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1. 发明公开

KR1020150055596A 다중양자우물 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译： MUTLIPLE量子阱半导体发光元件
公开(公告)号：KR1020150055596A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020140158114
申请日：2014-11-13
申请人： 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드
发明人： 야마네타카요시
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/325 , H01S5/2009 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 반도체발광소자는 n형반도체층; 상기 n형반도체층에형성되고제 1 반도체층과상기제 1 반도체층의밴드갭보다밴드갭이더 큰조성물을포함한제 2 반도체층이반복적으로형성된초격자구조층; 초격자구조층의제 2 반도체층에형성된제 1 제어층과상기제 1 제어층에형성된제 2 제어층을포함한전자주입제어층; 및제 2 제어층에형성되고반복적으로형성된장벽층과양자우물층을포함한 MQW 발광층을포함한다. 제 1 제어층은초격자구조층의제 2 반도체층의밴드갭보다밴드갭이더 작은조성물을갖는다. 제 2 제어층은 MQW 발광층의양자우물층의조성물및 층두께와같거나더 작은조성물및 층두께를갖는다.
摘要翻译：半导体发光元件包括n型半导体层; 形成在n型半导体层上并具有第一半导体层和第二半导体层的结构的超晶格结构层被重复形成，该第一半导体层和第二半导体层包括其间隙大于第一半导体层的复合带; 电子注入控制层，其包括形成在所述超晶格结构层的第二半导体层上的第一控制层和形成在所述第一控制层上的第二控制层; 以及MQW发光层，其形成在第二控制层上并且包括重复形成阻挡层和量子阱层的结构。第一控制层具有其带隙小于超级晶格结构层的第二半导体的带隙的复合物。第二控制层的厚度与MQW发光层的量子阱层的复合体的厚度相同或小于其。

2. 发明公开

KR1020130090797A ＧａＮ 에지 방출 레이저의 개선된 평면 无效
标题翻译： GAN EDGE发射激光增强平面
公开(公告)号：KR1020130090797A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020127033871
申请日：2011-05-26
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바트,라자람
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3201 , B82Y20/00 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따라서, GaN 에지 방출 레이저는, 반극성 GaN 기판, 활성 영역, N-측면 광도파로 층, P-측면 광도파로 층, N-형 클래딩 층, 및 P-형 클래딩 층을 포함하여 제공된다. GaN 기판은 결정 성장 평면 및 활주 평면을 정의한다. N-측면 광도파로 층 및 P-측면 광도파로 층은 GaInN/GaN 또는 GaInN/GaInN 초격자(SL) 광도파로 층을 포함한다. N-측면 및 P-측면 SL 광도파로 층들의 초격자 층들은 광도파로 평면에 대해 최적화된 각각의 층 두께를 정의하고, 상기 층 두께는 1 nm 내지 5 nm이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따라서, 평탄화는 N-측면 및 P-측면 GaN계 광도파로 층들이 약 0.09 nm/s을 초과하는 성장 속도로 성장되는 것을 확보함으로써 증가될 수 있되, N-측 및 P-측면 GaN계 광도파로 층들이 GaInN/GaN 또는 GaInN/GaInN SL로서, 또는 벌크 광도파로 층들로서 제공되는 여부와 상관없이 그러하다. 추가적인 실시예들에서, 평탄화는 최적의 SL 층 두께 및 성장 속도를 선택함으로써, 증가될 수 있다. 추가적인 실시예들은 개시되고 주장된다.

3. 发明授权

KR101199114B1 반도체 레이저 소자 有权
公开(公告)号：KR101199114B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020050018228
申请日：2005-03-04
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 마쯔무라히로아끼 , 고따니야스히사
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/1017 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/12
摘要： 반도체 레이저에는, 기판(101)의 주면(主面) 상에 제1 도전형의 반도체층(200)과, 활성층(205)과, 제2 도전형의 반도체층(210)과, 제2 도전형의 반도체층(210)에서 스트라이프 모양의 영역에 전류를 협착함으로써 형성된 도파로 영역(10)과, 도파로 영역(10)에 대하여 대체로 수직인 단면에 설치된 공진면(20)이 구비되어 있다. 공진면(20)에 근접하는 영역에서, 도파로 영역(10)으로부터 이간하여, 제2 도전형의 반도체층(210)에 복수의 오목부(110)가 형성되어 있다.
반도체 레이저, 반도체층, 기판, 도파로 영역, 공진면, 오목부

4. 发明公开

KR1020100027193A ＡＬＮ 기판 위의 ＧＡＮ 레이저 및 그 제조 방법 无效
标题翻译： GAN激光器在ALN基板和制造方法
公开(公告)号：KR1020100027193A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020097027670
申请日：2008-05-28
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바트,라자람 , 나피랄라,제롬 , 시조프,드미트리 , 자,충-인
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/343 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3216 , H01S2301/173
摘要： Ga(In)N-based laser structures and related methods of fabrication are proposed where Ga (In)N-based semiconductor laser structures are formed on AlN or GaN substrates (20) in a manner that addresses the need to avoid undue tensile strain in the semiconductor structure. In accordance with one embodiment of the present invention, a Ga (In)N-based semiconductor laser is provided on an AlN or GaN substrate provided with an AlGaN lattice adjustment layer (30) where the substrate (20), the lattice adjustment layer (30), the lower cladding region (60), the active waveguiding region (40), the upper cladding region (50), and the N and P type contact regions (70, 60) of the laser form a compositional continuum in the semiconductor laser. Additional embodiments are disclosed and claimed.
摘要翻译：提出了Ga（In）N基激光器结构及相关的制造方法，其中以Al（N）或GaN衬底（20）形成Ga（In）N基半导体激光器结构，其方式是避免不必要的拉伸应变半导体结构。根据本发明的一个实施例，在设置有AlGaN晶格调整层（30）的AlN或GaN衬底上设置Ga（In）N基半导体激光器，其中衬底（20），晶格调整层 30），激光的下包层区域（60），有源波导区域（40），上包层区域（50）以及N和P型接触区域（70,60）形成半导体中的组成连续体激光。公开并要求保护附加实施例。

5. 发明授权

KR100813750B1 레이저 다이오드 및 그 제조 방법과 발광 다이오드 有权
标题翻译：激光二极管及其制造方法和发光二极管
公开(公告)号：KR100813750B1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：KR1020060065182
申请日：2006-07-12
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다찌바나고이찌 , 사이또신지 , 누노우에신야
IPC分类号： H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
摘要： 본 발명은 신뢰성이 높은 반도체 소자를 제공하는 것을 가능하게 하는 것을 목적으로 하는 것으로, 기판과, 기판 상에 형성된 제1 도전형 클래드층과, 제1 도전형 클래드층 상에 형성된 제1 도전형 가이드층과, 제1 도전형 가이드층 상에 형성된 활성층과, 활성층 상에 형성된 제2 도전형 가이드층과, 제2 도전형 가이드층 상에 형성된 제2 도전형 클래드층을 갖고, 층의 각각이 질화물계 Ⅲ-V족 화합물 반도체로 이루어지는 다층막과, 활성층의 출사면 상에 형성된 질화물로 이루어지는 제1 보호층과, 제1 보호층 상에 형성되고 상기 제1 보호층과 굴절율이 서로 다른 질화물로 이루어지는 제2 보호층을 구비하고 있다.
p형 클래드층, 팔라듐, 공진기, 레이저 다이오드, 밴드 갭 에너지

6. 发明公开

KR1020070095216A 질화물 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070095216A
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020070026519
申请日：2007-03-19
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 마스이신고
IPC分类号： H01S5/30 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01S2304/04
摘要： A nitride semiconductor laser device and a manufacturing method thereof are provided to extend a lifetime of the laser diode by effectively reducing a stress, which is applied on an interface between a first protective film and a ridge. A nitride semiconductor laser device includes a substrate(10), nitride semiconductor layers(11,13), a first protective film(16), and an electrode(17). The nitride semiconductor layers are laminated on the substrate and include a ridge(14) on a surface thereof. The first protective film is coated on the nitride semiconductor layers. The electrode is formed on the ridge and the first protective film. The first protective film coats a portion of the nitride semiconductor layer in a contact state. The first protective film coats from a ridge base to a ridge side in a non-contact state. A pore is arranged from the ridge side to the ridge base.
摘要翻译：提供一种氮化物半导体激光器件及其制造方法，通过有效地减小施加在第一保护膜和脊部之间的界面上的应力来延长激光二极管的寿命。氮化物半导体激光器件包括衬底（10），氮化物半导体层（11,13），第一保护膜（16）和电极（17）。氮化物半导体层层压在基板上，在其表面上包括脊（14）。第一保护膜涂覆在氮化物半导体层上。电极形成在脊部和第一保护膜上。第一保护膜以接触状态涂覆氮化物半导体层的一部分。第一保护膜以非接触状态从脊底到脊侧涂覆。从脊侧到脊基部布置有孔。

7. 发明公开

KR1020070008431A 레이저 다이오드 및 그 제조 방법과 발광 다이오드 有权
标题翻译：激光二极管，发射二极管和半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070008431A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020060065182
申请日：2006-07-12
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다찌바나고이찌 , 사이또신지 , 누노우에신야
IPC分类号： H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
摘要： A laser diode, an emitting diode, a semi-conductor device, and a method for manufacturing the same are provided to prevent an oxidation of a protecting film or a contamination of the protecting film with organic and inorganic substances by sending heat generated from an inner part of the semiconductor device to a submount. In a laser diode, a first conductivity-type clad layer is formed on a substrate. A first conductivity-type guide layer(16) is formed on the first conductivity-type clad layer. An activity layer(15) is formed on the first conductivity-type guide layer(16). A second conductivity-type guide layer is formed on the activity layer(15). A second conductivity-type clad layer(18) is formed on the second conductivity-type guide layer. Each of the layers is made of a nitride group III-V compound semi-conductor. A first protecting layer is formed on a light emitting surface of the activity layer(15), and is made of a nitride. A second protecting layer is formed on the first protecting layer, and is made of a nitride of which a refractive index is different from a refractive index of the first protecting layer.
摘要翻译：提供激光二极管，发光二极管，半导体器件及其制造方法，以通过发送从内部产生的热来防止保护膜氧化或保护膜与有机和无机物质的污染半导体器件的一部分到基台。在激光二极管中，在基板上形成第一导电型覆盖层。第一导电型导电层（16）形成在第一导电型覆盖层上。活性层（15）形成在第一导电型引导层（16）上。在活性层（15）上形成第二导电型引导层。在第二导电型引导层上形成第二导电型覆盖层（18）。每个层由氮化物III-V族化合物半导体制成。第一保护层形成在活性层（15）的发光表面上，并由氮化物制成。在第一保护层上形成第二保护层，并且由折射率不同于第一保护层的折射率的氮化物制成。

8. 发明授权

KR100660152B1 질화물반도체소자 有权
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：KR100660152B1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020067017140
申请日：1998-01-08
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 나가하마신이치 , 세노마사유키 , 나카무라슈지
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
摘要： 발광소자를 구비한 질화물반도체소자는 n도전형의 하나 또는 둘 이상의 질화물반도체층의 n형 영역과, p도전형의 하나 또는 둘 이상의 질화물반도체층으로 이루어진 p형 영역과 그리고 n형 영역과 p형 영역사이에 활성층을 구비한다. 상기 소자에 있어서, 상기 p도전형의 반도체 영역 또는 상기 n도전형의 반도체영역의 적어도 하나의 질화물반도체층은 각각 질화물반도체로 이루어지고 서로 조성이 다른 제1층과 제2층이 적층된 초격자층이다. 상기 초격자층 구조는 상기 질화물반도체소자의 작동 전류와 전압을 낮게 할 수 있으므로 질화물반도체소자의 전력효율을 높일 수 있다.
질화물반도체층, 반도체발광소자
摘要翻译：具有发光器件的氮化物半导体器件包括n型导电性的一个或两个或更多个氮化物半导体层的n型区域，p型导电性的一个或更多个氮化物半导体层的p型区域，还有一个区域之间的活动层。在该器件中，p导电类型半导体区域或n导电半导体区域中的至少一个氮化物半导体层是超晶格层，其中由氮化物半导体制成的第一层和第二层，的层。超晶格层结构可以降低氮化物半导体器件的工作电流和电压，从而提高氮化物半导体器件的功率效率。

9. 发明公开

KR1020050085953A 질화물반도체소자 有权
公开(公告)号：KR1020050085953A
公开(公告)日：2005-08-29
申请号：KR1020057012686
申请日：1998-01-08
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 나가하마신이치 , 세노마사유키 , 나카무라슈지
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
摘要： A nitride semiconductor device such as a light emitting device in which an active layer is formed between an n-type semiconductor region consisting of one or more nitride semiconductor layers and a p-type semiconductor region consisting of one or more nitride semiconductor layers, characterized in that at least one of the nitride semiconductor layers of the p-type semiconductor region or the n-type semiconductor region is a super-lattice layer consisting of layer- built 1st layers and 2nd layers made of nitride semiconductors whose compositions are different from each other. By the above mentioned construction, the operating current and operating voltage of the device are lower and the efficiency of the device is improved.
摘要翻译：一种氮化物半导体器件，例如发光器件，其中在由一个或多个氮化物半导体层构成的n型半导体区域和由一个或多个氮化物半导体层构成的p型半导体区域之间形成有源层，其特征在于，所述p型半导体区域或所述n型半导体区域的所述氮化物半导体层中的至少一个是由层构成的第一层和由氮化物半导体构成的第二层构成的超晶格层，所述氮化物半导体的组成彼此不同。通过上述结构，器件的工作电流和工作电压较低，器件的效率得到提高。

10. 发明公开

KR1020040070040A 레이저 소자, 이 레이저 소자의 제조방법 및 이 레이저소자를 사용한 레이저 모듈 无效
标题翻译：激光元件，其中包括固定到散热片上的半导体激光棒，其制造方法和使用其的激光模块
公开(公告)号：KR1020040070040A
公开(公告)日：2004-08-06
申请号：KR1020040005594
申请日：2004-01-29
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 야마나카히데오 , 쿠라마치테루히코
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0014 , H01S5/005 , H01S5/0213 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02284 , H01S5/02469 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S5/4012 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12 , G02B6/4257
摘要： PURPOSE: A laser element including a semiconductor laser bar fixed to a heat sink, a method of producing the same, and a laser module employing the same are provided to form the semiconductor laser bar of a shape matching with a shape of a surface onto which the semiconductor laser bar is to be fixed. CONSTITUTION: A laser element includes a heat sink and a nitride-based semiconductor laser bar. The heat sink(11) is made of one of copper and copper alloy and has a fixing surface having a predetermined shape. The nitride-based semiconductor laser bar(13) has at least three light-emission points formed on a substrate and is bonded to the heat sink with a brazing material containing gold and one of tin and silicon as main components by pressing the nitride-based semiconductor laser bar toward the fixing surface with a tool having a shape corresponding to the predetermined shape of the fixing surface during a brazing operation.
摘要翻译：目的：提供一种激光元件，其包括固定在散热片上的半导体激光棒，其制造方法和使用该激光元件的激光模块，以形成与表面形状匹配的形状的半导体激光棒，要固定半导体激光条。构成：激光元件包括散热器和氮化物基半导体激光棒。散热器（11）由铜和铜合金中的一种制成，并且具有预定形状的固定表面。氮化物系半导体激光棒（13）具有形成在基板上的至少三个发光点，并且通过将含有金和锡和硅中的一种的钎焊材料作为主要成分通过压制氮化物基半导体激光器棒在钎焊操作期间具有与固定表面的预定形状相对应的形状的工具朝向固定表面。

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