 , 최원영
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02
摘要： 본 발명은 금속산화물, 수산화 화합물, 유기 화합물, 지방산(Fatty acid)와 식물성 오일(vegetable type oil)이 포함된 계면활성제, 및 초순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 CMP 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 의하면, CMP 슬러리 조성물 제조시에 지방산(Fatty acid) 및 식물성 오일(vegetable type oil) 이 포함된 계면활성제를 첨가하고, 상온에서 12시간 이상 안정화 공정을 거침으로서 CMP 공정의 결함 발생률을 낮추고, 연마 균일도를 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
CMP, 슬러리, 금속산화물, 수산화 화합물, 유기 화합물, 지방산(Fatty acid) 와 식물성 기름(vegetable type oil)이 포함된 계면활성제
摘要翻译：本发明涉及一种CMP浆料组合物包括金属氧化物，氢氧化物化合物，有机化合物，脂肪酸（脂肪酸）和植物油（植物油型）的表面活性剂包括，和超纯水。

96. 发明授权

KR100558259B1 실리콘 웨이퍼 경면연마용 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于抛光硅晶片的浆料组合物
公开(公告)号：KR100558259B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030084065
申请日：2003-11-25
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 이를 이용한 경면연마 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평균 입경이 10-200nm인 콜로이드 실리카, 아크릴레이트 또는 암모늄염과 공중합된 폴리피롤리돈 공중합체, TMAH, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 상기 연마용 슬러리를 2차 연마 단계에서 사용하는 것을 특징으로 하는 다단계 경면연마 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 연마용 슬러리를 사용하여 경면연마 공정을 수행하면 미크론 단위 이하의 LPD(submicron LPD)가 크게 감소되는 효과를 제공할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 실리카. 폴리피롤리돈 공중합체, TMAH, pH조절제

97. 发明授权

KR100549714B1 반도체 웨이퍼 후면연마용 슬러리의 조성물 有权
标题翻译：半导体晶片背面研磨用浆料的组成
公开(公告)号：KR100549714B1
公开(公告)日：2006-02-07
申请号：KR1020040062155
申请日：2004-08-06
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 노현수 , 박태원 , 이인경
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 후면(back side)에 대한 연마 슬러리에 관한 것으로, 상세하게는 평균 입경이 50-150nm인 콜로이드 실리카졸, 고리형 질소화합물, 4급암모늄염기 및 아민류, pH 조절제, 수산기 이온의 완충작용제 및 탈이온수를 포함하는 슬러리에 관한 것이다.
본 발명은 PVC 보호막과 반응 비활성이며, 연마속도를 높이고 연마 후 표면에 스테인(stain) 잔류가 없도록 세정성을 크게 개선한 연마용 슬러리 조성물로서, 특히 패킹 신뢰성을 크게 개선한 조성물을 제공한다.
반도체 웨이퍼, 후면 연마, 콜로이드 실리카, 아민류, 연마 슬러리
摘要翻译：本发明涉及在背面（背侧），特别是在胶态二氧化硅溶胶用于半导体晶片的抛光浆料，环状氮化合物，季铵盐基团和胺，pH调节剂，具有50-150nm的平均粒径的氢氧根离子缓冲剂和去离子水。

98. 发明公开

KR1020050058726A 반도체 디바이스의 산화막 연마용 ＣＭＰ 슬러리 失效
标题翻译：用于半导体器件抛光氧化膜的CMP浆料
公开(公告)号：KR1020050058726A
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020030090687
申请日：2003-12-12
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 오창일 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/24 , C01P2004/60 , C01P2004/64 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 본 발명은 반도체 디바이스의 산화막 연마용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물, 알칼리 염기, 사급알킬질소화합물, 글리콜에테르, 분산안정제 및 탈이온수를 포함하는 반도체 디바이스의 산화막 연마용 CMP 슬러리에 관한 것이며, 본 발명의 연마용 슬러리는 매우 우수한 분산안정성을 가지므로 반도체 절연층의 CMP 공정시 연마제 입자의 응집으로 인한 μ-스크래치성 LPD의 발생률을 감소시킴과 동시에 매우 우수한 연마속도 및 침하속도 개선을 달성할 수 있다.

99. 发明公开

KR1020050018361A 분산안정성을 개선한 금속배선 연마용 ＣＭＰ 슬러리 失效
标题翻译：具有改进的抛光稳定性的CMP浆料用于抛光金属接线
公开(公告)号：KR1020050018361A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：KR1020030055759
申请日：2003-08-12
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김원래 , 이재석 , 강동헌 , 라정인 , 이인경 , 이길성
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: Provided is CMP slurry having uniform polishing performance and dispersion stability useful for enhancing polishing speed and flatness of surface of metallic wirings in CMP process. CONSTITUTION: The composition comprises 0.1-25 wt.% of metal oxide fine powder, 0.1-10 wt.% of peroxides, 0.001-0.1 wt.% of inorganic acid, 0.01-10 wt.% of carboxylic acid, 0.001-0.5 wt.% of metal complex, 0.001-0.1 wt.% of tetramethylammonium hydroxide(TMAH) as pH controller and the balance of deionized water. TMAH preferably improves slurry stability, thereby ensuring polishing reproduction and reduction of scratch. The carboxylic compound increase polishing velocity and optimize use of peroxides and organic oxidant to prevent corrosion or seam during CMP process.
摘要翻译：目的：提供具有均匀抛光性能和分散稳定性的CMP浆料，其用于提高CMP工艺中金属配线表面的抛光速度和平坦度。组成：组合物包含0.1-25重量％的金属氧化物细粉，0.1-10重量％的过氧化物，0.001-0.1重量％的无机酸，0.01-10重量％的羧酸，0.001-0.5重量％％的金属络合物，0.001-0.1重量％的四甲基氢氧化铵（TMAH）作为pH控制器，余量为去离子水。 TMAH优选提高浆料稳定性，从而确保抛光再生和减少划痕。羧化合物增加抛光速度，并优化使用过氧化物和有机氧化剂，以防止CMP过程中的腐蚀或接缝。

100. 发明公开

KR1020040057045A 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于硅波最终抛光的浆料组合物
公开(公告)号：KR1020040057045A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020020079245
申请日：2002-12-12
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박태원 , 노현수 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A slurry composition for the final polishing of a silicon wafer is provided, to improve the dispersion stability of a polymer cellulose used as a thickener and a polishing particle, and polishing quality by reducing the generation of surface defect. CONSTITUTION: The slurry composition comprises 0.25-20 wt% of silica; 0.1-5.0 wt% of a pH controller; 0.05-1 wt% of an organic base; 0.02-2 wt% of a thickener; 0.03-0.5 wt% of a nonionic surfactant represented by RN(R'O)m(R'O)nH (wherein R is an alkyl group of C5-C20, R' and R' are ethylene, and m+n is 5-100) and/or a nonionic surfactant represented by R(R'O)nR' (wherein R is an alkyl group of C5-C15, R' is ethylene, R' is a methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl or t-butyl group, and n is 5-30); and the balance of deionized water. Preferably the silica is a colloidal silica or fumed silica having a primary particle size of 30-50 nm, a secondary particle size of 60-80 nm and an average diameter of 35-80 nm; the pH controller is ammonia; the final pH of the slurry is 10.5-12.0; and the thickener is a cellulose having a molecular weight of 100,000-1,500,000.
摘要翻译：目的：提供用于硅晶片的最终抛光的浆料组合物，以提高用作增稠剂和抛光颗粒的聚合物纤维素的分散稳定性，并且通过减少表面缺陷的产生来提高抛光质量。构成：浆料组合物包含0.25-20重量％的二氧化硅; 0.1-5.0重量％的pH控制剂; 0.05-1重量％的有机碱; 0.02-2重量％的增稠剂; 0.03〜0.5重量％的由RN（R'O）m（R'O）nH表示的非离子表面活性剂（其中R为C5-C20烷基，R'和R'为乙烯，m + n为5 -100）和/或由R（R'O）nR'表示的非离子表面活性剂（其中R是C 5 -C 15的烷基，R'是乙烯，R'是甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基或叔丁基，n为5-30）; 和去离子水的平衡。优选地，二氧化硅是一次粒径为30-50nm，二次粒径为60-80nm，平均直径为35-80nm的胶体二氧化硅或热解二氧化硅; pH控制器是氨; 浆料的最终pH为10.5-12.0; 并且增稠剂是分子量为100,000-1,500,000的纤维素。

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