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1. 发明公开

KR1020020089356A 기상 성장 방법, 반도체 제조 방법, 및 반도체 장치의제조 방법 有权
标题翻译：气相生长方法，半导体制造方法以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020020089356A
公开(公告)日：2002-11-29
申请号：KR1020027010849
申请日：2001-12-20
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마가타히데오 , 코우모토타케요시 , 아츠미켄지 , 네고로요이치 , 히라타타츠스히로 , 노구치타카시
IPC分类号： H01L29/737
摘要： 본 발명은 반도체 기판 상에 실리콘-게르마늄 혼정층을 퇴적 형성하는 기상 성장 방법으로, 실리콘 원료 가스 분압이 시간에 비례하여 증대하도록 실리콘 원료 가스를 반응로 내에 도입하여 감압 하에서 상기 반도체 기판 상에 실리콘층에 의한 제 1 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 실리콘 원료 가스와 게르마늄 원료 가스를 원하는 게르마늄 농도가 되도록 도입하여 감압 하에서 상기 제 1 반도체층 상에 실리콘-게르마늄 혼정층에 의한 제 2 반도체층을 형성하는 제 2 단계와, 감압 하에서 실리콘 원료 가스를 도입하여 상기 제 2 반도체층 상에 실리콘층에 의한 제 3 반도체층을 형성하는 제 3 단계를 채용함에 따라 미스 피트 전위의 개선이 도모된 반도체층을 얻을 수 있도록 한다.

2. 发明授权

KR100849835B1 기상 성장 방법, 반도체 제조 방법, 및 반도체 장치의제조 방법 有权
标题翻译：蒸气生长法，半导体制造方法以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR100849835B1
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：KR1020027010849
申请日：2001-12-20
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마가타히데오 , 코우모토타케요시 , 아츠미켄지 , 네고로요이치 , 히라타타츠스히로 , 노구치타카시
IPC分类号： H01L29/737
摘要： 본 발명은 반도체 기판 상에 실리콘-게르마늄 혼정층을 퇴적 형성하는 기상 성장 방법으로, 실리콘 원료 가스 분압이 시간에 비례하여 증대하도록 실리콘 원료 가스를 반응로 내에 도입하여 감압 하에서 상기 반도체 기판 상에 실리콘층에 의한 제 1 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 실리콘 원료 가스와 게르마늄 원료 가스를 원하는 게르마늄 농도가 되도록 도입하여 감압 하에서 상기 제 1 반도체층 상에 실리콘-게르마늄 혼정층에 의한 제 2 반도체층을 형성하는 제 2 단계와, 감압 하에서 실리콘 원료 가스를 도입하여 상기 제 2 반도체층 상에 실리콘층에 의한 제 3 반도체층을 형성하는 제 3 단계를 채용함에 따라 미스 피트 전위의 개선이 도모된 반도체층을 얻을 수 있도록 한다.
산화실리콘층, 반도체층, 콜렉터 동작 영역, 콜렉터 전극 추출 영역, 절연층, 기상 성장 방법

3. 发明公开

KR1020020019419A 박막 제조 방법, 반도체 박막, 반도체 디바이스, 반도체박막 제조 방법, 및 반도체 박막 제조 장치 无效
标题翻译：制造薄膜的方法，半导体薄膜，半导体器件，制造半导体薄膜的方法和用于制造半导体薄膜的系统
公开(公告)号：KR1020020019419A
公开(公告)日：2002-03-12
申请号：KR1020010054335
申请日：2001-09-05
申请人： 소니 주식회사
发明人： 나카지마히데하루 , 네고로요이치 , 우수이세추오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02686 , C23C16/56 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L21/324
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a thin film, a semiconductor thin film, a semiconductor device, a method for manufacturing a semiconductors thin film, and a system for manufacturing a semiconductor thin film are provided to manufacture a thin film, especially a semiconductor thin film, in which volatile gases, e.g. hydrogen, in a thin film can be reduced just like a case employing an electric furnace without sacrifice of productivity while preventing breakage of the film. CONSTITUTION: A thin film(2) containing volatile gas is irradiated with excimer laser light(5) having pulse width of 60 nS or longer thus degassing the thin film. The thin film(2) can be protected against breakage even if it is re-crystallized subsequently and short time processing is realized by excimer laser irradiation. Alternatively, a thin film containing 2 atm.% or more of volatile gas is irradiated with excimer laser having pulse width of 60 nS or longer thus degassing the thin film(2) while crystallizing. Since nuclei are formed uniformly, size of crystal particles is made uniform and variations of characteristics are suppressed.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜制造方法，半导体薄膜，半导体装置，半导体薄膜的制造方法以及半导体薄膜的制造方法，制造薄膜，特别是半导体薄膜，其中挥发性气体，例如可以像使用电炉的情况一样减少薄膜中的氢，而不牺牲生产率而防止膜的破裂。构成：用脉冲宽度为60nS以上的准分子激光（5）照射含有挥发性气体的薄膜（2），使薄膜脱气。即使再次结晶化，也可以通过准分子激光照射来实现短时间的处理，可以防止薄膜（2）的破损。或者，用脉冲宽度为60nS以上的准分子激光器照射含有2质量％以上的挥发性气体的薄膜，同时结晶而使薄膜（2）脱气。由于均匀地形成核，所以使结晶粒子的尺寸均匀，抑制了特性的变化。

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