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热词
    • 2. 发明公开
    • 반도체 노광 시스템 및 이의 제어방법
    • 半导体暴露系统及其控制方法
    • KR1020080065481A
    • 2008-07-14
    • KR1020070002649
    • 2007-01-09
    • 삼성전자주식회사
    • 박영호
    • H01L21/027
    • G03F1/82G01N2021/95676G03F7/70716G03F7/7085
    • A semiconductor exposure system and a controlling method thereof are provided to enhance swiftly a yield and productivity by preventing transition of an overlay error to a post process. A reticle stage(2) absorbs a reticle(1) in a vacuum-absorbing manner. A reticle height measurement unit(10) measures a reticle height difference in order to sense contaminants between the reticle stage and the reticle. A control unit(20) receives data related to the reticle height difference from the reticle height measurement unit in order to determine a level state of the reticle. The control unit generates a reticle tilt signal when detecting a reticle tilt. The reticle height measurement unit includes an interferometer laser for measuring a level and a distance of a target by using interference of light.
    • 提供一种半导体曝光系统及其控制方法,以通过防止重叠错误转换到后期处理来迅速提高产量和生产率。 标线片台(2)以真空吸收的方式吸收光罩(1)。 标线高度测量单元(10)测量标线高度差,以便检测标线片台与掩模版之间的污染物。 控制单元(20)从掩模版高度测量单元接收与标线高度差有关的数据,以便确定掩模版的电平状态。 当检测到掩模版倾斜时,控制单元产生光罩倾斜信号。 标线高度测量单元包括用于通过使用光的干涉来测量目标的水平和距离的干涉仪激光器。
    • 4. 发明公开
    • 반도체 소자 제조용 설비의 배기 방법
    • 半导体器件制造设备中的排气方法
    • KR1020010017681A
    • 2001-03-05
    • KR1019990033337
    • 1999-08-13
    • 삼성전자주식회사
    • 민병호박영호신동화
    • H01L21/02
    • PURPOSE: An exhaust method used in a semiconductor device fabricating equipment is provided to release photoresist fumes from a chamber by periodically or automatically exhausting the chamber. CONSTITUTION: The fabricating equipment includes the chamber(2) having an exhaust pipe(7) and a door(3), the first and second arms(8,9) for transferring a wafer, sensors(10,11) for detecting the wafer, a sensor(12) for detecting the position of the arms(8,9), and a controller(21). To exhaust the chamber(2) by force, the exhaust method begins with determining a way of exhaust. If the expected time of exhaust and the exhausting time are set in the controller(21), a forced exhaust will progress periodically. However, in case of no time set, the forced exhaust will progress automatically whenever an absence of the wafer is ascertained. The wafer detecting sensors(10,11) ascertain whether the wafer is or not in the chamber(2). If the absence of the wafer is ascertained, the first and second arms(8,9) stop operating with the door(3) kept shutting. Thereafter, the exhaust pipe(7) is opened, and then the forced exhaust progresses.
    • 目的:提供一种在半导体器件制造设备中使用的排气方法,以通过周期性地或自动地排出腔室来从腔室释放光致抗蚀剂烟雾。 构成:制造设备包括具有排气管(7)和门(3)的腔室(2),用于传送晶片的第一和第二臂(8,9),用于检测晶片的传感器(10,11) ,用于检测臂(8,9)的位置的传感器(12)和控制器(21)。 为了用力排出腔室(2),排气方法从确定排气方式开始。 如果在控制器(21)中设定排气预期时间和排气时间,则强制排气将周期性地进行。 然而,在没有时间设定的情况下,当确定不存在晶片时,强制排气将自动进行。 晶片检测传感器(10,11)确定晶片是否在室(2)中。 如果没有确定晶片,则第一和第二臂(8,9)停止操作,门(3)不断关闭。 此后,排气管(7)打开,然后强制排气进行。
    • 7. 发明公开
    • 반도체장치의 스퍼터링 방법
    • 半导体器件的溅射方法
    • KR1019980067108A
    • 1998-10-15
    • KR1019970002980
    • 1997-01-31
    • 삼성전자주식회사
    • 박영호
    • H01L21/203
    • 콘택홀 내부에 균일한 금속박막을 형성할 수 있는 반도체 장치의 스퍼터링 방법에 관하여 개시하고 있다. 이를 위하여 본 발명은, 스퍼터링 챔버의 내부에서 자계를 인가하기 위한 마그네트론과, 증착되는 박막의 소스가 되는 타겟과, 상기 타겟으로부터 방출된 원자를 양(+)으로 이온화시키는 무선주파수(RF) 전원과, 증착하고자 하는 웨이퍼를 위치시키면서 소정의 전원을 웨이퍼에 인가할 수 있는 히터블럭 및 불활성 가스를 이용하여 웨이퍼에 박막을 형성하는 반도체 장치의 스퍼터링 방법에 있어서, 상기 히터블럭에 인가하는 소정의 전원의 양(+)의 실효전압과 음(-)의 실효전압 비율(+V/-V)을 변화시켜 증착용 타겟으로부터 튀어나온 이온화된 원자의 1차 증착(sputtering) 및 2차 증착(resputtering) 비율을 조절함으로써 증착되는 박막의 균일도 및 단차도포성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 스퍼터링 방법을 제공한다.