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1. 发明授权

KR101324645B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101324645B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020060041089
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： 본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트(photoresist) 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 노볼락 수지, b) 디아지드계 감광성 화합물, 및 c) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다:
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, R은 수소, -OH기 또는 -CH
3 기이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 메타-크레졸(
m -cresol), 파라-크레졸(
p -cresol) 및 살리실릭 알데히드(salicylic aldehyde)를 축합중합하여 제조한 노볼락 수지를 사용함에 따라 포토레지스트의 내열성 및 패턴 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
포토레지스트, 살리실릭 알데히드, 내열성, 해상도, 패턴 균일도
摘要翻译：本发明是一种酚醛清漆树脂来，是一种）更详细地涉及一种液晶显示装置的电路，微电路光刻胶（在半导体集成电路的制造中，包括由式（1）表示的重复单元中使用的光致抗蚀剂）的组合物， b）二叠氮化物基光敏化合物，和c）有机溶剂。

2. 发明授权

KR101324646B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101324646B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020060041090
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： 본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트(photoresist) 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 메타-크레졸, 파라-크레졸, 레조시놀 및 살리실릭 알데히드를 2 내지 5: 2 내지 5: 0.5 내지 3: 0.5 내지 3의 중량비로 사용하여 축합 중합된 것으로, 2,000 내지 10,000의 중량평균분자량을 갖는 노볼락 수지, b) 디아지드계 감광성 화합물, 및 c) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 메타-크레졸(
m -cresol), 파라-크레졸(
p -cresol), 레조시놀(resorcinol) 및 살리실릭 알데히드(salicylic aldehyde)를 축합중합하여 제조한 노볼락 수지를 사용함에 따라 포토레지스트의 내열성 및 패턴 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
포토레지스트, 레조시놀, 살리실릭 알데히드, 내열성, 패턴 균일도
摘要翻译：本发明涉及一种液晶显示装置，电路，光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）在微电路，例如半导体集成电路，更具体地涉及一种）间甲酚，对甲酚，间苯二酚和水杨酸盐西里奇醛的制造中使用的组合物 2至5：2至5：0.5至3：通过使用具有2000〜10000的重均分子量的酚醛清漆树脂，b）二叠氮类感光化合物0.5至3重量比聚合的冷凝，以及c）和包含有机溶剂的光刻胶组合物。

3. 发明公开

KR1020070108715A 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020070108715A
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：KR1020060041090
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： A photoresist composition is provided to improve resolution and heat resistance after a hard baking step, and to ensure excellent pattern uniformity, residual film ratio, adhesion to a wafer, and CD uniformity. A photoresist composition comprises: (a) a novolac resin represented by the following formula 1; (b) a diazide-based photosensitive compound; and (c) an organic solvent. In formula 1, R is H, OH or -CH6, and n is an integer of 3-20. The novolac resin is polymerized from metacresol, paracresol, resorcinol and salicylic aldehyde in a weight ratio of 2-5:2-5:0.5-3:0.5-3, and has a molecular weight of 2,000-10,000.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂组合物以在硬烘烤步骤之后提高分辨率和耐热性，并且确保优异的图案均匀性，残留膜比率，与晶片的粘附性和CD均匀性。光致抗蚀剂组合物包含：（a）由下式1表示的酚醛清漆树脂; （b）二叠氮基光敏化合物; 和（c）有机溶剂。在式1中，R是H，OH或-CH 6，n是3-20的整数。酚醛清漆树脂以2-5：2-5：0.5-3：0.5-3的重量比从甲酚，对甲酚，间苯二酚和水杨醛聚合，分子量为2,000-10,000。

4. 发明授权

KR101280019B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101280019B1
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020050116347
申请日：2005-12-01
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김병욱 , 김동민 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수
IPC分类号： G03F7/008 , G03F7/022
摘要： 본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 (a) 노볼락 수지, (b) 디아지드계 감광성 화합물, (c) 유동성 향상제, (d) 감도 증진제, 및 (e) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 유동성 향상제 및 감도 증진제를 사용함으로써 강한 감압건조에 의한 패턴 변형을 방지하고, 패턴 균일도를 향상시키며, 감광속도, 잔막률, 현상 콘트라스트, 해상도, 고분자 수지의 용해성, 기판과의 접착력, 및 회로선폭 균일도가 동시에 우수한 장점이 있다.
포토레지스트 조성물, 흐름성, 패턴 균일도, 잔막률
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造微电路，使用光致抗蚀剂组合物，如液晶显示装置的电路，半导体集成电路，更具体地（a）一种酚醛清漆树脂，（b）基于一个二叠氮感光化合物，（c）流体（D）敏感性增强剂，和（e）有机溶剂。

5. 发明公开

KR1020070108714A 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020070108714A
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：KR1020060041089
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： A photoresist composition is provided to improve the heat resistance and resolution of photoresist, and to ensure excellent pattern uniformity, adhesion to a wafer, and CD uniformity in a process for fabricating LCDs or semiconductor devices. A photoresist composition comprises: (a) a novolac resin represented by the following formula 1; (b) a diazide-based photosensitive compound; and (c) an organic solvent. In formula 1, R is H, OH or -CH6, and n is an integer of 3-20. The novolac resin is polymerized from metacresol, paracresol and salicylic aldehyde in a weight ratio of 2-7:2-7:1-5, and has a molecular weight of 3,000-15,000. The photoresist composition comprises 5-30 wt% of the novolac resin, 2-10 wt% of the diazide-based photosensitive compound, and the balance amount of the organic solvent.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂组合物以提高光致抗蚀剂的耐热性和分辨率，并且在制造LCD或半导体器件的工艺中确保优异的图案均匀性，与晶片的粘合性以及CD均匀性。光致抗蚀剂组合物包含：（a）由下式1表示的酚醛清漆树脂; （b）二叠氮基光敏化合物; 和（c）有机溶剂。在式1中，R是H，OH或-CH 6，n是3-20的整数。酚醛清漆树脂以2-7：2-7：1-5的重量比从甲酚，对甲酚和水杨醛聚合，分子量为3,000-15,000。光致抗蚀剂组合物包括5-30重量％的酚醛清漆树脂，2-10重量％的二叠氮基系感光性化合物和余量的有机溶剂。

6. 发明公开

KR1020070058084A 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020070058084A
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020050116347
申请日：2005-12-01
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김병욱 , 김동민 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수
IPC分类号： G03F7/008 , G03F7/022
摘要： A photoresist composition is provided to improve film speed, remaining rate, development contrast, resolution, solubility of polymer resin, adhesiveness with a substrate, and CD uniformity in photoresist film. The photoresist composition comprises (a) 5-30wt% of novolak resin, (b) 2-10wt% of a diazide-based photosensitive compound, (c) 0.5-5wt% of a flowability improver, (d) 0.1-10wt% of a sensitivity improver, and (e) the balance of organic solvent. The novolak resin(a) has a content ratio of meta/para-cresols of 30-70:70-30 parts by weight and a molecular weight of 2,000-10,000. The diazide-based photosensitive compound contains 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonedizide-5-sulfonate and 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate in a ratio of 40-60:60-40 parts by weight.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂组合物以提高膜速度，剩余速率，显影对比度，分辨率，聚合物树脂的溶解度，与基材的粘附性以及光致抗蚀剂膜中的CD均匀性。光致抗蚀剂组合物包含（a）5-30重量％的酚醛清漆树脂，（b）2-10重量％的二叠氮基感光性化合物，（c）0.5-5重量％的流动性改进剂，（d）0.1-10重量％敏感性改进剂，和（e）有机溶剂的平衡。酚醛清漆树脂（a）的间/对甲酚含量为30-70:70-30重量份，分子量为2,000-10,000。二叠氮基光敏化合物含有比例为40的2,3,4-三羟基二苯甲酮-1,2-萘醌二酸酯-5-磺酸盐和2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮-1,2-萘醌二叠氮化物-5-磺酸盐 -60：60-40重量份。

7. 发明授权

KR100847824B1 레지스트 용액 및 이를 이용한 평판표시소자의 제조장치 및방법 有权
标题翻译：用于制造平板平板显示装置的电阻解决方案，装置和方法
公开(公告)号：KR100847824B1
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070063846
申请日：2007-06-27
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김진욱 , 남연희 , 김병욱 , 김동민 , 김주혁 , 이기범 , 김문수 , 김병후 , 채기성
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： G03F7/0002 , H01L21/0273 , H01L27/124 , H01L27/1292
摘要： A resist solution and an apparatus and a method for manufacturing a flat panel display by using the same are provided to form a thin film by a patterning process by means of a soft mold without a photo process. A thin film layer is formed on a substrate for a display device. The resist solution including the heat polymerization initiator is prepared and coated on the substrate by means of a coating device(S2). The resist solution is compressed by a soft mold and molded by an IPP(In-Plane Printing) manner(S4). During the compression operation by the soft mold, UV(Ultraviolet) is illuminated on the resist solution and developed(S6). As a result, the resist pattern transferred to the groove of the soft mold is formed. The soft mold is released from the resist pattern and a heat curing process is performed at the environment of about 100-300 degrees centigrade for 10-60 minutes(S8). The thin film not overlapped with the resist pattern is removed by means of an etching process so that the desired type thin film pattern is formed(S10).
摘要翻译：提供了一种抗蚀剂溶液，以及通过使用该方法制造平板显示器的装置和方法，以通过没有照相处理的软模具的图案化工艺形成薄膜。在显示装置用基板上形成薄膜层。包含热聚合引发剂的抗蚀剂溶液通过涂布装置（S2）制备并涂覆在基材上。抗蚀剂溶液通过软模压缩并通过IPP（平面印刷）方式（S4）模制。在软模的压缩操作期间，紫外线（UV）被照射在抗蚀剂溶液上并显影（S6）。结果，形成了转移到软模的槽的抗蚀剂图案。柔性模具从抗蚀剂图案中释放出来，在约100-300摄氏度的环境中进行10-60分钟的热固化处理（S8）。通过蚀刻工艺去除与抗蚀剂图案不重叠的薄膜，从而形成所需类型的薄膜图案（S10）。

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