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热词
    • 91. 发明授权
    • 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
    • 用于液晶显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法
    • KR100740930B1
    • 2007-07-19
    • KR1020000063245
    • 2000-10-26
    • 삼성전자주식회사
    • 정창오김상갑노남석
    • G02F1/136
    • 절연 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 그 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층이 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉층 위에 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 그 위에 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 드러내는 접촉 구멍을 갖는 보호막이 형성되어 있고, 그 위에 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드가 형성되어 있다. 이때, 배선은 하부의 은 합금막과 상부의 IZO막으로 이루어진 이중막으로 형성되어 있다. 이와 같이, 배선이 은 합금과 같은 저저항 금속으로 형성되어 있어 배선의 저항을 줄일 수 있으며, IZO막은 보호막에 패드를 드러내는 접촉 구멍을 형성할 때 패드가 식각되는 것을 방지하며, 데이터 배선을 형성한 후 채널부의 저항성 접촉층을 제거할 때 데이터 배선이 식각되는 것을 방지한다.
      은 합금, IZO
    • 包括栅极线,栅极电极和栅极焊盘的栅极布线形成在绝缘基板上。 并且在其上顺序形成栅极绝缘膜,半导体层和欧姆接触层。 包括数据线,源电极,漏电极和数据焊盘的数据线形成在欧姆接触层上。 在其上形成具有用于分别暴露漏电极,栅极焊盘和数据焊盘的接触孔的保护膜,并且在其上形成像素电极,辅助栅极焊盘和辅助数据焊盘。 此时,布线由下侧的银合金膜和上侧的IZO膜构成的双层膜形成。 以这种方式,布线在这里形成为低电阻金属如合金,并且可以降低布线的电阻,并防止焊盘被蚀刻以形成接触孔,露出垫,所述IZO膜是保护膜,以形成数据线 由此在去除后沟道部分的欧姆接触层时防止数据线被蚀刻。
    • 92. 发明授权
    • 표시 장치용 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 액정표시 장치
    • 用于显示装置的基板,其制造方法和具有该显示装置的液晶显示装置
    • KR100706746B1
    • 2007-04-11
    • KR1020030088882
    • 2003-12-09
    • 삼성전자주식회사
    • 노남석서종현김보성홍문표
    • G02F1/1333
    • 단순화된 공정으로 제조할 수 있는 표시 장치용 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 액정 표시 장치가 개시된다. 단순화된 공정으로 제조할 수 있는 표시 장치용 기판은 투명 기판, 투명 기판 상에 형성되고 광에 의하여 활성화된 영역을 포함하는 감광성막 및 광에 의하여 활성화된 영역 상에 형성된 금속을 포함한다. 광에 의하여 활성화된 영역은 감광성막 상에 일정한 간격으로 형성되며, 감광성막 상의 광에 의하여 활성화된 영역 및 금속이 광을 차단하는 블랙 매트릭스로 역할을 한다. 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 감광성막을 노광하면 감광성막의 일부가 일정한 간격으로 활성화된다. 광에 의하여 활성화된 영역을 금속 이온을 포함하는 용액에 침지시키면 단순한 산화 환원 반응에 의하여 광에 의하여 활성화된 영역 상에 금속이 석출된다. 따라서 막을 형성한 후 패터닝하는 단계를 포함하지 않으므로 제조 공정이 단순화된다. 또한 제조시에 환경에 유해한 크롬을 사용하지 않으므로 환경 문제를 일으키지 않는다.
    • 94. 发明公开
    • 액정표시장치의 제조방법
    • LIQIUD晶体DSPLL的制造方法
    • KR1020060129786A
    • 2006-12-18
    • KR1020050050438
    • 2005-06-13
    • 삼성전자주식회사
    • 장재혁홍문표노남석박대진
    • G02F1/136
    • H01L27/12H01L27/1248
    • A method for manufacturing an LCD is provided to simultaneously form a relief embossing pattern on a passivation layer and a drain contact hole in the passivation layer, by using a mold having an intaglio embossing pattern corresponding to the relief embossing pattern and a protrusion corresponding to the drain contact hole. A gate line and a data line cross each other to define a pixel region above an insulating substrate(110). A thin film transistor(T) is formed at a crossing region of the gate line and the data line, wherein the thin film transistor includes a drain electrode(163). An organic passivation layer(170) is formed on the thin film transistor. A mold, which has an intaglio embossing pattern corresponding to the pixel region and a protrusion corresponding to the drain electrode, is pressurized on the organic passivation layer, thereby forming a relief embossing pattern on the passivation layer and a drain contact hole(171) for exposing the drain electrode in the passivation layer. A pixel electrode(180) is connected to the drain electrode through the contact hole.
    • 提供了一种用于制造LCD的方法,以通过使用具有对应于浮雕压花图案的凹版印花图案的模具和对应于凸版压花图案的突起来同时在钝化层上的钝化层和漏极接触孔上形成浮雕压花图案 漏极接触孔。 栅极线和数据线彼此交叉以限定绝缘衬底(110)上方的像素区域。 薄膜晶体管(T)形成在栅极线和数据线的交叉区域,其中薄膜晶体管包括漏电极(163)。 在薄膜晶体管上形成有机钝化层(170)。 具有对应于像素区域的凹版印花图案和对应于漏电极的突起的模具在有机钝化层上被加压,从而在钝化层上形成浮雕压纹图案,并且具有漏极接触孔(171),用于 将漏电极暴露在钝化层中。 像素电极(180)通过接触孔与漏电极连接。
    • 95. 发明授权
    • 배선의 접촉 구조 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
    • 配线的接触结构及其制造方法,包括其的薄膜晶体管基板及其制造方法
    • KR100656908B1
    • 2006-12-12
    • KR1020000043827
    • 2000-07-28
    • 삼성전자주식회사
    • 노남석
    • H01L29/786
    • 먼저, 알루미늄 계열의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성하고 초순수를 전기 분해한 기능수를 사용하여 게이트 배선을 세정한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 크롬 등의 금속을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성하고 기능수를 사용하여 데이터 배선을 세정한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드 표면의 반응층을 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이어 IZO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 전기적으로 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
      알루미늄, IZO, 접촉저항, 기능수, 초순수, 전기분해
    • 首先,堆叠的导电材料的铝为基础的和图案化以形成在横向上包括栅极线,栅电极,并通过使用的超纯水的电分解的官能团的数目来清洁栅极布线衬底上的栅极焊盘的栅布线。 接下来,形成栅极绝缘膜,并且在栅极绝缘膜上依次形成半导体层和欧姆接触层。 然后,通过层叠金属如铬,并且通过数据线交叉的栅线,源电极图案化,形成包括漏极电极和数据焊盘的数据线,以及使用该官能水进行清洗与数据线。 然后,将保护膜层叠并图案化以形成分别暴露漏电极,栅极焊盘和数据焊盘的表面的反应层的接触孔。 然后,IZO被堆叠并图案化以分别形成电连接到漏电极,栅极焊盘和数据焊盘的像素电极,辅助栅极焊盘和辅助数据焊盘。
    • 99. 发明公开
    • 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
    • TFT基板
    • KR1020030042081A
    • 2003-05-28
    • KR1020010072593
    • 2001-11-21
    • 삼성전자주식회사
    • 김상갑홍문표유승희노남석
    • G02F1/136
    • PURPOSE: A thin film transistor substrate is provided to prevent the generation of an oxide film between wires formed of aluminum or aluminum alloy and an IZO film by forming a contact reinforcement layer therebetween, thereby minimizing the contact resistance in contact parts. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes gate wires formed on an insulating substrate traversely with gate lines and gate electrodes, a gate insulating film formed on the gate wires, data wires formed on the gate insulating film longitudinally with data lines and source and drain electrodes, pixel electrodes(822) formed with contact reinforcing layers and a transparent conductive film in pixel areas defined by intersection between gate and data wires, and thin film transistors connected to the gate and data wires and the pixel electrodes. The drain electrodes(66) are connected to the pixel electrodes via first contact holes(76) of a protecting film(70) formed between the data wires and the pixel electrodes, and the drain electrodes contact the contact reinforcement layer(821) in the first contact holes.
    • 目的:提供一种薄膜晶体管基板,以通过在其间形成接触加强层来防止在由铝或铝合金形成的导线和IZO膜之间产生氧化膜,从而使接触部分中的接触电阻最小化。 构成:薄膜晶体管基板包括在绝缘基板上横切地形成有栅极线和栅电极的栅极线,栅极布线上形成的栅极绝缘膜,纵向与栅极绝缘膜形成的数据线,数据线和源极和漏极 形成有接触加强层的像素电极(822)和由栅极和数据布线之间的交点限定的像素区域中的透明导电膜以及连接到栅极和数据线以及像素电极的薄膜晶体管。 漏电极(66)通过形成在数据线和像素电极之间的保护膜(70)的第一接触孔(76)连接到像素电极,漏电极与接触加强层(821)接触 第一接触孔。