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    • 96. 发明公开
    • 자기저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 비트에 대한 딜레이 기반의 판독 시스템
    • 用于磁阻随机访问存储器(MRAM)位的基于延迟的读取系统
    • KR1020160073312A
    • 2016-06-24
    • KR1020150177081
    • 2015-12-11
    • 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드
    • 스미스마이클에이.
    • G11C11/16G11C7/10
    • G11C11/1673G11C11/1693G11C13/0002G11C13/004G11C13/0061G11C2013/0054
    • 일례에있어서, 본개시내용은제어모듈을포함하는메모리시스템에관한것이다. 메모리시스템은, 각각제어모듈로부터제어신호를수신하는제1 회로와제2 회로를더 포함한다. 각각의회로는레지스터(MRAM 소자또는고정형레지스터)와, 그레지스터와기준전압사이에배치된커패시터를포함한다. 제1 회로는제1 커패시터가충전된후에데이터신호를출력하도록구성된다. 제2 회로는제2 커패시터가충전된후에기준신호를출력하도록구성된다. 메모리회로는아비터를더 포함하며, 이아비터는제1 회로로부터의데이터신호와제2 회로로부터의기준신호를수신하고, 데이터신호가기준신호보다먼저도달하였는지를결정하며, 먼저도달한것이데이터신호인지또는기준신호인지에관한결정에기초하여 MRAM가하이상태인지또는로우상태인지를결정한다.
    • 在一个示例中,本发明涉及包括控制模块的存储器系统。 存储系统还包括第一电路和第二电路,其中第一电路和第二电路中的每一个接收来自控制模块的控制信号。 每个电路包括电阻器(MRAM元件或固定电阻器)和布置在电阻器和参考电压之间的电容器。 第一电路被配置为在第一电容器充电之后输出数据信号。 第二电路被配置为在第二电容器充电之后输出参考信号。 存储器系统还包括被配置为从第一电路接收数据信号和来自第二电路的参考信号的仲裁器,确定数据信号是否在参考信号之前到达,并且确定MRAM是处于高还是低状态 基于关于数据信号或参考信号是否已经到达的确定。