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    • 2. 发明专利
    • 単結晶育成装置と単結晶育成方法
    • JP2021100900A
    • 2021-07-08
    • JP2019232871
    • 2019-12-24
    • 住友金属鉱山株式会社
    • 辰宮 一樹
    • C30B29/30H05B6/24H05B6/36C30B15/14
    • 【課題】低コストでクラックや底つきのない単結晶を育成できる単結晶育成装置と単結晶育成方法を提供する。 【解決手段】耐火性坩堝10と、坩堝10内に配置された結晶育成用坩堝1と、耐火性坩堝10と坩堝1の隙間に充填された断熱材30と、坩堝1上端にリフレクター41を介し配置されたアフターヒーター40と、耐火性坩堝10の外側周囲に配置された高周波誘導コイル2をチャンバー100内に備えた単結晶育成装置で、坩堝1上端より上側に位置し長さEがピッチD×巻き数dで特定される上側コイル2aと坩堝1上端より下側に位置し長さFがピッチC×巻き数cで特定される下側コイル2bとで高周波誘導コイル2が構成され、誘導コイル2の長さYを定数、坩堝1の長さをX、Y/Xを2〜3.5とした場合、E/Yが0.33〜0.38、D/Cが1.50〜1.83に設定されていることを特徴とし、アフターヒーター側と坩堝1側の発熱バランスが適正に制御されてクラック等のない単結晶を育成できる。 【選択図】図1