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1. 发明授权

KR100591252B1 ＩｎＧａＮＡｓ 화합물 반도체 박막 및 그 형성 방법 失效
标题翻译： InGaNAs化合物半导体薄膜及其生长方法
公开(公告)号：KR100591252B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020010068427
申请日：2001-11-05
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要： Disclosed is a method of manufacturing an InGaNAs compound semiconductor thin film and the thin film manufactured by the same. The method of manufacturing the InGaNAs compound semiconductor thin film used as a structural element of a compound semiconductor device, wherein a plurality of precursors are deposited using a deposition apparatus comprises the steps of preparing at least one metal organic compound containing molecular Ga-N as the precursors, and providing nitrogen atoms from such metal organic compound to a reactor in the deposition apparatus during a deposition process for growth of the InGaNAs film so as to distribute the nitrogen atoms in a predetermined concentration within the InGaNAs thin film. Hence, detachment of nitrogen atoms can be prevented by means of strong bonding strength of GaAl,In-N molecules, whereby the content of nitrogen atoms within the InGaNAs can be effectively regulated under control of inflow of the precursors used for providing the nitrogen atoms.

2. 实用新型

KR200409828Y1 휴대용 자외선 측정기 失效
标题翻译：便携式测量仪ULTRAVIOLET指数
公开(公告)号：KR200409828Y1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR2020050034421
申请日：2005-12-07
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규 , 허필주
IPC分类号： G01J1/42
CPC分类号： G01J1/429 , A61B5/0002 , G01J3/0272
摘要： 본 고안은 간단한 회로로 구성된 자외선 측정장치를 휴대용 하우징의 내부에 수납하여 들고 다닐 수 있으므로, 개인이 언제 어디서든 간편하게 휴대하고 다니면서 손쉽게 자외선지수를 측정할 수 있어 자외선으로 인한 피부과적 질환을 사전에 예방할 수 있는 휴대용 자외선 측정기에 관한 것으로, 자외선측정기에 있어서, 입사된 자외선을 검출하여 자외선지수를 판별하는 자외선측정회로와; 상판과 하판으로 구성되는 플라스틱의 경질의 합성수지재로 성형되며, 상기 상판과 하판의 착탈식 조립에 의해 형성되는 내부 공간으로 자외선측정회로를 수용하는 하우징으로 구성되는 것을 특징으로 하는 휴대용 자외선 측정기에 관한 것이다.
자외선, 검출, 측정, 휴대

3. 发明公开

KR1020060100638A 발광 다이오드 장치 제조 방법 无效
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060100638A
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：KR1020050022330
申请日：2005-03-17
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01L33/08
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 발광 다이오드 장치는 기판위에 형성되며 N형 도펀트가 주입된 전자 장벽층과, 전자 장벽층과 이격되어 형성되며 P형 도펀트가 주입된 홀 장벽층과, 전자 장벽층 및 홀 장벽층 사이에 적어도 두 개 이상의 빛이 혼합되어 발광되는 다중 양자 우물 발광층을 구비하고, 다중 양자 우물 발광층은 순차적으로 적층된 제 1우물벽, 제 1양자 우물층(녹색 발광), 제 2우물벽, 제 2양자 우물층(청색 발광), 제 3우물벽을 포함한다. 그러므로 본 발명은 수직으로 적어도 두 개 이상의 빛이 혼합되어 발광되는 다중 양자 우물 발광층을 갖는 하나의 발광 다이오드 칩을 구성함으로써 하나의 발광 다이오드 칩을 통해서 새로운 혼합 빛을 발광하거나 백색 빛을 구현할 수 있다.
발광 다이오드 장치, 다중 양자 우물 발광층, 청색, 녹색, 적색

4. 发明授权

KR100552333B1 백색 발광장치 失效
标题翻译：白光发射装置
公开(公告)号：KR100552333B1
公开(公告)日：2006-02-21
申请号：KR1020050053086
申请日：2005-06-20
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/50
摘要： 본 발명은 백색 발광장치에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 백색 발광장치는 서로 다른 파장의 빛(예를 들어, 파란색과 초록색)을 내는 다층 발광층을 갖는 발광다이오드 칩과, 발광다이오드 칩에서 나온 혼합된 빛의 색깔과 보색관계에 있는 색깔의 빛(빨간색)을 발광하여 발광다이오드 칩에서 나온 빛들과 혼합되어 백색을 구현하는 형광물질을 포함한다. 그러므로 본 발명은 백색을 만들기 위해 질화물계 반도체로 만들 수 있는 2가지 이상의 서로 다른 색깔의 빛을 혼합하여 만들어진 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩에 이 혼합색과 보색관계에 있는 빨간색계열의 형광물질을 배합하여 패키지를 구성함으로써 낮은 소비전력으로도 뛰어난 연색성을 지닌 백색 발광장치를 구현할 수 있게 한다.
백색 발광 장치, 발광 다이오드 칩, 형광 물질
摘要翻译：本发明涉及一种白色发光装置，在本发明的特别是白色发光装置具有不同波长和光发射具有多层发光层二极管芯片的光在一起（例如，蓝色和绿色），混合从所述发光二极管芯片并且发出与光的颜色（红色）具有互补色关系的颜色的光并且通过与从发光二极管芯片发出的光混合而发出白光的荧光材料。因此，本发明涉及一种发光二极管芯片，该发光二极管芯片发射通过混合可由氮化物基半导体制成的两种或更多种不同颜色的光而产生的光以形成白色，通过构成封装，即使在低功耗下也可以实现具有优异显色性的白色发光装置。

5. 发明授权

KR100470904B1 고휘도 질화물 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조방법 失效
标题翻译：高亮度硝酸盐微尺寸发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100470904B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020042721
申请日：2002-07-20
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/36
摘要： 본 발명은 고휘도 질화물 마이크로 발광 다이오드(LED) 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 마이크로 사이즈의 발광기둥(10)을 다수개 형성하고, 그 기둥들 사이의 갭을 SiO
2 , Si
3 N
4 , DBR(ZrO
2 /SiO
2 , HfO
2 /SiO
2 ), 폴리아미드 등의 충진재(5)로 채우면서 발광기둥 어레이들과 충진재의 상부면(11)을 CMP가공에 의해 평탄화한 후에 대면적의 투명전극(6)을 형성하고 그것에 의해서 모든 발광기둥들이 동시에 작동하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 고휘도 질화물 마이크로 LED 및 그 제조방법을 제공한다. 또한 플립칩(flip-chip) 구조를 채택하여 마이크로 사이즈 발광기둥 어레이의 전극 형성 균일도를 향상시킨 고휘도 질화물 마이크로 LED를 제공한다.

6. 发明公开

KR1020010079224A 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：氮化物半导体光发射装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010079224A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：KR1020010036424
申请日：2001-06-25
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/16
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A nitride semiconductor light emission device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a chip from consuming in a cutting process by making the chip with a scribing process and a cleaving process. CONSTITUTION: The first scribing process is performed in the first direction and the first interval along the crystalline structure of a nitride semiconductor. The second scribing process is performed in the second direction making an angle of 60 degree with the first direction and the second interval along the crystalline structure of a nitride semiconductor. The third scribing process is performed in the third direction and the third interval along the crystalline structure of a nitride semiconductor. The third direction makes an angle of 60 degree with the first direction and the second direction, respectively. A cleaving process is performed along the lines formed by the first, second and third scribing process.
摘要翻译：目的：提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过利用划线工艺和切割工艺制造芯片来防止切屑在切割过程中消耗。构成：沿着氮化物半导体的晶体结构的第一方向和第一间隔进行第一刻划处理。沿第二方向进行第二刻划处理，沿氮化物半导体的晶体结构与第一方向和第二间隔成60°的角度。沿着氮化物半导体的晶体结构的第三方向和第三间隔进行第三刻划处理。第三方向分别与第一方向和第二方向成60度的角度。沿着由第一，第二和第三划线工艺形成的线进行切割处理。

7. 发明公开

KR1020060129801A 발광다이오드 디스플레이소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： LED显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060129801A
公开(公告)日：2006-12-18
申请号：KR1020050050461
申请日：2005-06-13
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： G09F9/33 , G09G3/32 , G02F1/1362
摘要： A light emitting display device and a method for fabricating the same are provided to employ a high respond speed of a light emitting diode by manufacturing a flat display as a light emitting diode. Plural B-GaN patterns(12a) are arranged in a stripe shape on a substrate. A light emitting pattern and a P-GaN pattern are stacked in a stack shape on the N-GaN patterns. A gapfill film(26a) is formed in a space between the P-GaN patterns. Plural transparent electrode patterns(28a) are arranged in a stripe shape in a direction perpendicular to the N-GaN pattern on the gapfill film. The transparent electrode patterns are connected to the N-GaN patterns by plural electrodes.
摘要翻译：提供一种发光显示装置及其制造方法，通过制造平板显示器作为发光二极管，采用发光二极管的高响应速度。多个B-GaN图案（12a）以条纹形状布置在基板上。发光图案和P-GaN图案堆叠形成在N-GaN图案上。在P-GaN图案之间的空间中形成间隙填充膜（26a）。多个透明电极图案（28a）沿着与间隙填充膜上的N-GaN图案垂直的方向排列成条形。透明电极图案通过多个电极连接到N-GaN图案。

8. 发明授权

KR100450280B1 광송수신 모듈의 하우징 구조 失效
标题翻译： 광송수신모듈의하우징구조
公开(公告)号：KR100450280B1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：KR1020020028017
申请日：2002-05-21
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H04B10/40 , H04B10/00
摘要： PURPOSE: A housing structure in an optical transmit-receive module is provided to simplify assembly process by using a bracket locker which is conveniently inserted into a housing body through its own elasticity. CONSTITUTION: A housing structure in an optical transmit-receive module is characterized by a housing body(1) comprising a concave part and a bracket locker(10) inserted into the concave part. The concave part extends from the upper part of one side of the housing body(1) to the upper part of the other side through the bottom surface at a certain width. The concave part has a feature corresponding to the body part of bracket locker(10) so that the body part can be inserted into. The housing body(1) includes a guide slot(1b) so that the optical transmit-receive module can be smoothly slid into an optical communication system. The bracket locker(10) is composed of the body part, extension parts(12), locker parts(13a,13b), terminal parts(14), and forming parts(15). The bracket locker(10) is formed by a metallic thin-plate member having a certain elasticity.
摘要翻译：目的：提供光发射 - 接收模块中的壳体结构，通过使用通过其自身弹性方便地插入壳体中的支架锁定器来简化组装过程。本发明的目的在于提供一种光发射接收模块中的壳体结构，其特征在于包括凹入部分的壳体（1）和插入该凹入部分中的支架锁扣（10）。凹部以一定的宽度从壳体（1）的一侧的上部通过底面延伸至另一侧的上部。该凹部具有与支架锁扣（10）的主体部分相对应的特征，以使主体部分能够插入。壳体（1）包括导槽（1b），使得光发射 - 接收模块可以平滑地滑入光通信系统。支架锁（10）由主体部分，延伸部分（12），锁定部分（13a，13b），端子部分（14）和成形部分（15）组成。支架锁（10）由具有一定弹性的金属薄板构件形成。

9. 发明授权

KR100404043B1 수직으로 집적화된 고출력 면발광 반도체 레이저 장치 및그 제조 방법 失效
标题翻译： 수직으로집적화된고출력면면반체체저저및법법법
公开(公告)号：KR100404043B1
公开(公告)日：2003-11-03
申请号：KR1020010064829
申请日：2001-10-19
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S5/0207 , H01S5/041 , H01S5/1021 , H01S5/18305 , H01S5/426 , H01S2301/163 , H01S2301/166
摘要： Disclosed is a vertically integrated high power surface emitting semiconductor laser device and a method of producing the same. The laser device has a first emitting structure positioned on the first side of a GaAs substrate 4 and electrically pumped to emit a beam at a first wavelength, a second emitting structure positioned on the second side of the GaAs substrate 4 and optically exciting a beam at a second wavelength by the beam at the first wavelength of the first emitting structure, and a pair of electrodes 10, 11 in contact with the lower DBR 1 of the first emitting structure and the second side of the GaAs substrate 4, respectively. This device also has an optical lens 13 positioned on the second side of the GaAs substrate 4 between the first emitting structure and the second emitting structure, and a second upper DBR 6 belonging in the first emitting structure between the optical lens 13 and the second emitting structure.
摘要翻译：公开了垂直集成的高功率表面发射半导体激光器件及其制造方法。该激光器件具有位于GaAs衬底4的第一侧上的第一发射结构，并被电泵浦以发射第一波长的光束，第二发射结构位于GaAs衬底4的第二侧上，并且将光束激发到由第一发射结构的第一波长处的光束产生的第二波长以及分别与第一发射结构的下DBR1和GaAs衬底4的第二侧接触的一对电极10,11。该器件还具有位于第一发射结构和第二发射结构之间的GaAs衬底4的第二侧上的光学透镜13，以及属于第一发射结构中位于光学透镜13和第二发射结构之间的第二上DBR 6 结构体。

10. 外观设计

KR3003293080000S 失效
公开(公告)号：KR3003293080000S
公开(公告)日：2003-07-25
申请号：KR3020020020733
申请日：2002-07-18
申请人： 주식회사 비첼
设计人： 강상규

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